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Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-03 16:02 ? 次閱讀
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全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。

這些新推出的SiC模塊專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用等設(shè)計(jì),旨在提供卓越的性能和效率。其中,以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的UHB100SC12E1BC3N模塊為例,其采用了Qorvo獨(dú)特的共源共柵配置,這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)不僅大幅降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,還顯著提升了整體效率。特別是在軟開關(guān)應(yīng)用中,這一優(yōu)勢(shì)更為明顯。

Qorvo一直以其領(lǐng)先的技術(shù)和高質(zhì)量的產(chǎn)品在行業(yè)內(nèi)享有盛譽(yù)。這次推出的四款SiC模塊進(jìn)一步鞏固了其在高效電源解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著電動(dòng)汽車和可再生能源市場(chǎng)的快速發(fā)展,這些新型SiC模塊有望在未來(lái)幾年內(nèi)成為市場(chǎng)上的熱門選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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