Analog Devices Inc. ADRF5162大功率單刀雙擲 (SPDT) 反射式硅開關(guān)是一款采用硅工藝制造的反射式開關(guān)。ADRF5162的工作頻率范圍為0.4GHz至8GHz，典型插入損耗為0.6dB，典型隔離為45dB。該器件插入損耗路徑具有平均功率45.5dBm、峰值功率50dBm的射頻 (RF) 輸入功率處理能力。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Analog Devices Inc. ADRF5162大功率硅SPDT反射開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

Analog Devices ADRF5162在+3.3V正電源上消耗130μA的低電流，在-3.3V負(fù)電源上消耗500μA的電流。該器件采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)/兼容低壓晶體管至晶體管邏輯 (LVTTL) 的控制。ADRF5162無需額外的驅(qū)動(dòng)器電路，因此非常適合用于替代基于GaN和PIN二極管的開關(guān)。

ADRF5162采用24引線、4.0mm × 4.0mm、符合RoHS指令的引線框架芯片級(jí)封裝 (LFCSP)，工作溫度范圍為-40°C至+105°C。

特性

• 0.4 GHz至8 GHz頻率范圍
• 低插入損耗：4GHz時(shí)為0.6dB（典型值）
• 高隔離：4GHz時(shí)為45dB（典型值）
• 高輸入線性度
  • 0.1dB功率壓縮點(diǎn) (P0.1dB)：50dBm
  • 三階交調(diào)截點(diǎn) (IP3)：>76dBm
• PIN ≤43dBm時(shí)的RF穩(wěn)定時(shí)間：1.2μs/0.1dB
• 無低頻雜散
• 正向控制兼容CMOS/LVTTL的接口
• 工作溫度范圍：-40 °C至+105 °C
• TCASE =+85°C時(shí)，具有高功率處理能力
  • 插入損耗路徑
    • 平均功率：45.5 dBm
    • 脈沖功率（>100ns脈沖寬度，15%占空比）：48.5dBm
    • 峰值功率（≤100ns峰值持續(xù)時(shí)間，5%占空比）：50dBm
  • RFC的熱開關(guān)功率：43dBm
• 24引線、4.0mm × 4.0mm LFCSP封裝
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

• 軍用無線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
• 測(cè)試和儀器儀表
• 替代GaN和PIN二極管

功能框圖