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臺積電調(diào)整SoIC產(chǎn)能,迎接AI與HPC需求增長?

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-18 14:47 ? 次閱讀
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1 月 18 日報道,業(yè)界權(quán)威機(jī)構(gòu)發(fā)布報告稱,臺積電正在加大系統(tǒng)級集成單芯片(SoIC)的制造產(chǎn)量,預(yù)計將于 2024 年實現(xiàn)每月生產(chǎn) 5000-6000 顆,以滿足未來人工智能AI)以及高性能計算機(jī)(HPC)龐大的市場需求。AMD 作為首家使用該技術(shù)的客戶,已推出 breakthrough AI 芯片 MI300 ,采用 SoIC 和 CoWoS 創(chuàng)新封裝方案。

身為臺積電最大客戶之一的蘋果,亦表現(xiàn)出對 SoIC 的濃厚興趣。蘋果計劃通過熱塑碳纖板復(fù)合成型技術(shù),配合 SoIC 進(jìn)行產(chǎn)品試產(chǎn)。預(yù)見在 2025-2026 年間,將實現(xiàn)量產(chǎn),以用于 Mac、iPad 等設(shè)備。據(jù)測算,與現(xiàn)有制作工藝相比,此方案可降低生產(chǎn)成本。

業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為,蘋果的決策主要考慮了產(chǎn)品設(shè)計、定位以及生產(chǎn)成本等因素。若 SoIC 能夠成功進(jìn)入筆記本電腦、手機(jī)消費(fèi)電子領(lǐng)域,預(yù)計將帶動更多用戶需求,同時也會增加其他客戶的采納意愿。

據(jù)悉,SoIC 是臺積電研發(fā)的全球首個高密度 3D chiplet 堆疊技術(shù)。此次封裝技術(shù)的凸點間距(Bump Pitch)成為關(guān)注焦點。凸點間距越低,說明封裝集成程度越高,且交貨難度越大。臺積電的 3D SoIC 技術(shù)在此方面表現(xiàn)突出,凸點間距甚至低于 6um,堪稱業(yè)內(nèi)之最。

SoIC 作為“3D 封裝尖端科技”,是臺積電異構(gòu)小芯片封裝的核心所在,具備高度密集垂直堆疊功能。相較 CoWoS 與 InFo 技術(shù),SoIC 展現(xiàn)出更高的封裝密度、更緊湊的鍵合間隔,并且可與 CoWoS / InFo 共享,以實現(xiàn)芯片尺寸減小、多芯片整合。根據(jù)內(nèi)部規(guī)劃,SoIC 將從 2023 年 12 月開始,月產(chǎn)量為 2000 顆;原定 2024 年提高至 3000-4000 顆,現(xiàn)調(diào)整為 5000-6000 顆;2025 全年預(yù)期產(chǎn)能躍增兩倍以上。

值得注意的是,CoWoS 乃是歷經(jīng) 15 年發(fā)展,堪稱成熟的技術(shù),預(yù)計 2022 年度末月產(chǎn)量將攀升至 30000 至 34000 件。

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