第二十一屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)于2025年4月23日至5月2日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦。作為全球汽車行業(yè)技術(shù)與市場(chǎng)的重要風(fēng)向標(biāo),本屆車展吸引了眾多行業(yè)巨頭展示前沿成果。
車展期間,中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)電子報(bào)于2025年4月25日下午,在2025上海國(guó)際車展“中國(guó)芯”展區(qū)舉行“2025中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果”頒獎(jiǎng)儀式,上海貝嶺憑借發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火IGBT BLG3040產(chǎn)品榮獲2025年度影響力汽車芯片,技術(shù)硬實(shí)力再獲認(rèn)證。該獎(jiǎng)項(xiàng)面向已量產(chǎn)應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)汽車芯片產(chǎn)品設(shè)立,產(chǎn)品應(yīng)具有一定的技術(shù)先進(jìn)性和創(chuàng)新性、優(yōu)異的市場(chǎng)表現(xiàn)和廣泛的客戶群體。
同期,上海貝嶺參加2025上海車展華大半導(dǎo)體8BC006展臺(tái)舉辦的“芯”能躍動(dòng),“晶”造未來-車芯技術(shù)發(fā)布會(huì),上海貝嶺汽車電子市場(chǎng)經(jīng)理張飛向來訪嘉賓介紹車芯產(chǎn)業(yè)布局與技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)。
貝嶺汽車電子產(chǎn)品推薦
01發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火IGBT 系列產(chǎn)品:BLG3040 / BLQG3040A / BLQG5036 / BLQG3040E等
產(chǎn)品特點(diǎn):低導(dǎo)通損耗,增強(qiáng) SCIS 能力,其內(nèi)部集成的二極管可以提供電壓箝位,而無需外部元件
應(yīng)用:發(fā)動(dòng)機(jī)ECU,點(diǎn)火線圈等
02線性恒流LED車燈驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品:MEDS92630 / MEDS7610
產(chǎn)品特點(diǎn):三通道/一通道,具有模擬和PWM 調(diào)光控制功能,全面故障檢測(cè)和內(nèi)置保護(hù)功能
應(yīng)用:尾燈,日間行車燈、駐車燈、霧燈、位置燈、車內(nèi)照明等
03車規(guī)級(jí)650V,1200V IGBT產(chǎn)品及其配套預(yù)驅(qū)系列:BLQG50T65 / BLQ40T120,預(yù)驅(qū)SAQ3101 , HSA6881
產(chǎn)品特點(diǎn):IGBT采用先進(jìn)的溝槽場(chǎng)停止(T-FS)技術(shù),該技術(shù)具有低VCE(sat)、優(yōu)化的開關(guān)性能和低柵極電荷Qg的特點(diǎn)
應(yīng)用:汽車空調(diào)電子壓縮機(jī),PTC加熱模塊,OBC
04車規(guī)級(jí)特高壓MOSFETs系列產(chǎn)品:BLQ4N80 / BLQ3N100E / BLQ3N120
產(chǎn)品特點(diǎn):硅基N溝道增強(qiáng)型MOSFETs,耐壓分別高達(dá)800V/1000V/1200V,采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù),可降低導(dǎo)通損耗、提高開關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量
應(yīng)用:BMS、車載輔助電源、主驅(qū)電子泄放開關(guān)等
05EEPROM存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品:BL24C02 /04 /08 /16 /32 /64 /128 /256 /512
產(chǎn)品特點(diǎn):支持100萬次擦寫壽命、100年數(shù)據(jù)保留時(shí)間、I2C接口速率高達(dá)1Mbps,具有高可靠性、長(zhǎng)壽命和高速率的特點(diǎn)。此外,存儲(chǔ)容量從2kb到512kb已實(shí)現(xiàn)系列化,并支持SOP8、TSSOP8、UDFN、SOT23-5等多種封裝形式,方便用戶自由選擇
應(yīng)用:車載攝像頭、空調(diào)、車燈、智能座艙、汽車儀表、BMS等
06車規(guī)級(jí)IGBT晶圓系列產(chǎn)品及其配套FRD晶圓:BLQG275T75F / BLQG200T120,F(xiàn)RD晶圓BLQF275N75/ BLK105N120
產(chǎn)品特點(diǎn):該IGBT晶圓采用先進(jìn)的溝槽場(chǎng)截止(T-FS)技術(shù),具有低VCE(sat)和優(yōu)化的開關(guān)性能的特點(diǎn)。支持多芯片模塊化封裝,方便用戶靈活配置
應(yīng)用:新能源汽車電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)器等
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IGBT
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原文標(biāo)題:上海貝嶺榮獲2025年度影響力汽車芯片獎(jiǎng),硬核實(shí)力再獲認(rèn)證
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