“光刻33%法則”在業(yè)界被稱為“四章法則”，它是在1980年代中期由荷蘭ASML公司針對當時主流的步進式光刻機所提出的一種理論。

“光刻33%法則”在業(yè)界被稱為“四章法則”，它是在1980年代中期由荷蘭ASML公司針對當時主流的步進式光刻機所提出的一種理論。 “光刻33%法則”是指在光刻機的操作過程中，繪制的圖案的尺寸在實際制造中可能會有一定的誤差。根據(jù)法則，光刻機套刻精度主要受到三個因素的影響，分別是光刻膠的性能，掩膜光刻圖形的偏差，以及光刻機本身的誤差。這三個因素對套刻精度的貢獻比例分別為33%。

光刻膠的性能：光刻膠的性能對套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度，光刻膠的收縮和厚度不均勻性都可能導致實際圖案尺寸與設計尺寸之間的偏差。

掩膜光刻圖形的偏差：掩膜上的圖形與設計圖形之間的偏差會影響套刻位置的準確性，可能導致圖形位置的偏移和形狀的變化。

光刻機本身的誤差：光刻機的穩(wěn)定性和精度，包括對準系統(tǒng)和光學系統(tǒng)的誤差，也會影響套刻精度。

具體來說，光刻膠的性能決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度，而掩膜光刻圖形的偏差會導致套刻位置的偏移和形狀變化，光刻機本身的誤差則與機器的穩(wěn)定性和精度相關(guān)。這三個因素綜合起來，通過精確控制和優(yōu)化，可以達到較高的套刻精度。為了確保制造的精度符合設計要求，通常會采取一些校正措施，比如：

調(diào)整光刻膠的厚度，以減少收縮帶來的影響。

使用更高精度的光刻機，以提高整體的套刻精度。

進行后續(xù)的校正和修復工作，以調(diào)整圖案尺寸至設計要求。

審核編輯：黃飛