一

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的兩次遷移

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起源地為美國，美國迄今仍在IDM 模式（從設(shè)計、制造、封裝測試以及投向消費市場一條龍全包）及垂直分工模式中的半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計環(huán)節(jié)占據(jù)絕對主導(dǎo)地位，而存儲器、晶圓代工及封測等重資產(chǎn)、附加值相對低的環(huán)節(jié)陸續(xù)外遷。

由于半導(dǎo)體屬于技術(shù)及資本高度密集型行業(yè)，只有下游終端需求換代等重大機遇來臨時，新興地區(qū)通過技術(shù)引進、勞動力成本優(yōu)勢才有機會實現(xiàn)超越，推動產(chǎn)業(yè)鏈遷移。

第一次半導(dǎo)體遷移：發(fā)生在大型計算機時代，存儲器制造環(huán)節(jié)由美國向日本轉(zhuǎn)移。日本憑借規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)占據(jù)成本和可靠性優(yōu)勢，成為DRAM （動態(tài)隨機存取存儲器）主要供應(yīng)國。此次遷移對上游帶動作用明顯， 即便后期日本喪失存儲器優(yōu)勢，迄今仍在上游原材料、設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。

第二次半導(dǎo)體遷移：發(fā)生在PC 時代，PC 對DRAM 的訴求由可靠性轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛢r，韓國憑借勞動力優(yōu)勢取代日本的地位，至今仍主導(dǎo)存儲器市場。

與此同時，***首創(chuàng)垂直分工模式，逐步形成IC（集成電路）設(shè)計、晶圓代工、封測聯(lián)動的產(chǎn)業(yè)集群。隨著全球移動產(chǎn)品盛行、迭代速度更快，垂直分工模式以其更短的產(chǎn)品生命周期及更具競爭性的價格逐漸占據(jù)主導(dǎo)地位，長期引領(lǐng)全球圓晶代工、封測等環(huán)節(jié)。

二

大陸成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次遷移地

當(dāng)前為IOT（Internet of Things 物聯(lián)網(wǎng)） 等下一輪終端需求換代醞釀期，為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起創(chuàng)造機遇，并提供技術(shù)積累的時間窗口。預(yù)計未來五年半導(dǎo)體市場仍將由智能手機硅含量增加主導(dǎo)，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域為高增長亮點。

在手機領(lǐng)域，國產(chǎn)手機終端品牌話語權(quán)不斷增大，持續(xù)推動大陸電子產(chǎn)業(yè)向高端零部件拓展，對最為核心的芯片產(chǎn)業(yè)的帶動作用正逐漸彰顯。而IOT、汽車電子等新興產(chǎn)品對制程要求不高，主要聚焦于成熟制程，大陸半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)廠商已具備相應(yīng)能力，并與國際廠商同步布局。

基于此，判斷大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在國家政策資金重點扶持下，通過技術(shù)積累、及早布局，具備能力把握潛在需求換代機遇，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次遷移地。

1、國內(nèi)下游市場需求旺盛，IC 自給率提升空間大

中國是全球最大的半導(dǎo)體消費市場，半導(dǎo)體需求量全球占比由2000 年的7%攀升至2016 年的42%，成為全球半導(dǎo)體市場的增長引擎。然而，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與其龐大的市場需求并不匹配，IC 仍大程度依賴于進口。2016 年本土芯片自給率僅為25%，且預(yù)計未來三年自給率仍不到30%，國產(chǎn)IC 自給率仍有相當(dāng)大的提升空間。

2010-2019E本土芯片供應(yīng)與需求量對比（單位：十億美元）

資料來源：公開資料《2018-2024年中國半導(dǎo)體光電器件行業(yè)競爭態(tài)勢及投資戰(zhàn)略研究報告》

2、政策資金已到位，資源加速集中促成長

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)屬高度技術(shù)及資金密集型產(chǎn)業(yè)，需要國家層面在政策傾斜、資金補貼、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、人才獲取等多方位支持。為避免大陸IC 產(chǎn)業(yè)過度依賴進口，中國政府已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升至國家戰(zhàn)略高度，并針對設(shè)計、制造、封測各環(huán)節(jié)制定明確計劃。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）首期募資規(guī)模達1387.2 億元人民幣，截至2017 年9 月已進行55 余筆投資，承諾投資額已達1003 億元， 且二期募資正在醞釀中。同時由“大基金”撬動的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（包括籌建中）達 5145 億元，合計基金規(guī)模達6531 億元人民幣，引導(dǎo)中國大陸半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)能建設(shè)及研發(fā)進程加快，生產(chǎn)資源加速集中最終實現(xiàn)競爭力提升。

三

大陸半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈逐步規(guī)模化

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分為核心產(chǎn)業(yè)鏈、支撐產(chǎn)業(yè)鏈。核心產(chǎn)業(yè)鏈包括半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計、制造及封裝測試。支撐產(chǎn)業(yè)鏈則包括為設(shè)計環(huán)節(jié)服務(wù)的EDA（電子設(shè)計自動化）工具及IP 核供應(yīng)商、為制造封測環(huán)節(jié)服務(wù)的原材料及設(shè)備供應(yīng)商。

半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)鏈由歐美日本壟斷，大陸廠商與國際龍頭技術(shù)及規(guī)模差距甚大。EDA 工具環(huán)節(jié)由美國絕對主導(dǎo)，IP 核由英美兩國主導(dǎo)，大陸企業(yè)在此領(lǐng)域涉足甚少。原材料由日本主導(dǎo)，大陸企業(yè)在靶材、拋光液個別領(lǐng)域已達國際水平，但在硅片、光罩、光刻膠等核心領(lǐng)域仍有較大差距。設(shè)備環(huán)節(jié)仍主要由歐美、日本壟斷，大陸企業(yè)在MOCVD 等個別細分領(lǐng)域有所突破。

大陸半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)正逐步規(guī)模化，陸續(xù)誕生躋身全球前十的龍頭廠商。

半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)大陸龍頭與全球龍頭企業(yè)平均凈利率對比

根據(jù)公開資料整理

中國IC設(shè)計市場規(guī)模及其占比（單位：十億美元）

根據(jù)公開資料整理

四

率先突破微笑曲線底部封測，晶圓代工為下一機會所在

不同于傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)微笑曲線“產(chǎn)品設(shè)計—制造—銷售”，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中由IC 設(shè)計商同時負責(zé)IC 設(shè)計及營銷服務(wù)，由晶圓代工廠負責(zé)晶圓工藝研發(fā)及制造，因此微笑曲線路徑為“IC 設(shè)計—晶圓代工—封測—IC 設(shè)計”。

IC 設(shè)計環(huán)節(jié)輕資產(chǎn)，同時具備技術(shù)壁壘及渠道壁壘，附加值最高

晶圓代工環(huán)節(jié)重資產(chǎn)，技術(shù)壁壘較高，附加值較高

封測環(huán)節(jié)重資產(chǎn)，技術(shù)壁壘相對低，附加值相對低

經(jīng)測算，IC 設(shè)計、晶圓代工、封測環(huán)節(jié)全球前十大廠商平均ROE 水平與微笑曲線路徑基本吻合。微笑曲線底部封測環(huán)節(jié)ROE 最低為12%，曲線中部晶圓代工環(huán)節(jié)ROE 居中為15%，曲線頂部IC 設(shè)計環(huán)節(jié)ROE 最高達21%。

根據(jù)公開資料整理

大陸已率先突破微笑曲線底部封測環(huán)節(jié)，伴隨著封測業(yè)盈利質(zhì)量提升拐點來臨。判斷，大陸半導(dǎo)體崛起將沿著微笑曲線由底部向兩端發(fā)展，封測之后的下一突破口便是晶圓代工。IC 制造為當(dāng)前國家政策重點支持環(huán)節(jié)， 在一期大基金承諾投資額占比高達63%。期待大陸晶圓代工企業(yè)在獲取資本支持后，加快縮小與國際領(lǐng)先者的技術(shù)差距，依托本土高速成長的IC 設(shè)計需求，盡快實現(xiàn)盈利質(zhì)量提升。

截至2017年11月30日大基金一期各產(chǎn)業(yè)鏈的承諾投資額占比

根據(jù)公開資料整理

大基金相繼投資中芯國際、三安光電、士蘭微、長江存儲、耐威科技、華虹半導(dǎo)體附：

2017-2018半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融資案例