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ADuM3210/ADuM3211雙通道數(shù)字隔離器,具有增強(qiáng)的系統(tǒng)級ESD可靠性技術(shù)手冊

要長高 ? 2025-06-05 14:30 ? 次閱讀
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概述
ADuM3210/ADuM3211均為采用ADI公司iCoupler^?^技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這款隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體,具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。

**iCoupler器件不用LED光電二極管,因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計困難。簡單的iCoupler數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動器和其它分立器件。此外,在信號數(shù)據(jù)速率相當(dāng)?shù)那闆r下,iCoupler器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。

ADuM3210/ADuM3211隔離器提供兩個獨(dú)立的隔離通道,支持兩種通道配置和最高達(dá)25 Mbps的數(shù)據(jù)速率(請參考“訂購指南”)。它們的任一側(cè)均可采用3.3 V至5 V電源電壓工作,與低壓系統(tǒng)兼容,并且能夠跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。相比ADuM3200/ADuM3201的默認(rèn)輸出高電平特性,ADuM3210/ADuM3211隔離器具有默認(rèn)輸出低電平特性。ADuM3210W和ADuM3211W為汽車應(yīng)用級產(chǎn)品,工作溫度可達(dá)125°C。

與[ADuM1200]/[ADuM1201]隔離器相比,ADuM3210/ADuM3211隔離器包含多項(xiàng)電路和布局改進(jìn),系統(tǒng)級IEC 61000-4-x測試(ESD、突波和浪涌)顯示其性能大大增強(qiáng)。對于ADuM1200/ADuM1201或ADuM3210/ADuM3211產(chǎn)品,這些測試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設(shè)計與布局。欲了解更多信息,請參考應(yīng)用筆記[AN-793:]“iCoupler隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖考慮因素”。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADuM3210 ADuM3211雙通道數(shù)字隔離器,具有增強(qiáng)的系統(tǒng)級ESD可靠性技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

  • 尺寸至關(guān)重要的多通道隔離
  • SPI接口/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離
  • RS-232/RS-422/RS-485收發(fā)器隔離
  • 數(shù)字現(xiàn)場總線隔離
  • 柵極驅(qū)動接口
  • 混合動力汽車、電池監(jiān)控器和電機(jī)驅(qū)動

特性

  • 增強(qiáng)的系統(tǒng)級ESD性能符合IEC 61000-4-x標(biāo)準(zhǔn)
  • 工作溫度最高可達(dá):125°C
  • 默認(rèn)低電平輸出
  • 8引腳窄體SOIC封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 低功耗工作
    • 5 V工作電壓(請參考數(shù)據(jù)手冊)
    • 3.3 V工作電壓(請參考數(shù)據(jù)手冊)
  • 高數(shù)據(jù)速率:DC至25 Mbps (NRZ)

功能框圖
image.png

引腳配置描述
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典型性能特征
image.png

應(yīng)用信息

印刷電路板布局

ADuM3210/ADuM3211數(shù)字隔離器的邏輯接口無需外部接口電路。強(qiáng)烈建議在輸入和輸出電源引腳處進(jìn)行電源去耦。去耦電容值應(yīng)為0.01μF至0.1μF。電容兩端與輸入電源引腳之間的總引線長度均不得超過2mm。

有關(guān)電路板布局指南,請參閱AN - 1109《應(yīng)用筆記:與印刷電路板相關(guān)的布局》。

系統(tǒng)級靜電放電(ESD)注意事項(xiàng)及增強(qiáng)功能

系統(tǒng)級可靠性(例如,符合IEC 61000 - 4 - x標(biāo)準(zhǔn))取決于系統(tǒng)設(shè)計,而系統(tǒng)設(shè)計因應(yīng)用而異。ADuM3210/ADuM3211集成了許多增強(qiáng)功能,以降低對系統(tǒng)設(shè)計的依賴,從而實(shí)現(xiàn)更可靠的ESD性能。這些增強(qiáng)功能包括:

  • 在所有輸入/輸出引腳上添加ESD保護(hù)軌,以減小輸入/輸出幾何形狀。
  • 鍵合線電感的影響降至最低。
  • 通過在PMOS和NMOS器件之間采用保護(hù)和隔離技術(shù),最大限度地減少CMOS器件中的串?dāng)_效應(yīng)。
  • 使用45°角的電源引腳走線,消除高電場集中區(qū)域。
  • 通過在每個電源引腳與其相應(yīng)的地之間采用更大的ESD鉗位,防止電源引腳金屬遷移。

盡管ADuM3210/ADuM3211具有改進(jìn)的系統(tǒng)級ESD可靠性,但它們?nèi)砸蕾囉诜€(wěn)健的系統(tǒng)級設(shè)計。如需詳細(xì)了解電路板布局和系統(tǒng)級設(shè)計方面的注意事項(xiàng),請參閱AN - 793《應(yīng)用筆記:采用iCoupler隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖注意事項(xiàng)》。

傳播延遲相關(guān)參數(shù)

傳播延遲是描述邏輯信號通過一個組件傳播所需時間的參數(shù)。信號到邏輯低電平輸出的傳播延遲,可能與到邏輯高電平輸出的傳播延遲不同。

image.png

脈沖寬度失真是指這兩種傳播延遲值之間的最大差異,它體現(xiàn)了輸入信號定時的保持精度。

通道間延遲匹配是指單個ADuM3210/ADuM3211器件內(nèi)各通道之間傳播延遲差異的最大量。

傳播延遲差異是指在相同條件下工作的多個ADuM3210/ADuM3211器件之間傳播延遲差異的最大量。

直流正確性和磁場抗擾度

隔離器輸入的正向和負(fù)向邏輯轉(zhuǎn)換,會使較窄(~1 ns )的脈沖通過變壓器發(fā)送至解碼器,進(jìn)而對解碼器進(jìn)行置位或復(fù)位,表明有輸入邏輯轉(zhuǎn)換。在輸入邏輯轉(zhuǎn)換缺失(即輸入為邏輯1持續(xù)超過約2μs )時,會發(fā)送一組周期性的刷新脈沖,以確保輸出的直流正確性,表明正確的輸入狀態(tài)。

如果解碼器在約5μs以上的時間內(nèi)未收到脈沖,則認(rèn)為輸入側(cè)未通電或無功能,此時隔離器輸出會被看門狗電路強(qiáng)制置為默認(rèn)低電平狀態(tài)(見表34和表35 )。

ADuM3210/ADuM3211對外部磁場具有抗擾性。ADuM3210/ADuM3211的磁場抗擾度極限由以下條件設(shè)定:變壓器接收線圈中感應(yīng)的電壓足夠大,會錯誤地置位或復(fù)位解碼器。以下分析明確了這種情況發(fā)生的條件。對ADuM3210/ADuM3211在3V工作條件下進(jìn)行研究,因?yàn)檫@代表了該產(chǎn)品最敏感的工作模式。

變壓器輸出的脈沖幅度大于1.0 V 。解碼器的感應(yīng)閾值約為0.5 V ,因此確定了一個0.5 V的裕量,在此裕量內(nèi)感應(yīng)電壓可被容忍。接收線圈上感應(yīng)的電壓由下式給出:

image.png

其中:

  • β為磁通密度(高斯)。
  • **r_{n}**為接收線圈中第n匝的半徑(厘米)。
  • N為接收線圈的匝數(shù)。

考慮到ADuM3210/ADuM3211中接收線圈的幾何形狀,以及解碼器處感應(yīng)電壓最大為0.5 V (占0.5 V裕量的50% )的要求,可計算出給定頻率下的最大允許磁場。計算結(jié)果如圖13所示。
image.png

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