透射電子顯微鏡TEM在LED芯片研究中可以提供有關(guān)LED芯片結(jié)構(gòu)、膜層厚度、位錯缺陷等方面的詳細信息。金鑒實驗室具備先進的TEM設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)團隊，能夠為客戶提供高精度的LED芯片分析服務(wù)，確保每一項測試結(jié)果的準確性和可靠性。不同類型的芯片結(jié)構(gòu)在工藝設(shè)計上有所不同，金屬電極與外延各層成分分析與厚度測量常常需要通過TEM分析才能獲得更加精確的信息。

電極結(jié)構(gòu)是為了讓電流順利流向發(fā)光區(qū)，不同電極材料結(jié)構(gòu)同樣影響著芯片的光電性能，如Cr因優(yōu)良的粘附性常用做與p-GaN的接觸層，Al具有高反射率，增加芯片的出光量，Ti/Pt作為阻擋層防止Au擴散高活潑性的Al層，Au優(yōu)良的導電性作為表層等。金鑒實驗室可以針對各種電極材料進行詳細的性能測試與分析，幫助客戶優(yōu)化其芯片設(shè)計。

一、TEM 不同掃描模式的作用

TEM線掃提供沿著一條線的元素分布信息，得到線上不同位置的元素種類和相對含量（at%和wt%），提供詳細的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)信息，為后續(xù)工藝優(yōu)化或產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計提供參照。

點掃用于獲取感興趣的局部區(qū)域（或精確的某個特定位置）的元素種類和相對含量信息。

在面掃模式下，面掃可以獲取整個區(qū)域的元素分布信息，直觀呈現(xiàn)不同區(qū)域各元素的分布與擴散情況。

二、TEM 在 LED 外延結(jié)構(gòu)分析中的優(yōu)勢

TEM因其具有非常高分辨率，在LED芯片外延結(jié)構(gòu)分析上具有獨到的優(yōu)勢。金鑒實驗室擁有先進的高分辨率透射電子顯微鏡，能夠?qū)ν庋诱w結(jié)構(gòu)進行分析，確定P型區(qū)、有源區(qū)、N型區(qū)各層成分與厚度。

TEM有多種成像模式，可以通過不同的成像模式獲取樣品的不同信息，金鑒實驗室利用高分辨電子顯微像HRTEM，能夠表征材料原子級別的形貌及結(jié)構(gòu)信息，對量子阱結(jié)構(gòu)厚度進行精確測量，幫助客戶在技術(shù)研發(fā)中把握關(guān)鍵參數(shù)。

弱束暗場像WBDF常用與對外延位錯的表征，分析位錯類型，結(jié)合腐蝕坑密度的方法，對外延位錯密度進行評估與表征。

g=0002 螺位錯觀察

g=11-20刃位錯觀察

金鑒實驗室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的第三方檢測機構(gòu)，致力于改善LED品質(zhì)，服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。金鑒實驗室擁有專業(yè)LED質(zhì)量工程師團隊及精密的儀器設(shè)備，通過金鑒實驗室的專業(yè)測試，客戶可以更有效地進行材料改進和工藝優(yōu)化，為未來的技術(shù)創(chuàng)新打下堅實基礎(chǔ)。