EMI（電磁干擾）噪聲源的分析與優(yōu)化方法是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的重要環(huán)節(jié)。以下是對(duì)EMI噪聲源的分析以及優(yōu)化方法的詳細(xì)探討：

一、EMI噪聲源分析

EMI噪聲主要來(lái)源于電力電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的高dv/dt節(jié)點(diǎn)與高di/dt環(huán)路。這些快速的電壓和電流變化會(huì)激發(fā)電磁場(chǎng)，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾。EMI噪聲可以分為共模噪聲和差模噪聲兩種類(lèi)型：

1. 共模噪聲：共模噪聲是待測(cè)零部件的LN線和參考地之間的電位差。它通常通過(guò)寄生電容和高dV/dt進(jìn)行傳導(dǎo)，沿著任意信號(hào)（正或負(fù)）到地（GND）的路徑傳輸。

2. 差模噪聲：差模噪聲是LN線之間的電位差。它通過(guò)寄生電感（磁耦合）和高di/dt進(jìn)行傳導(dǎo)。

在開(kāi)關(guān)電源中，如Buck變換器，其EMI噪聲源主要為開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓。該電壓波形可以等效為一個(gè)梯形波，其幅值、上升時(shí)間、下降時(shí)間以及開(kāi)關(guān)頻率等因素都會(huì)影響EMI噪聲的頻譜特性。

二、EMI優(yōu)化方法

針對(duì)EMI噪聲源，可以采取以下優(yōu)化方法：

1. 對(duì)開(kāi)關(guān)波形振蕩的優(yōu)化：

●在實(shí)際電路中，芯片、無(wú)源元件以及PCB走線都會(huì)帶來(lái)一些寄生參數(shù)，這些寄生參數(shù)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)造成振蕩。為了減小振蕩，可以從芯片設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)以及板級(jí)電路設(shè)計(jì)等方面進(jìn)行優(yōu)化。

●從芯片設(shè)計(jì)上，可以采用更先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)來(lái)減小寄生參數(shù)。例如，使用倒裝封裝技術(shù)可以大幅減小封裝帶來(lái)的寄生電感。

●在板級(jí)電路設(shè)計(jì)上，可以通過(guò)優(yōu)化布局、使用緩沖器電路（如RC濾波器）來(lái)抑制開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴現(xiàn)象。

2. 抖頻設(shè)計(jì)：

●抖頻技術(shù)通過(guò)在一定范圍內(nèi)調(diào)制開(kāi)關(guān)頻率，將峰值噪聲分布到更寬的頻率范圍內(nèi)，從而降低EMI。這種方法在許多開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中都得到了應(yīng)用。

3. 濾波與屏蔽：

●濾波是提取有用信號(hào)、抑制無(wú)用噪聲的技術(shù)。在電路中加入適當(dāng)?shù)臑V波器可以有效地降低EMI噪聲。

●屏蔽則是用導(dǎo)電或電磁體的封閉面將其內(nèi)外兩側(cè)空間進(jìn)行電磁性隔離，以抑制過(guò)空間的輻射干擾。屏蔽的設(shè)計(jì)既可以針對(duì)干擾源，也可以針對(duì)受擾體。

4. 布局優(yōu)化：

●電源布局與組件選擇同樣重要。布局優(yōu)化通常是一個(gè)迭代過(guò)程，經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)人員可以減少迭代次數(shù)，從而避免延誤和額外的設(shè)計(jì)成本。

5. 使用低噪聲組件：

●選擇具有低噪聲特性的組件也是降低EMI的有效方法。例如，使用低噪聲的穩(wěn)壓器、濾波器等。

6. 減小電流回路面積：

●高di/dt回路（熱回路）中的高di/dt和寄生電感是導(dǎo)致電磁噪聲和開(kāi)關(guān)振鈴的主要原因。為了減小EMI，應(yīng)盡量減小電流回路的面積。這可以通過(guò)優(yōu)化PCB布局、使用零阻抗的理想電容等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

綜上所述，EMI噪聲源的分析與優(yōu)化方法涉及多個(gè)方面，包括開(kāi)關(guān)波形振蕩的優(yōu)化、抖頻設(shè)計(jì)、濾波與屏蔽、布局優(yōu)化以及使用低噪聲組件等。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求選擇合適的優(yōu)化方法以降低EMI噪聲。

審核編輯 黃宇