三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
HBM3芯片作為當(dāng)前AI GPU中最常用的第四代HBM標準，此次測試失敗無疑給三星帶來了不小的壓力。三星在聲明中表示，HBM作為定制產(chǎn)品，會根據(jù)客戶需求進行優(yōu)化，并強調(diào)正在與客戶緊密合作，以期盡快解決問題。
然而，此次測試未達標無疑增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂。有分析認為，三星在HBM領(lǐng)域可能進一步落后于競爭對手SK海力士和美光。如何迅速解決發(fā)熱和功耗問題，成為三星當(dāng)前面臨的重大挑戰(zhàn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52464瀏覽量
440185 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15888瀏覽量
182328 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
411瀏覽量
15218
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達，國內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40
發(fā)表于 04-18 10:52
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣
英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地
三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM
領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星
三星或重獲英偉達游戲芯片訂單
據(jù)外媒最新報道，三星電子有望重新獲得英偉達的未來新款游戲芯片（GPU）制造訂單，這一消息為三星的市場前景注入了新的活力。
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對英偉達供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉
三星電子HBM3E芯片測試進展引發(fā)市場關(guān)注
8月7日，市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達（Nvidia）測試的消
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證
工商網(wǎng)監(jiān)
評論