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SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領先三星

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-21 10:17 ? 次閱讀
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韓國媒體Moneytoday透露,SK海力士計劃今年3月起量產全球首發(fā)的第五代高帶寬內存HBM3E,預計下月起開始向英偉達供應用品。作為全球存儲半導體領域三巨頭之一,SK海力士搶先實現(xiàn)HBM3E的大規(guī)模生產和供應,擴大自身在全球HBM市場的競爭力。

早在去年8月,SK海力士便宣稱研發(fā)出適用于AI場景的超高性能DRAM—— HBM3E,并開始向客戶公眾提供樣品以進行性能驗證。

半導體業(yè)內信息顯示,SK海力士在今年1月中旬圓滿完成HBM3E的開發(fā)進程。為期半年多的英偉達績效評估也順利告一段落。

在嚴格的9個開發(fā)階段后,當前流程全部完成,步入最終的產能提升階段。此次項目完結正是達產升能的標志,這預示著自今往后產出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質量的認可,同步啟動大規(guī)模生產及交貨。

盡管同業(yè)三星電子及美光亦向英偉達提供HBM3E樣本,但確定是否達到質保品質的最終審核預計仍要等到3月開啟。由于SK海力士已在1月完成最后的質量檢測環(huán)節(jié)并定于3月出貨,足足領先于預定計劃兩個月。

值得注意的是,SK海力士提供的HBM3E配置于英偉達定于今年第二季度末乃至季初發(fā)布的全新人工智能(AI)GPU B100核心之中。英偉達在AI GPU市場所占比重高達全球90%以上,而作為內存半導體供應商SK海力士為英偉達供給HBM也將助其進一步穩(wěn)固業(yè)界“科技領先”地位。半導體行業(yè)中有聲音指出,“近期SK海力士推出的HBM3E樣本完全契合英偉達設定的最終規(guī)格標準”。但SK海力士表示,“無可確認與客戶相關的情報。”

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