概述
HMC1058是一款次諧波MMIC混頻器。 它可用作上變頻器或下變頻器，IF端口頻率范圍為DC至12 GHz，RF端口頻率范圍為71 GHz至86 GHz。 此款無(wú)源MMIC混頻器采用GaAs Shottky二極管技術(shù)制造。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過(guò)Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測(cè)得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC1058 71-86GHz次諧波混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• E波段通信系統(tǒng)
• 測(cè)試設(shè)備和傳感器
• 軍用最終用途
• 汽車?yán)走_(dá)

特性

• 無(wú)源： 無(wú)需直流偏置
• 低LO功率： 9 dBm
• 高LO/RF隔離： 28 dB
• 高2LO/RF隔離： 43 dB
• 寬IF帶寬： DC至12 GHz
• 上變頻和下變頻應(yīng)用
• 裸片尺寸： 1.15 x 0.97 x 0.1 mm

框圖

電氣規(guī)格

外形圖

焊盤描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術(shù)

芯片應(yīng)通過(guò)共晶方式或使用導(dǎo)電環(huán)氧直接連接到接地層（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說(shuō)明 ）。建議使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線，用于芯片的射頻信號(hào)傳輸（圖1）。若使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，則芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。一種實(shí)現(xiàn)方法是先附著0.102毫米（4密耳）厚的芯片，再加上0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片），然后將其連接到接地層（圖2）。

為了縮短鍵合線長(zhǎng)度，微帶襯底應(yīng)盡可能靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076 - 0.152毫米（3 - 6密耳）。

操作注意事項(xiàng)

遵循以下預(yù)防措施，以免造成永久性損壞：

• 存儲(chǔ) ：所有裸芯片應(yīng)放置在基于醚華夫格或凝膠的靜電防護(hù)容器中，然后密封在靜電防護(hù)袋中運(yùn)輸。靜電防護(hù)袋一旦打開，所有芯片應(yīng)存放在干燥的氮?dú)猸h(huán)境中。
• 清潔度 ：在清潔環(huán)境中操作芯片，請(qǐng)勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護(hù)措施，防止靜電沖擊（> ±250V靜電沖擊）。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時(shí)，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號(hào)線和偏置電纜，以減少電感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作芯片。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請(qǐng)勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預(yù)制件或?qū)щ姯h(huán)氧進(jìn)行貼裝。貼裝表面應(yīng)清潔平整。

• 共晶芯片貼裝 ：推薦使用80/20的金錫預(yù)制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10的氮?dú)浠旌蠚怏w時(shí)，工具尖端溫度應(yīng)為290°C。請(qǐng)勿使芯片暴露在高于320°C的溫度下超過(guò)20秒，貼裝過(guò)程中擦拭時(shí)間不得超過(guò)3秒。
• 環(huán)氧貼裝 ：在貼裝表面涂抹少量環(huán)氧，確保芯片放置到位后，其周邊能形成一圈薄環(huán)氧邊。按制造商的固化時(shí)間表固化環(huán)氧。

引線鍵合

使用直徑0.025毫米（1密耳）的純金線進(jìn)行球鍵合或楔鍵合。熱壓超聲鍵合時(shí)，推薦使用的典型工作臺(tái)溫度為150°C，球鍵合壓力為40 - 50克，楔鍵合壓力為18 - 22克。使用最小限度的超聲波能量，以實(shí)現(xiàn)可靠鍵合。鍵合從芯片開始，在封裝或襯底上結(jié)束。所有鍵合線應(yīng)盡可能短，長(zhǎng)度小于0.31毫米（12密耳）。