國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（International IC & Component Exhibition and Conference, 簡(jiǎn)稱: IIC）將于2025年3月27日～28日在上海金茂君悅大酒店（上海浦東新區(qū)世紀(jì)大道88號(hào)金茂大廈）舉辦，展位號(hào)：B05。本次大會(huì)聚焦綠色能源生態(tài)發(fā)展、中國(guó)IC設(shè)計(jì)創(chuàng)新、EDA/IP、MCU技術(shù)與應(yīng)用、高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)等領(lǐng)域，涵蓋產(chǎn)品和技術(shù)展示、企業(yè)新品發(fā)布、高端峰會(huì)論壇、技術(shù)研討、產(chǎn)業(yè)人才交流、業(yè)界年度重磅獎(jiǎng)項(xiàng)揭曉等多維度活動(dòng)內(nèi)容。

屆時(shí)，我司工業(yè)市場(chǎng)經(jīng)理康博將為大家?guī)?lái)以“功率半導(dǎo)體方案賦能高效可靠光儲(chǔ)系統(tǒng)”為主題的演講。

推薦產(chǎn)品

BLG40T120FDK5

BLG40T120FDK5是一款電壓等級(jí)為1200V、電流為40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微溝槽多層場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，具有開(kāi)關(guān)速度快、關(guān)斷損耗小、導(dǎo)通電壓低等特點(diǎn)，可滿足客戶高效率設(shè)計(jì)要求；終端采用了電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求。適用于光伏逆變，PCS，開(kāi)關(guān)電源逆變器，工業(yè)焊機(jī)等高頻應(yīng)用。

BLG40T120FDL5

BLG40T120FDL5是一款電壓等級(jí)為1200V、電流為40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微溝槽多層場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)了更好的輸出特性；cell設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，可以達(dá)到10us以上的短路耐受時(shí)間；終端采用了電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、低導(dǎo)通損耗，強(qiáng)短路能力的設(shè)計(jì)要求。適用于通用變頻器，三相全橋逆變等應(yīng)用。

BLG80T65FDK7

BLG80T65FDK7是一款電壓等級(jí)為650V、電流為80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，具有開(kāi)關(guān)速度快、關(guān)斷損耗小、導(dǎo)通電壓低等特點(diǎn)，可滿足客戶高效率設(shè)計(jì)要求；終端采用了電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求。適用于充電樁，工業(yè)焊機(jī)等高頻應(yīng)用。

BLG80T65FDL7

BLG80T65FDL7是一款電壓等級(jí)為650V、電流為80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，具有導(dǎo)通電壓低，短路性能強(qiáng)等特點(diǎn)，終端采用了電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設(shè)計(jì)要求。適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，通用驅(qū)動(dòng)，通用變頻器等有短路要求的應(yīng)用。

BLQG160T75FDL7

BLQG160T75FDL7是一款電壓等級(jí)為750V、電流為160A的車(chē)規(guī)級(jí)Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，具有導(dǎo)通電壓低，短路性能強(qiáng)等特點(diǎn)，終端采用了電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設(shè)計(jì)要求。適用于通用驅(qū)動(dòng)，工業(yè)、農(nóng)業(yè)車(chē)主驅(qū)等有短路要求的應(yīng)用。

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款電壓等級(jí)為750V、電流為820A的車(chē)規(guī)級(jí)Trench FS IGBT模塊，采用HPD封裝形式。IGBT芯片采用了第七代微溝槽多層場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更好的輸出特性；優(yōu)化了cell設(shè)計(jì)，改善了IGBT的短路能力，在50-400V不同母線電壓，0.75-20Ω不同電阻條件下，均無(wú)震蕩現(xiàn)象；終端采用了電場(chǎng)優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設(shè)計(jì)要求。適用于電動(dòng)或者混動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變回路。

BLC13N120

BLC13N120是一款電壓等級(jí)為1200V、導(dǎo)通電阻為13mohm的N溝道增強(qiáng)型平面SiC MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓和低柵極電荷等優(yōu)點(diǎn)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)越。在固態(tài)斷路器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器以及諧振拓?fù)涞葢?yīng)用中廣泛使用。

BLCMF011N120DG2

BLCMF011N120DG2是一款電壓等級(jí)為1200V、導(dǎo)通電阻為11mohm的SiC MOSFET模塊，該模塊采用緊湊的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，支持高頻開(kāi)關(guān)，在高效轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，憑借SiC材料的優(yōu)異特性，可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)減少散熱需求，幫助客戶簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低總成本。