99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-07-05 08:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

采用2000V SiC M1H芯片的

62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

90491b36-3a63-11ef-a655-92fbcf53809c.png905f6cc4-3a63-11ef-a655-92fbcf53809c.png

2000V的62mm CoolSiC MOSFET半橋模塊系列新增5.2mΩ新規(guī)格。其采用了M1H芯片技術(shù),模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料(TIM)版本。

相關(guān)產(chǎn)品:

FF5MR20KM1H (P) 5.2mΩ,

2000V 62mm半橋模塊

(P)為預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料(TIM)版本

產(chǎn)品特點(diǎn)

堅(jiān)固的集成體二極管,優(yōu)化了熱阻

卓越的柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強(qiáng)

應(yīng)用價(jià)值

按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過(guò)沖

導(dǎo)通損耗最小

高速開(kāi)關(guān),損耗極低

對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱的上下橋臂開(kāi)關(guān)行為

標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝技術(shù)確??煽啃?/p>

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線的生產(chǎn)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

通過(guò)碳化硅擴(kuò)展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品,以滿足快速開(kāi)關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用

電流密度最高,防潮性能強(qiáng)

應(yīng)用領(lǐng)域

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電動(dòng)汽車充電

光伏逆變器

UPS

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    459

    文章

    52471

    瀏覽量

    440390
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3222

    瀏覽量

    65148
  • 半橋模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    9

    瀏覽量

    1526
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

    傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞:
    的頭像 發(fā)表于 06-24 07:58 ?117次閱讀
    傾佳電子力薦:BASiC <b class='flag-5'>62mm</b>封裝BMF540R12KA3 <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b> —— 重新定義高功率密度與效率的邊

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCS
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET 1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

    新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ
    的頭像 發(fā)表于 06-03 17:34 ?437次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>高性能DCB的Easy B<b class='flag-5'>系列</b>CoolSiC? 2kV <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET產(chǎn)品英飛凌采用頂部
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?361次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>

    新品 | 1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

    新品1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:05 ?369次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>1200<b class='flag-5'>V</b> CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3<b class='flag-5'>模塊</b>

    派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

    派恩杰半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性!
    的頭像 發(fā)表于 03-24 10:11 ?1685次閱讀
    派恩杰半導(dǎo)體1200<b class='flag-5'>V</b> 400A<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>62mm</b>封裝<b class='flag-5'>模塊</b> 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

    CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC功率模塊CREE

    的應(yīng)用,CAB450M12XM3的體積和重量?jī)H為傳統(tǒng)62mm模塊的一,完美適配空間受限的安裝環(huán)境。 低電感架構(gòu):其6.7nH的低電感設(shè)計(jì)優(yōu)化了功率總線布局,顯著降低了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量
    發(fā)表于 03-17 09:59

    國(guó)產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢(shì)分析以及全面取代老舊的2000V器件兩電平MPPT升壓方案成為趨勢(shì) 一、方案
    的頭像 發(fā)表于 03-03 17:01 ?428次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b>器件飛跨電容三電平取代<b class='flag-5'>2000V</b>器件兩電平MPPT升壓方案

    瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

    日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該
    的頭像 發(fā)表于 03-01 09:27 ?769次閱讀
    瞻芯電子推出<b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> 4相升壓功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

    英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:24 ?414次閱讀
    英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET <b class='flag-5'>2000V</b>功率器件和<b class='flag-5'>模塊</b>備受矚目

    天合光能榮獲全球首張210系列組件UL 2000V認(rèn)證

    近日,天合光能至尊N型2000V高壓組件,憑借其在高功率輸出、高系統(tǒng)電壓和卓越可靠性等方面的顯著優(yōu)勢(shì),成功通過(guò)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)UL Solutions認(rèn)證,榮獲全球首張210系列組件UL 61730
    的頭像 發(fā)表于 01-17 10:10 ?492次閱讀

    34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

    34mm SiC MOSFET碳化硅模塊產(chǎn)品介紹_20241217_Rev.1.0.1
    發(fā)表于 12-30 15:24 ?2次下載

    新品 | CoolSiC? MOSFET 3.3 kV XHP? 2模塊

    新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝,采用.XT互
    的頭像 發(fā)表于 12-27 17:07 ?446次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC? MOSFET 3.3 kV XHP? 2<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

    11月5日,英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年
    的頭像 發(fā)表于 11-07 08:03 ?864次閱讀
    英飛凌再次榮膺2024年全球電子<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET <b class='flag-5'>2000V</b>功率器件和<b class='flag-5'>模塊</b>備受矚目

    新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊功率板

    新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊功率板該套件功率板模塊
    的頭像 發(fā)表于 10-24 08:03 ?928次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>采用</b>OptiMOS? 6功率MOSFET的<b class='flag-5'>模塊</b>化<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>功率板