意法半導體 (ST) 同級領先的900V MOSFET晶體管

提升反激式轉換器的輸出功率和能效

中國，2017年3月23日—— 意法半導體最新的900VMDmesh? K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導通電阻(R_DS(ON))和動態(tài)特性。

900V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產品含有首個R_DS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是R_DS(ON)電阻最低的DPAK產品。業(yè)內最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領域，實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電路、主動鉗位設計等各種反激式轉換器具有高能效和可靠性，覆蓋低至35W高至230W的額定功率范圍。此外，低輸入輸出電容(Ciss,Coss)可實現(xiàn)零電壓開關，使半橋LLC諧振轉換器的電能損耗最小化。

新器件的高安全系數(shù)和優(yōu)異的動態(tài)特性讓設計人員能夠提高各種產品的性能，例如服務器電源、三相開關式電源(SMPS)、LED照明電源、電動汽車(EV)充電器、太陽能板、焊接機、工業(yè)設備驅動系統(tǒng)和工廠自動化。

意法半導體MDmesh K5系列超結晶體管產品種類繁多，包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產品。再加上靈活的封裝選擇，包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長引腳、IPAK和I2PAK，以及D2PAK和DPAK表面功率封裝，意法半導體為設計人員提供豐富的超結超高電壓(VHV)MOSFET產品。

最新的900V MDmesh? K5 MOSFET管即日上市，采用DPAK封裝的STD4N90K5。

如需了解更多詳情，請訪問www.st.com/mdmeshk5

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