在毫米波范圍內(nèi)提供高性能的可靠GaN器件
在整個(gè)應(yīng)力作用下，性能略有下降。正如預(yù)期的那樣，跨導(dǎo)和漏電流隨著時(shí)間的推移而減小。電子遷移率下降對(duì)溫度的影響
審核編輯：黃飛
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原文標(biāo)題：在毫米波范圍內(nèi)提供高性能的可靠GaN器件
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