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TPS51206 2A 峰值灌電流 / 拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器,帶有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-28 10:04 ? 次閱讀
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TPS51206 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,具有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)輸出。它專為空間是關(guān)鍵考慮因素的低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。該器件可保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流能力為 ±2A 峰值。該器件支持所有 DDR 電源狀態(tài),在 S3 狀態(tài)下將 VTT 置于高阻態(tài)(掛起到 RAM),并在 S4 或 S5 狀態(tài)下將 VTT 和 VTTREF 放電(掛起到磁盤)。
*附件:tps51206.pdf

TPS51206 器件采用 10 引腳、2 mm × 2 mm SON (DSQ) PowerPAD? 封裝,額定溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

  • 電源輸入電壓:支持 3.3V 軌和 5V 軌
  • VLDOIN 輸入電壓范圍:VTT+0.4 V 至 3.5 V
  • VTT 終端穩(wěn)壓器
    • 輸出電壓范圍:0.5 V 至 0.9 V
    • 2A 峰值灌電流和拉電流
    • 僅需 10μF MLCC 輸出電容器
    • ±20 mV 精度
  • VTTREF 緩沖參考
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌電流和拉電流
  • 通過 S3 和 S5 輸入支持 S3 中的高阻態(tài)和 S4 和 S5 中的軟停止
  • 過熱保護(hù)
  • 10 引腳、2 mm × 2 mm SON (DSQ) 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?型號(hào)?:TPS51206
  • ?類型?:DDR終止調(diào)節(jié)器
  • ?功能?:提供VTT和VTTREF輸出,支持DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內(nèi)存電源供應(yīng)

2. 主要特性

  • ?輸入電壓范圍?:支持3.3V和5V供電
  • ?輸出特性?:
    • VTT輸出:0.5V至0.9V,±2A峰值源/匯電流
    • VTTREF輸出:VDDQ/2 ±1%準(zhǔn)確度,10mA源/匯電流
  • ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?:僅需10μF陶瓷輸出電容
  • ?遠(yuǎn)程感應(yīng)功能?:通過VTTSNS引腳實(shí)現(xiàn)
  • ?高阻抗?fàn)顟B(tài)?:S3狀態(tài)下VTT輸出置為高阻態(tài)
  • ?軟停止功能?:S4和S5狀態(tài)下放電VTT和VTTREF至GND
  • ?過熱保護(hù)?:超過150°C時(shí)自動(dòng)關(guān)閉

3. 應(yīng)用

  • ?主要應(yīng)用?:
    • DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內(nèi)存電源供應(yīng)
    • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL終止
    • 電信和數(shù)據(jù)通信、GSM基站、液晶電視、等離子電視、復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、機(jī)頂盒

4. 功能描述

  • ?VTT源/匯調(diào)節(jié)器?:集成高性能、低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器,快速響應(yīng)跟蹤?VDDQSNS
  • ?VTTREF?:提供VDDQ/2的緩沖參考輸出,具有±1%準(zhǔn)確度
  • ?VDD欠壓鎖定保護(hù)?:當(dāng)VDD電壓低于閾值時(shí),關(guān)閉VTT和VTTREF
  • ?VTT電流限制?:超過2A時(shí)限制電流,VTT電壓失調(diào)
  • ?過熱保護(hù)?:內(nèi)部溫度監(jiān)測(cè),超過閾值時(shí)關(guān)閉VTT和VTTREF

5. 電氣特性

  • ?工作結(jié)溫范圍?:-40°C至105°C
  • ?VDD供電電流?:S0狀態(tài)下典型值為170μA,S3狀態(tài)下典型值為80μA
  • ?VLDOIN供電電流?:S0狀態(tài)下典型值為5μA,S3狀態(tài)下典型值為5μA
  • ?VTTREF輸出電壓?:VDDQSNS/2,容差±1%
  • ?VTT輸出電壓?:VDDQSNS/2,容差±20mV至±40mV(根據(jù)負(fù)載電流)

6. 封裝與訂購(gòu)信息

  • ?封裝類型?:10引腳、2mm x 2mm SON(DSQ)PowerPAD封裝
  • ?溫度范圍?:商業(yè)級(jí)(-40°C至105°C)

7. 布局與電源建議

  • ?布局指南?:
    • 輸入旁路電容應(yīng)盡可能靠近VDD引腳
    • VTT輸出電容應(yīng)靠近VTT和PGND引腳
    • VTTSNS引腳應(yīng)連接到VTT輸出電容的正極,作為獨(dú)立的高電流路徑
  • ?電源建議?:推薦使用X5R或更好等級(jí)的陶瓷電容

8. 社區(qū)資源與支持

  • 提供TI社區(qū)資源鏈接,包括E2E在線社區(qū)和設(shè)計(jì)支持工具

9. 注意事項(xiàng)

  • 使用前請(qǐng)仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊(cè),確保產(chǎn)品符合應(yīng)用需求
  • 遵循推薦的布局和電源建議,以確保最佳性能
  • 注意靜電放電(ESD)防護(hù),避免損壞集成電路
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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