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中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛,有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

SwM2_ChinaAET ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-04-18 09:12 ? 次閱讀
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當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片主要為韓美日三國(guó)所占有,中國(guó)的三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華近期紛紛開(kāi)始安裝機(jī)臺(tái)預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,這將有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面。

存儲(chǔ)芯片主要有NAND flash、DRAM,在全球NAND flash市場(chǎng)份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士,市場(chǎng)份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%;在DRAM市場(chǎng)份額前三名分別為三星、SK海力士、美光,市場(chǎng)份額分別為45%、28%、21%。

由上可見(jiàn),全球存儲(chǔ)芯片一哥無(wú)疑是三星,其在NAND flash和DRAM市場(chǎng)均占據(jù)優(yōu)勢(shì)的市場(chǎng)份額,而按國(guó)家來(lái)說(shuō)韓國(guó)是全球存儲(chǔ)芯片的龍頭,擁有三星和SK海力士?jī)纱蟠鎯?chǔ)芯片企業(yè)。

中國(guó)是全球最大制造國(guó),對(duì)存儲(chǔ)芯片有巨大需求,中國(guó)采購(gòu)的存儲(chǔ)芯片占全球約兩成比例,近兩年全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲對(duì)中國(guó)產(chǎn)生了巨大影響,導(dǎo)致本來(lái)就利潤(rùn)微薄的行業(yè)飽受其苦,要打破這種局面發(fā)展自己的存儲(chǔ)芯片無(wú)疑是最好的辦法,正是在這種背景下,中國(guó)開(kāi)始積極發(fā)展自己的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)。

在之前國(guó)內(nèi)按集成電路產(chǎn)業(yè)的分類(lèi),全國(guó)的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)“三超多強(qiáng)”。即北京、上海、深圳為“三超”,蘇州、無(wú)錫、成都、西安、武漢為“多強(qiáng)”。上述人士回憶,當(dāng)時(shí)北上深依托“中芯國(guó)際”和“海思”成為三強(qiáng)。而無(wú)錫、上海一帶則有908、902工程作依托,成都有封測(cè)產(chǎn)業(yè),西安還有三星的制造業(yè)基地,武漢則憑借著武漢新芯成為多強(qiáng)之一。

國(guó)內(nèi)的內(nèi)存還是閃存產(chǎn)品在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局上,基本均被韓國(guó)、日本、美國(guó)等國(guó)壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域,三星、海力士及美光(它于2012年兼并日本的爾必達(dá))為行業(yè)龍頭,在NAND領(lǐng)域,也由三星、東芝、新帝,海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話(huà)語(yǔ)權(quán)。

反觀國(guó)內(nèi),企業(yè)在存儲(chǔ)領(lǐng)域既沒(méi)有技術(shù)優(yōu)勢(shì),也沒(méi)有生產(chǎn)規(guī)模,每年進(jìn)口的芯片金額高達(dá)2500億美元,在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零。“在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中,韓美日廠商幾乎壟斷了全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)?!鄙鲜鋈耸恳脖硎緹o(wú)奈。

現(xiàn)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華擔(dān)起了這個(gè)重任,共同發(fā)力,長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要發(fā)展NAND flash,合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華主要發(fā)展DRAM,三家企業(yè)在去年底實(shí)現(xiàn)了廠房封頂,近期開(kāi)始陸續(xù)搬入機(jī)臺(tái)等生產(chǎn)設(shè)備,按計(jì)劃它們今年下半年將開(kāi)始試產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。

當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,把技術(shù)差距盡量縮短到兩年以?xún)?nèi)來(lái)。

合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華兩家公司計(jì)劃將要投產(chǎn)DRAM,韓國(guó)三星當(dāng)下已開(kāi)始采用18nm工藝生產(chǎn)DRAM,并正研發(fā)更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華在投產(chǎn)后預(yù)計(jì)在工藝方面較這些存儲(chǔ)芯片巨頭還有較大差距,在正式投產(chǎn)后還將面臨著良率問(wèn)題等,需要時(shí)間。

值得驚喜的關(guān)注,北京兆易創(chuàng)新公司,他們?cè)贒RAM技術(shù)上取得了突破,其也與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)達(dá)成了合作協(xié)議,計(jì)劃投資180億元,采用19nm工藝生產(chǎn)來(lái)存儲(chǔ)芯片,預(yù)計(jì)今年底前將投入生產(chǎn),不過(guò)它產(chǎn)品良率不高,表示今年計(jì)劃達(dá)到10%,這說(shuō)明了生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片是面臨著很多的技術(shù)難題,只是良率方面就是一座大山難以跨越。

對(duì)于中國(guó)龐大的制造業(yè),即使是中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)他們?cè)诔跗谠诩夹g(shù)方面步伐有些落后,但是我國(guó)對(duì)低端存儲(chǔ)芯片依然有強(qiáng)烈需求,這為中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)提供了發(fā)展的沃土,它們終將趕上韓美日存儲(chǔ)芯片企業(yè),中國(guó)的許多那么多產(chǎn)業(yè)不就是從低端做起,從無(wú)到有,從有再到強(qiáng)的發(fā)展軌跡嗎?

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原文標(biāo)題:【今日頭條】中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛,打破美日韓獨(dú)裁局面

文章出處:【微信號(hào):ChinaAET,微信公眾號(hào):電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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