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TPS51100 3A 拉/灌 DDR 端接穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-04-29 17:15 ? 次閱讀
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TPS51100 是一款 3A 灌電流/拉電流跟蹤終端穩(wěn)壓器。該設(shè)備是 專為空間有限的低成本、低外部元件數(shù)系統(tǒng)而設(shè)計 獎賞。

該TPS51100保持快速瞬態(tài)響應(yīng),僅需 20 μF(2 × 10 μF)的 陶瓷輸出電容。TPS51100 支持遙感功能和所有功能 需要根據(jù) JEDEC 規(guī)范為 DDR 和 DDR2 VTT 總線終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接,VDDQ 電壓為 1.5 V(典型值)。此外,TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z(暫停到 RAM)和軟關(guān)閉 對于 S5 中的 VTT 和 VTTREF(掛起到磁盤)。TPS51100 的熱效率 10 引腳 MSOP PowerPAD? 封裝,額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
*附件:tps51100.pdf

特性

  • 輸入電壓范圍:4.75 V 至 5.25 V
  • VLDOIN 電壓范圍:1.2 V 至 3.6 V
  • 3A 灌電流/拉電流端接穩(wěn)壓器
    包括壓降補償
  • 僅需 20μF 陶瓷輸出
    電容
  • 支持 S3 中的 Hi-Z 和 S5 中的 Soft-Off
  • 1.2V 輸入 (VLDOIN) 有助于降低總
    功耗
  • 集成分頻器可跟蹤 VTT 和 VTTREF 的
    0.5 VDDQSNS
  • 遙感 (VTTSNS)
  • VTT 和 VTTREF 的精度為 ±20mV
  • 10mA 緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
  • 內(nèi)置軟啟動、UVLO 和 OCL
  • 熱關(guān)斷
  • 支持 JEDEC 規(guī)范

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、概述

TPS51100是一款專為DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計的3A源/匯跟蹤終端調(diào)節(jié)器。它集成了高性能、低壓差線性調(diào)節(jié)器(LDO),能夠提供快速的瞬態(tài)響應(yīng),并支持JEDEC規(guī)范。TPS51100適用于需要低成本和低外部組件數(shù)的系統(tǒng),如筆記本電腦

二、核心特性

1. 源/匯能力

  • ?3A電流能力?:TPS51100能夠源出或吸入高達3A的電流,滿足DDR內(nèi)存系統(tǒng)的需求。
  • ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?:采用快速響應(yīng)反饋回路,即使在小陶瓷電容下也能保持對VTTREF的跟蹤在±40mV以內(nèi)。

2. VTTREF緩沖參考輸出

  • ?10mA輸出能力?:VTTREF塊包含一個1/2分壓器、低通濾波器(LPF)和緩沖器,能夠提供高達10mA的源電流。
  • ?穩(wěn)定操作?:通過0.1μF陶瓷電容旁路到GND,確保VTTREF的穩(wěn)定輸出。

3. 控制與保護功能

  • ?S3和S5控制?:支持S3(suspend to RAM)和S5(suspend to disk)狀態(tài)控制,將VTT置于高阻態(tài)或軟關(guān)閉狀態(tài)。
  • ?軟啟動?:通過電流鉗位實現(xiàn)軟啟動功能,避免啟動時的浪涌電流。
  • ?過流保護?:具有恒定的過流限制(OCL),在異常情況下保護LDO。
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:監(jiān)測VIN電壓,當(dāng)電壓低于閾值時關(guān)閉VTT調(diào)節(jié)器。
  • ?熱關(guān)機?:監(jiān)測IC溫度,超過閾值時關(guān)閉VTT和VTTREF調(diào)節(jié)器。

4. 低外部組件需求

  • ?僅需20μF陶瓷輸出電容?:簡化設(shè)計,減少板上空間占用。
  • ?遠程感應(yīng)?:提供VTTSNS引腳,實現(xiàn)遠程感應(yīng)功能,以最小化布線電阻的影響。

三、應(yīng)用

  • ?DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存系統(tǒng)?:為DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存提供VTT總線終止電壓。
  • ?SSTL-2、SSTL-18和HSTL終止?:支持多種信號標(biāo)準(zhǔn)的終止。

四、封裝與尺寸

  • ?封裝?:采用10引腳MSOP PowerPAD?封裝,尺寸為3.00mm x 3.00mm。
  • ?熱效率?:PowerPAD封裝提供良好的熱傳導(dǎo)性能,有助于散熱。

五、設(shè)計指南

  • ?電容選擇?:推薦在VTT輸出端使用兩個并聯(lián)的10μF陶瓷電容,以最小化ESR和ESL的影響。
  • ?布局建議?:提供詳細的布局指南,包括電容放置、感應(yīng)引腳連接等,以確保最佳性能。
  • ?熱設(shè)計?:討論了熱考慮因素,包括功率耗散計算和熱阻對布局的影響。

六、文檔支持

  • 提供數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南、技術(shù)文檔和軟件工具,幫助用戶進行設(shè)計、驗證和測試。

七、注意事項

  • 在設(shè)計和使用過程中,需嚴(yán)格遵守絕對最大額定值和推薦工作條件。
  • 注意處理靜電敏感器件,防止靜電損壞。
  • 在實際應(yīng)用中,需根據(jù)具體需求進行電容選擇和布局設(shè)計,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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