概述
DS3922高速電流鏡集成了在雪崩光電二極管(APD)偏置和OLT應(yīng)用中監(jiān)控突發(fā)模式接收功率信號所需的高壓器件。該器件具有兩個小增益電流鏡輸出和一個大增益電流鏡輸出，用于監(jiān)控APD電流?？烧{(diào)電流箝位可限制通過APD的電流。該箝位還具有外部關(guān)斷功能。還提供了集成FET，可用于在高光輸入功率的情況下將高壓偏置快速箝位至地。集成低壓FET電路可用于創(chuàng)建降壓、升壓和反相DC-DC轉(zhuǎn)換器，以實現(xiàn)高效的激光偏置和EML偏置應(yīng)用。

DS3922采用24引腳TQFN封裝，在擴展的-40°C至+95°C溫度范圍內(nèi)工作。
數(shù)據(jù)表：*附件：DS3922用于DC-DC控制器的高速電流鏡和集成FET技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 10G EPON
• 10GPON OLT
• 雪崩光電二極管(APD)監(jiān)控
• EML偏置
• GPON OLT

特性

• 通過兩個電流鏡輸出進行準確的突發(fā)模式RSSI測量，可提高動態(tài)范圍
  • -32dBm至-5dBm光輸入范圍
  • ±0.5dB精度
  • 采樣周期短至300ns
  • 引腳放電選項
• 具有關(guān)斷選項的低噪聲APD偏置可降低接收器靈敏度
  • 15V至76V APD偏置
  • 用于APD電壓濾波器受控RC時間常數(shù)的外部電容連接
  • 具有可調(diào)限制的電流箝位和具有限制狀態(tài)的外部關(guān)斷功能
  • 用于APD快速關(guān)斷的高壓開關(guān)FET
• 支持附加DC-DC功能
  • 用于高效DFB偏置的低壓同步降壓FET
  • 用于為EML生成負偏置電壓的低壓pMOSFET
• 小封裝降低了總體解決方案尺寸和成本
  • 帶裸露焊盤的3.5mm x 3.5mm、24引腳TQFN封裝

框圖

典型操作特性

引腳配置描述

應(yīng)用電路