99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN成為半導(dǎo)體界矚目的焦點

安富利 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-10-11 08:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵(GaN)

半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年,一路上挾風(fēng)帶雨的,好不風(fēng)光。不過隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩,為獲得更細小“線寬”的投資,未必能夠帶來更劃算的收益。

所以未來半導(dǎo)體技術(shù)的提升,除了進一步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外,尋找硅(Si)以外新一代的半導(dǎo)體材料,也就成了一個重要方向。在這個過程中,氮化鎵(GaN)近年來作為一個高頻詞匯,進入了人們的視野。

GaN和SiC同屬于第三代高大禁帶寬度的半導(dǎo)體材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比,其在特性上優(yōu)勢突出(見表1)。表中這些貌似高深的參數(shù),最終會給半導(dǎo)體器件性能帶來哪些直接影響,我們不妨“翻譯”一下。

由于禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高,GaN器件可在200℃以上的高溫下工作,能夠承載更高的能量密度,可靠性更高;較大禁帶寬度和絕緣破壞電場,使得器件導(dǎo)通電阻減少,有利與提升器件整體的能效;電子飽和速度快,以及較高的載流子遷移率,可讓器件高速地工作。

因此,利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半導(dǎo)體器件,這與半導(dǎo)體行業(yè)一貫的“調(diào)性”是吻合的。

表1,不同半導(dǎo)體材料特性對比

與GaN相比,實際上同為第三代半導(dǎo)體材料的SiC的應(yīng)用研究起步更早,而之所以GaN近年來更為搶眼,主要的原因有兩點。

首先,GaN在降低成本方面顯示出了更強的潛力,目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件,以替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測到2019年GaN MOSFET的成本將與傳統(tǒng)的 Si器件相當(dāng),屆時很可能出現(xiàn)一個市場拐點。

其次,由于GaN器件是個平面器件,與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強,這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成,比如有廠商已經(jīng)實現(xiàn)了驅(qū)動IC和GaN開關(guān)管的集成,進一步降低用戶的使用門檻。

正是基于GaN的上述特性,越來越多的人看好其發(fā)展的后勢。特別是在幾個關(guān)鍵市場中,GaN都表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)臐B透力。

射頻RF)領(lǐng)域?qū)⑹荊aN的主戰(zhàn)場。有分析指出,與目前在RF領(lǐng)域占統(tǒng)治地位的LDMOS器件相比,采用0.25微米工藝的GaN器件頻率可高達其4倍,帶寬可增加20%,功率密度可達6-8W/mm(LDMOS為1~2W/mm),且無故障工作時間可達100萬小時,更耐用,綜合性能優(yōu)勢明顯。5G的商用無疑會是GaN在射頻市場發(fā)展的一個驅(qū)動力。

根據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的預(yù)測,受5G網(wǎng)絡(luò)部署的拉動,全球RF功率器件市場在2016年到2022年間將增長75%,年復(fù)合增長率達到9.8%;GaN將在未來5~10年成為3W以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù),而LDMOS的整體市場規(guī)模將下降到15%以下。

與此同時,我們會發(fā)現(xiàn),在其他RF領(lǐng)域,也都會有GaN的身影,作為重要的升級換代技術(shù),向原有的半導(dǎo)體器件發(fā)起挑戰(zhàn)(詳見表2)。從表2中可以看出,除了雷達等性能敏感型的應(yīng)用,低成本的Si基GaN都有涉足,無疑會成為GaN開疆?dāng)U土的“功臣”。

電力電子領(lǐng)域,GaN也找到了自己的位置。通常大家認為,由于材料特性的差異,SiC適用于高于1200V以上的高電壓大功率應(yīng)用,而GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用,GaN 在 600V/3KW 以下的應(yīng)用場合更占優(yōu)勢,在微型逆變器、伺服器、馬達驅(qū)動、UPS等領(lǐng)域與傳統(tǒng)的MOSFET或IGBT展開競爭,讓電源產(chǎn)品更為輕薄、高效。

而GaN的這個定位也更有利于其向消費類市場的滲透,這后面的市場空間就更為可觀了。

同時,也有人看好GaN單晶襯底在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用,比如在激光顯示方面的應(yīng)用前景,認為這會與VR/AR等新興行業(yè)形成互動,開辟出新的應(yīng)用領(lǐng)域。

如果我們將半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展看做是一臺大戲,與目前絕對的主角Si材料這樣的“老戲骨”相比,GaN還是一個初出茅驢的“小鮮肉”,但是TA在自己的“戲碼”中,已經(jīng)逐漸挑起了大梁,扮演著當(dāng)仁不讓的角色,未來GaN的市場“吸粉”能力不容小覷。當(dāng)前,各個“玩家”圍繞GaN的卡位和布局已經(jīng)展開,好戲還在后頭。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2211

    瀏覽量

    76885

原文標(biāo)題:飆戲半導(dǎo)體界老戲骨,GaN是不是還嫩了點?

文章出處:【微信號:AvnetAsia,微信公眾號:安富利】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    芯動科技亮相2025世半導(dǎo)體大會

    近日,在以“合筑新機遇 共筑新發(fā)展”為主題的2025世半導(dǎo)體大會上,芯動科技憑借在高速接口IP和先進工藝芯片定制技術(shù)、內(nèi)核創(chuàng)新能力以及對中國半導(dǎo)體行業(yè)的重要賦能作用榮膺2025中國半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 06-23 18:02 ?591次閱讀

    云英谷科技亮相2025世半導(dǎo)體大會

    近日,由世界半導(dǎo)體大會組委會、世界集成電路協(xié)會共同主辦的“2025世半導(dǎo)體大會國際峰會”在南京國際博覽中心召開。大會現(xiàn)場世界集成電路協(xié)會重磅發(fā)布《全球半導(dǎo)體市場發(fā)展展望與中國集成電路
    的頭像 發(fā)表于 06-23 18:00 ?668次閱讀

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點在目標(biāo)物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點是一條直線,就可以免去調(diào)焦過程,本文將介
    發(fā)表于 05-10 22:32

    意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和功能,能實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換、低能
    的頭像 發(fā)表于 03-24 11:37 ?838次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹

    濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

    。特別是濕度對功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響,已成為學(xué)術(shù)和工業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討濕度對功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機理,以
    的頭像 發(fā)表于 02-07 11:32 ?783次閱讀
    濕度大揭秘!如何影響功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件芯片焊料熱阻?

    GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-24 13:50 ?0次下載
    GaNSafe–世界上最安全的<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>

    泰克與遠山半導(dǎo)體合作推進1700V GaN器件

    近日,泰克科技與遠山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進展,雙方共同對遠山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估,取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證
    的頭像 發(fā)表于 01-20 11:07 ?651次閱讀

    探秘GaN功率半導(dǎo)體封裝:未來趨勢一網(wǎng)打盡!

    隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。其中,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性,成為了當(dāng)前研究的
    的頭像 發(fā)表于 01-02 12:46 ?1257次閱讀
    探秘<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝:未來趨勢一網(wǎng)打盡!

    羅姆與臺積電合作,共同推進GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用

    近日,有報道指出,羅姆公司將委托知名半導(dǎo)體代工廠臺積電生產(chǎn)硅基板上的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體,用于車載設(shè)備。這一合作標(biāo)志著羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局的一次重要調(diào)整。自2022年羅姆
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:23 ?853次閱讀
    羅姆與臺積電合作,共同推進<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>在車載設(shè)備中的應(yīng)用

    全球矚目!芯片出口萬億時代來臨!中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起!

    半導(dǎo)體
    北京中科同志科技股份有限公司
    發(fā)布于 :2024年12月11日 09:36:57

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?1739次閱讀
    第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)基礎(chǔ)知識

    德州儀器日本會津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體

    近日,德州儀器(TI)宣布了一個重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域自有制造產(chǎn)能的大幅提升,產(chǎn)能增
    的頭像 發(fā)表于 10-30 17:30 ?922次閱讀

    SiC和GaN:新一代半導(dǎo)體能否實現(xiàn)長期可靠性?

    近年來,電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。得益于其固有特性,寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 10-09 11:12 ?714次閱讀
    SiC和<b class='flag-5'>GaN</b>:新一代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>能否實現(xiàn)長期可靠性?

    氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級

    自去年以來,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場持續(xù)升溫,成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:34 ?1003次閱讀

    芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

    的性能提升提供了強大動力。而現(xiàn)今,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,作為第三代半導(dǎo)體材料,正因其優(yōu)異的性能而備受矚目,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:01 ?1123次閱讀
    芯干線科技<b class='flag-5'>GaN</b>功率器件及應(yīng)用