據(jù)調(diào)查公司trendforce稱，英偉達計劃引進更多的hbm3超高帶寬存儲芯片供應商，構建更加穩(wěn)定的供應鏈，其中三星hbm3 （24gb）將于2023年12月完成驗證。新一代hbm3e將在2024年q1之前完成產(chǎn)品驗證。

據(jù)機構統(tǒng)計，美光公司于2023年7月末向nvidia提供了hbm3e 8hi（8段24gb）樣品，8月中旬和10月初分別向sk海力士和三星提供了樣品。

由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。

英偉達將于2024年在a100/a800、h100/h800等現(xiàn)有產(chǎn)品上搭載hbm3e，新產(chǎn)品h200將搭載6個hbm3e，新一代b100將搭載8個hbm3e。此外，2024年還將推出結合英偉達arm架構cpu的超級芯片gh200和gb200。

據(jù)amd和英特爾的產(chǎn)品企劃，amd將從2024年開始大量推出采用hbm3的mi300系列產(chǎn)品。新一代mi350將采用hbm3e，預計將于2024年下半年開始驗證。英特爾目前在gaudi 2上搭載了6個hbm2e，但計劃在2024年上市的gaudi 3上，將hbm2e增加到8顆。

機構預測，預計下一代HBM4芯片將于2026年推出，有望帶動英偉達等公司芯片的規(guī)格、能效更進一步。HBM4的堆疊層數(shù)也將提升，從現(xiàn)有最高的12層（12hi）提升至16層，后者預計將于2027年推出。