TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。

TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應，并且只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
*附件：tps51200-q1.pdf

此外，TPS51200-Q1 器件提供漏極開路 PGOOD 信號以監(jiān)控輸出調(diào)節(jié)，并提供可用于在 S3（掛起至 RAM）期間對 DDR 應用的 VTT 放電的 EN 信號。

TPS51200-Q1 器件采用熱效率高的 VSON-10 封裝，具有綠色和無鉛兩種等級。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

• 適用于汽車應用
• AEC-Q100 測試指南，結(jié)果如下：
  • 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 輸入電壓：支持 2.5V 軌和 3.3V 軌
• VLDOIN 電壓范圍：1.1 V 至 3.5 V
• 灌電流 / 拉電流終端穩(wěn)壓器包括壓降補償
• 對于存儲器終端應用 （DDR），需要 20μF 的最小輸出電容（通常為 3 × 10μF MLCC）
• PGOOD 監(jiān)控輸出調(diào)節(jié)
• EN 輸入
• REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤
• 遙感 （VOSNS）
• ±10mA 緩沖基準 （REFOUT）
• 內(nèi)置軟啟動、UVLO 和 OCL
• 熱關斷
• 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規(guī)范;支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應用
• VSON-10 封裝，帶外露導熱墊

參數(shù)

1. 產(chǎn)品概述

• ?名稱?：TPS51200-Q1
• ?類型?：DDR終止調(diào)節(jié)器
• ?應用?：汽車、筆記本、臺式機、服務器、電信設備、LCD-TV、PDP-TV、復印機、打印機、機頂盒等
• ?特點?：支持2.5V和3.3V輸入電壓，具有VLDOIN電壓范圍1.1V至3.5V，包含下拉和上拉調(diào)節(jié)功能，具備遠程感測功能，提供PGOOD輸出和EN輸入，內(nèi)置軟啟動、UVLO和OCL保護，支持DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT應用。

2. 主要規(guī)格

• ?輸入電壓?：2.5V至3.6V
• ?VLDOIN電壓范圍?：1.1V至3.5V
• ?輸出電流?：源/沉電流限制為3A/4.5A
• ?PGOOD閾值?：±20% REFOUT
• ?REFOUT電壓?：0.6V至1.8V，可緩沖±10mA
• ?封裝?：VSON-10，帶裸露熱焊盤
• ?操作溫度范圍?：-40°C至125°C

3. 功能特性

• ?源/沉調(diào)節(jié)器?：集成高性能LDO線性調(diào)節(jié)器，支持快速負載瞬態(tài)響應。
• ?參考輸入?：REFIN引腳可通過外部電壓分壓器或直接連接VDDQ總線來設置。
• ?參考輸出?：REFOUT引腳生成DDR VTT參考電壓，支持源/沉負載。
• ?軟啟動?：通過電流鉗實現(xiàn)VO引腳的軟啟動功能。
• ?使能控制?：EN引腳控制VO調(diào)節(jié)器的開關。
• ?電源良好指示?：PGOOD引腳在VO輸出穩(wěn)定時輸出高電平。
• ?過流保護?：LDO具有恒定過流限制。
• ?欠壓鎖定?：監(jiān)測VIN電壓，低于閾值時關閉VO和REFOUT調(diào)節(jié)器。
• ?熱關斷?：監(jiān)測結(jié)溫，超過閾值時關閉VO和REFOUT調(diào)節(jié)器。

4. 應用指南

• ?典型應用?：用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT電源軌。
• ?設計考慮?：包括VIN和VLDOIN電容選擇、輸出電容配置、輸出容差考慮等。
• ?設計示例?：提供了多個設計示例，包括3.3V IN DDR2配置、3.3V IN DDR3配置、2.5V IN DDR3配置等。

5. 布局建議

• ?輸入電容?：應盡可能靠近VIN引腳放置。
• ?輸出電容?：應盡可能靠近VO引腳放置，總電容需大于20μF。
• ?VOSNS引腳?：應連接到輸出電容的正極，作為單獨的跡線。
• ?熱焊盤?：應連接到地平面，并通過多個過孔實現(xiàn)良好的熱散逸。

6. 熱考慮

• ?功率耗散?：根據(jù)源/沉電流和電壓差計算。
• ?熱阻?：從結(jié)到環(huán)境的熱阻為52.7°C/W。
• ?熱管理?：使用較大的熱焊盤和增加過孔數(shù)量以降低熱阻。

7. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：VSON-10，帶裸露熱焊盤
• ?引腳數(shù)量?：10
• ?環(huán)保計劃?：符合RoHS標準，無鉛
• ?樣品可用性?：提供樣品

8. 文檔支持

• ?相關文檔?：TPS51200-EVM用戶指南
• ?社區(qū)資源?：TI E2E在線社區(qū)，提供技術(shù)支持和設計幫助

9. 注意事項

• 在處理靜電敏感器件時，應采取適當?shù)撵o電防護措施。
• 設計時應遵循布局和接地指南，以確保最佳性能。