隨著設(shè)計人員打破應(yīng)用性能界限，了解如何在應(yīng)用中使用MOSFET至關(guān)重要。過去，具有給定的品質(zhì)因數(shù)(FOM)的標(biāo)準(zhǔn)功率開關(guān)基本上適用于任何應(yīng)用。但是，為了滿足特定的應(yīng)用要求或功能，越來越需要優(yōu)化MOSFET參數(shù)組來更好地匹配這些要求。例如，應(yīng)用可能要求軟啟動、擴(kuò)展的安全工作區(qū)域、可靠的線性模式性能或增強(qiáng)的保護(hù)。在Nexperia，我們將久經(jīng)驗(yàn)證的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用認(rèn)知相結(jié)合，打造了一系列更豐富的應(yīng)用專用MOSFET。

過去，具有給定的品質(zhì)因數(shù)（FOM）的標(biāo)準(zhǔn)功率開關(guān)基本上可以應(yīng)用于任何場合。但隨著技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用的多樣化，對MOSFET的需求比以往任何時候都要復(fù)雜和多樣。常規(guī)MOSFET數(shù)據(jù)表上有100多個參數(shù)，如Rds(on)、Vth、Ciss和Qg等等。但通常只有少數(shù)參數(shù)在每個項目中至關(guān)重要。而且隨著應(yīng)用的變化，關(guān)鍵參數(shù)也會發(fā)生變化。

因此，單一的 MOSFET 參數(shù)很難滿足所有應(yīng)用的需求。Nexperia 深諳這一道理，“應(yīng)用專用”是在 MOSFET 領(lǐng)域的又一大創(chuàng)新，這是基于多年對特定應(yīng)用的理解和與客戶的攜手合作而推出的產(chǎn)品系列。通過重點(diǎn)優(yōu)化對某一應(yīng)用場景最為關(guān)鍵的參數(shù)，即使可能會犧牲其他不太關(guān)聯(lián)的參數(shù)，但也確保我們的 MOSFET 產(chǎn)品能夠完美匹配特定領(lǐng)域的需求，發(fā)揮出最優(yōu)的性能和效益。

重復(fù)雪崩的汽車ASFET

有保證的重復(fù)雪崩性能，符合汽車標(biāo)準(zhǔn)

使用MOSFET為驅(qū)動電磁閥等感性負(fù)載供電時，大多數(shù)電路設(shè)計包含附加的器件，以便當(dāng)負(fù)載電流在關(guān)斷期間持續(xù)流動時保護(hù)MOSFET。解決方案包括高效但昂貴的升壓拓?fù)洌芍貜?fù)利用能量），以及效率較低但更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的續(xù)流二極管方案。重復(fù)雪崩裝置的簡單替代方案在過去只能通過平面技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。Nexperia通過優(yōu)化MOSFET，使其能夠輕松應(yīng)對重復(fù)雪崩電流，同時將結(jié)溫保持在175 ℃以下，從而提供了一種真正耐用的器件，實(shí)現(xiàn)了大量的系統(tǒng)級節(jié)約。

用于重復(fù)雪崩的ASFET專為滿足一系列汽車和感性負(fù)載的需求而設(shè)計：

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)

有保證的重復(fù)雪崩性能，經(jīng)過高達(dá)10億個周期的測試

穩(wěn)健的硅技術(shù)與LFPAK的熱性能相結(jié)合，確保芯片溫度保持在175 ℃以下

使用單個MOSFET非常簡便，減少了BOM和電路復(fù)雜性，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)成本和空間節(jié)約

用現(xiàn)代溝槽替代舊式平面技術(shù)

與續(xù)流二極管方案相比，提供了更高的效率和更快的開關(guān)

推薦產(chǎn)品

BUK9K13-60RA

雙N溝道60V、12.5 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56D封裝，使用重復(fù)雪崩。

電池隔離的ASFET

增強(qiáng)的SOA、穩(wěn)健性和最大電流

如今大多數(shù)手持和電池供電的工具和設(shè)備都依賴于多節(jié)鋰離子電池組。鋰離子電池具有能量密度高的優(yōu)點(diǎn)。但是在故障情況下，這可能會成為問題，因?yàn)樗锌赡軐?dǎo)致大量不受控制的能量釋放，從而導(dǎo)致負(fù)載過熱和潛在的電路火災(zāi)。要在安全隔離電池并關(guān)閉系統(tǒng)前以可控的方式處理大量放電，需要非常穩(wěn)健且具有高熱效的MOSFET。Nexperia最穩(wěn)健的LFPAK封裝器件的理想應(yīng)用。

用于電池隔離的ASFET專為多節(jié)電池供電設(shè)備而設(shè)計：

在故障情況下，由于在故障引起深度放電時，大電流下的電路電感會產(chǎn)生電壓，因此電池隔離MOSFET通常會進(jìn)入線性模式

增強(qiáng)的SOA MOSFET繼續(xù)安全可控地運(yùn)行，直到關(guān)閉為止，電池與負(fù)載電路完全隔離

正常工作時，需要低導(dǎo)通電阻才能實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗，但需要優(yōu)化參數(shù)以實(shí)現(xiàn)安全的電池隔離

穩(wěn)健的電池隔離MOSFET可用作設(shè)備批準(zhǔn)的主要保護(hù)

可能需要低Vt，因?yàn)殡姵乇Ｗo(hù)IC可能只有2-3 V柵極驅(qū)動

推薦產(chǎn)品

PSMNR70-40SSH

N溝道40V、1.1 mΩ、280 A邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝。

熱插拔和軟啟動的ASFET

可靠的線性模式，增強(qiáng)的SOA與低導(dǎo)通電阻

無論是云還是邊緣技術(shù)，都和我們忙碌的生活息息相關(guān)。我們的日常生活很大程度上依賴于始終開啟的機(jī)架式計算機(jī)、通信和存儲系統(tǒng)。要確保這些系統(tǒng)不會出現(xiàn)電源中斷，在將替換電路板插入運(yùn)行中的系統(tǒng)時保護(hù)上面的器件，必須小心控制沖擊電流。在常規(guī)MOSFET中，強(qiáng)大的SOA性能和低導(dǎo)通電阻是互斥的。Nexperia專用于熱插拔和軟啟動的MOSFET在單個器件上同時提供這兩種功能，并針對不間斷的運(yùn)行要求進(jìn)行了優(yōu)化。

用于熱插拔和軟啟動的ASFET專為支持始終開機(jī)的應(yīng)用和設(shè)備而設(shè)計：

當(dāng)在背板中引入電容負(fù)載時，需要采用具備強(qiáng)勁線性模式性能和增強(qiáng)安全工作區(qū)域(SOA)的MOSFET來高效可靠地控制沖擊電流

一旦安全接通替換電路板，MOSFET便會完全導(dǎo)通。在此運(yùn)行模式下，具有低導(dǎo)通電阻值是最重要的，它有助于最大限度地保持低溫和高系統(tǒng)效率

推薦產(chǎn)品

PSMNR67-30YLE

N溝道100 V，2.3 mΩ，SuperSOA MOSFET, 采用LFPA88封裝。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費(fèi)等多個應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。