近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達長達半年的嚴格性能評估。據(jù)此，SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體，以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲器。

英偉達計劃在今年第二季度末或第三季度初推出Blackwell系列的B100芯片，這款芯片預計將引領AI計算的新潮流。而SK海力士的HBM3E，以其出色的性能和效率，將成為B100芯片的理想選擇。

值得一提的是，英偉達在AI GPU市場的地位已經(jīng)穩(wěn)固，其市場份額超過了90%。而在存儲市場，SK海力士也占有全球HBM市場的一半以上份額，更是100%壟斷了128GB DDR5大容量DRAM市場。這次合作將進一步鞏固兩家公司在各自領域的領先地位。

對于SK海力士來說，這次與英偉達的合作不僅是對其技術實力的一次肯定，更是對其市場地位的一次提升。隨著HBM3E的量產(chǎn)和供貨，SK海力士有望在全球存儲市場進一步擴大其影響力。

總的來說，SK海力士與英偉達的合作將開啟一個新的篇章，雙方的技術和市場優(yōu)勢將共同推動AI計算和存儲技術的發(fā)展。我們期待看到這兩款領先技術的結合，為未來的AI應用帶來更大的可能性和創(chuàng)新。