99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

注冊開放,搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-06-18 08:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

當(dāng)今,氣候變化與如何應(yīng)對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn),而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求,并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。

b33d8a46-2d07-11ef-a655-92fbcf53809c.png

以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。

英飛凌提供廣泛的寬禁帶產(chǎn)品系列和組合,包括硅材料、碳化硅和氮化鎵器件,可為各種應(yīng)用帶來顯著的功效提升。英飛凌的寬禁帶產(chǎn)品組合如何助力終端市場應(yīng)用?如何賦能客戶的業(yè)務(wù)發(fā)展?

2024英飛凌寬禁帶論壇


上海

2024/07/09

主辦單位:英飛凌科技(中國)有限公司

協(xié)辦單位:慕尼黑展覽(上海)有限公司

1010

主論壇

1355

碳化硅論壇

1340

氮化鎵論壇

*詳細(xì)日程請看下文

7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,與行業(yè)伙伴一道深入探討寬禁帶的應(yīng)用與發(fā)展,攜手推動低碳化和數(shù)字化的發(fā)展進(jìn)程。

現(xiàn)在報(bào)名可獲得福利!

b3518adc-2d07-11ef-a655-92fbcf53809c.png

攜寬禁帶整體解決方案相約論壇

聚焦新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果

產(chǎn)學(xué)研用多方共論新時(shí)代技術(shù)的應(yīng)用

特邀重磅嘉賓與龍頭企業(yè)代表,共話行業(yè)前沿、分享應(yīng)用成果

論壇日程

b3c72d3c-2d07-11ef-a655-92fbcf53809c.jpgb3ed0796-2d07-11ef-a655-92fbcf53809c.jpgb403bad6-2d07-11ef-a655-92fbcf53809c.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2346

    瀏覽量

    140647
  • 能源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    2026

    瀏覽量

    44665
  • 寬禁帶半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    98

    瀏覽量

    8349
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    論壇日程發(fā)布丨OktoberTech?英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會現(xiàn)場高能搶先看

    OktoberTech是由英飛凌主辦的年度全球技術(shù)峰會,旨在展示前瞻性的技術(shù)如何推動低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。每一年的OktoberTech,都是我們與產(chǎn)業(yè)、客戶、合作伙伴相聚一堂、共話未來的珍貴時(shí)刻
    的頭像 發(fā)表于 06-04 18:33 ?589次閱讀
    <b class='flag-5'>論壇</b><b class='flag-5'>日程</b>發(fā)布丨OktoberTech?<b class='flag-5'>英飛凌</b>生態(tài)創(chuàng)新峰會現(xiàn)場高能搶先看

    浮思特 | 從硅基到:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:34 ?369次閱讀
    浮思特 | 從硅基到<b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b>:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    是德科技在半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動態(tài)測試而且無需焊接或探針

    ?無需焊接或探針,即可輕松準(zhǔn)確地測量功率半導(dǎo)體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測試 ?寄生功率回路電感小于10nH,實(shí)現(xiàn)干凈的動態(tài)測試波形 是德科技(NYSE
    發(fā)表于 03-14 14:36 ?414次閱讀

    全天直播即將開啟丨英飛凌帶開發(fā)者論壇 四大亮點(diǎn)搶先看

    (WBG)解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸,它們是實(shí)現(xiàn)可持續(xù)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。英飛凌的WBG產(chǎn)品組合表現(xiàn)如何?能為開發(fā)者帶來哪些益處?
    的頭像 發(fā)表于 03-06 08:33 ?437次閱讀
    全天直播即將開啟丨<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b>帶開發(fā)者<b class='flag-5'>論壇</b> 四大亮點(diǎn)搶先看

    全日程更新丨2025英飛凌帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請

    英飛凌全球帶開發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦,匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家,更有一個(gè)來自中國客戶的特邀報(bào)告。2025年3月11日北京時(shí)間下午4點(diǎn),我們將在慕尼黑演播室全天直
    的頭像 發(fā)表于 02-27 17:07 ?427次閱讀
    <b class='flag-5'>全日程</b>更新丨2025<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b>帶開發(fā)者<b class='flag-5'>論壇</b>向你發(fā)出邀請

    技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

    目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比,技術(shù),如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗(yàn)證和測試方法,以應(yīng)對當(dāng)今電氣化的挑
    的頭像 發(fā)表于 02-19 09:37 ?469次閱讀
    <b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b>技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

    第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

    本文介紹第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
    的頭像 發(fā)表于 01-15 10:55 ?635次閱讀
    第三代<b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b>功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

    安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性

    硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用半導(dǎo)體。 本文為白皮書第一部分,將重點(diǎn)介紹
    的頭像 發(fā)表于 01-05 19:25 ?1805次閱讀
    安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性

    白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的帶開關(guān)器件

    樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情近年來,電動汽車的興起帶動了器件的應(yīng)用,并逐漸滲透到各個(gè)市場。目前,工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級,這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 12-25 17:30 ?531次閱讀
    白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的<b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b>帶開關(guān)器件

    羅德與施瓦茨亮相第十五屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇

    近日,羅德與施瓦茨(以下簡稱R&S)RT-ZISO 隔離測量系統(tǒng)亮相第十五屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇。R&S示波器產(chǎn)品經(jīng)理蔡愷波發(fā)表《新一代隔離探測系統(tǒng)為功率電子設(shè)計(jì)提供解決方案》主
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:26 ?756次閱讀

    第三代半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1462次閱讀
    第三代<b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b>半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    2024英飛凌生態(tài)創(chuàng)新論壇分享:基于英飛凌安全MCU和Trust M構(gòu)筑安全OTA業(yè)務(wù)

    2024年9月19日,英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)與廣東省智能家電創(chuàng)新中心聯(lián)合舉辦的2024創(chuàng)新論壇于廣州舉辦。作為英飛凌OTA業(yè)務(wù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略合作伙伴,艾拉比受邀參加本次論壇并于現(xiàn)場為與
    的頭像 發(fā)表于 09-23 10:44 ?792次閱讀
    2024<b class='flag-5'>英飛凌</b>生態(tài)創(chuàng)新<b class='flag-5'>論壇</b>分享:基于<b class='flag-5'>英飛凌</b>安全MCU和Trust M構(gòu)筑安全OTA業(yè)務(wù)

    英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    MOSFET技術(shù)的集大成者,CoolMOS? 8不僅標(biāo)志著對現(xiàn)有高/低功率開關(guān)電源(SMPS)市場的一次深刻變革,更是對CoolGaN?和CoolSiC?半導(dǎo)體技術(shù)生態(tài)的有力補(bǔ)充與擴(kuò)展。
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?943次閱讀

    半導(dǎo)體材料有哪些

    半導(dǎo)體材料是指具有較寬的帶寬度(Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中,半導(dǎo)體材料
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:09 ?2222次閱讀

    功率半導(dǎo)體和半導(dǎo)體的區(qū)別

    功率半導(dǎo)體和半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率半導(dǎo)體通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?1025次閱讀