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MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

龍騰半導(dǎo)體 ? 來源:龍騰半導(dǎo)體 ? 作者:熔斷器 ? 2024-01-25 17:18 ? 次閱讀
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一、服務(wù)器電源介紹

服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中,主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲器等設(shè)備。它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源。

服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。

ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個規(guī)范,使用較為普遍,輸出功率一般在125瓦~350瓦之間主要用于臺式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。 SSI(Server System Infrastructure)規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范,SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù),降低開發(fā)成本,延長服務(wù)器的使用壽命而制定的,主要包括服務(wù)器電源規(guī)格、背板系統(tǒng)規(guī)格、服務(wù)器機(jī)箱系統(tǒng)規(guī)格和散熱系統(tǒng)規(guī)格。

目前,大多數(shù)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商都是將12V DC輸入作為主板電源。在傳統(tǒng)架構(gòu)中,不間斷電源 (UPS) 將在整個數(shù)據(jù)中心為兩個獨立AC分配方案提供備用電源。在典型服務(wù)器主板中,兩個AC-DC電源相互之間提供冗余,每個電源足以滿足服務(wù)器主板的全部電力需求。

二、服務(wù)器電源市場分析

AI、ChatGPT應(yīng)用火熱,除了最核心的計算芯片以外,電源供應(yīng)器也是市場討論的焦點話題之一。

目前市場上部分服務(wù)器電源的功率已經(jīng)超過3000W,有廠家預(yù)測未來的AI服務(wù)器電源功率會達(dá)到5000W甚至是8000W。

根據(jù)IDC數(shù)據(jù),全球TOP5服務(wù)器廠商市場集中度高,基本維持在50%, 主要玩家依次為戴爾,HPE,浪潮,聯(lián)想和SuperMicro,預(yù)計至2025年全球服務(wù)器出貨量將達(dá)1440.7萬 臺,中國達(dá)416.2萬臺,全球占比29%。2025年全球服務(wù)器電源市場規(guī)模將達(dá)316億元,2020~2025年CAGR達(dá)11%,中國市場規(guī)模將達(dá)91億元,2020~2025年CAGR達(dá)11%。

三、服務(wù)器電源拓?fù)浼褒堯v產(chǎn)品優(yōu)勢

通常鈦金級高效電源由無橋或半無橋PFC級(如圖騰柱級)和諧振DC-DC級(如LLC轉(zhuǎn)換器)組成(參見下圖 )。12V的輸出電壓多半使用中心抽頭變壓器,而48V系統(tǒng)則應(yīng)考慮全橋整流。

d05dd81e-bb61-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

圖騰柱PFC+LLC拓?fù)?/p>

圖騰柱PFC+LLC拓?fù)洌旱谝患塒FC電路,電路啟動時,沖擊電流較大,要求MOSFET有較強(qiáng)的EAS能力,高頻橋臂要求MOS的開關(guān)性能好,低頻橋臂要求MOS導(dǎo)通??;后級LLC諧振電路,要求MOSFET的Body Diode具有較強(qiáng)的di/dt能力,較小的Qrr。

服務(wù)器電源市場應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體高壓SJ MOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢:

針對PFC拓?fù)?,?yōu)化EAS,增強(qiáng)抗雪崩能力,增強(qiáng)抗浪涌能力;

針對LLC拓?fù)洌瑑?yōu)化體二極管,增強(qiáng)di/dt能力,降低Qrr和驅(qū)動干擾;

優(yōu)化Qg和Coss/Ciss比值,降低驅(qū)動損耗,提升驅(qū)動抗干擾能力。

服務(wù)器電源市場應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體的SGT MOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢:

優(yōu)化Qg和Vth,高一致的Vth讓并聯(lián)更安全可靠;

優(yōu)化Coss和Rdson,更大程度地降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,降低溫升。

以上優(yōu)點,使得龍騰產(chǎn)品在服務(wù)器電源上的應(yīng)用簡單。

四、服務(wù)器電源龍騰MOSFET選型表

功能 拓?fù)?/strong> 產(chǎn)品系列 產(chǎn)品型號
AD-DC PFC 600-700V SJ MOS 650VIGBT LSB65R070GT LSB65R099GT LKB40N65TM1
隔離 DC-DC (初級) PSFB LLC DAB LSB65R070GF LSB65R099GF LSC65R135GF
隔離 DC-DC (次級) 同步整流 12V Vout 40-60V SGT MOS LSGN04R011WE LSGN04R013WE
同步整流 24V Vout 80-100V SGT MOS LSGN08R036 LSGE08R036 LSGN10R042
同步整流
48V Vout
150V
SGT MOS
開發(fā)中

注:以上信息與數(shù)據(jù)出自龍騰半導(dǎo)體





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:產(chǎn)品資訊 | MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

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