1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。

從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長(zhǎng)為電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨(dú)立成為電子電力學(xué)科。

鑒于功率半導(dǎo)體器件的綠色節(jié)能功能，因此被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè)，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車）、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等。其中在新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用較多，需求穩(wěn)定性也較強(qiáng)。

隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品測(cè)試也迎來(lái)更大的挑戰(zhàn)：

■功率半導(dǎo)體是多端口器件，需要多種儀表協(xié)同測(cè)試；

■功率半導(dǎo)體的漏電流越小越好，需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試；

■功率半導(dǎo)體的電流輸出能力很強(qiáng)，測(cè)試時(shí)需要快速注入1000A級(jí)電流，并完成壓降的釆樣；

■功率半導(dǎo)體需要耐壓較高，一般從幾千到一萬(wàn)伏不等，需要測(cè)量?jī)x器具備高壓輸出和高壓下nA級(jí)漏電流測(cè)試的能力；

■由于功率半導(dǎo)體工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，嚴(yán)重時(shí)容易造成器件燒毀，需要提供μs級(jí)電流脈沖信號(hào)減少器件自加熱效應(yīng)；

■輸入輸出電容對(duì)器件的開(kāi)關(guān)性能影響很大，不同電壓下器件等效結(jié)電容不同，C-V測(cè)試十分有必要。

KeysightB1506A

適用于電路設(shè)計(jì)的功率器件分析儀

可以幫助設(shè)計(jì)人員最大限度地提升最終產(chǎn)品價(jià)值和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)速度，是功率電路設(shè)計(jì)的一次革命性創(chuàng)新。

可以表征從基礎(chǔ)到尖端的應(yīng)用：

B1506A功率器件分析儀可以提供完整的電路設(shè)計(jì)解決方案，幫助企業(yè)、高校以及研發(fā)單位功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)，實(shí)現(xiàn)對(duì)功率半導(dǎo)體的高效、安全的測(cè)試驗(yàn)證。為研發(fā)、生產(chǎn)、失效分析等多個(gè)場(chǎng)景提供測(cè)試服務(wù)：

■廣泛的工作 I/V (1500 A，3000V) 、熱測(cè)試范圍 (-50°C至 +250°C)、快速脈沖生成能力和 nA 級(jí)以下的電流測(cè)量分辨率；

■強(qiáng)大的測(cè)試能力，涵蓋C/V，I/V，Qg，CV ，Rg，Ron, Ciss等參數(shù)；

■示波器視圖提供脈沖測(cè)量波形視覺(jué)驗(yàn)證。

Chrent測(cè)試小案例

B1506A一招識(shí)別真假M(fèi)OS管

網(wǎng)上教你分辨MOS管的教程那么多，這樣壕氣又精確到小數(shù)點(diǎn)的方法，你一定沒(méi)見(jiàn)過(guò)！

一位工程師在修大功率電源，網(wǎng)上買的MOS管裝上去就燒了，懷疑買到了假貨。

測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的同事路過(guò)，說(shuō)他們剛好配了一臺(tái)先進(jìn)的功率器件分析儀B1506A，配合不同模組，可以對(duì)MOSFET、IGBT等功率器件進(jìn)行I/V測(cè)量和功率損耗的測(cè)量。

他們決定測(cè)試一下這個(gè)MOS管究竟“假”在哪里

測(cè)試步驟|STEP

第1步，將對(duì)照組MOS管插到測(cè)試夾具上，并蓋好蓋子

第2步，選擇I/V測(cè)試

第3步，設(shè)置器件類型為MOSFET，選擇ID-VGS，提前設(shè)置好集電極電壓和基極電壓

第4步，設(shè)置完畢后，開(kāi)始測(cè)試

測(cè)試結(jié)果|RESULT

對(duì)照組MOS管測(cè)試結(jié)果：

在不同的VGS電壓下，最大電流輸出可達(dá)近1000A，與DATASHEET上的參數(shù)基本一致。

“假”MOS管測(cè)試結(jié)果：

在不同的VGS電壓下，電流輸出保持不變，最大電流輸出只到50A左右。所以這個(gè)器件有問(wèn)題。

這個(gè)案例充分展示了B1506A大功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的強(qiáng)大功能，不僅可以幫助工程師鑒別真假M(fèi)OS管，還可以為他們提供準(zhǔn)確的器件參數(shù)，幫助他們更好地進(jìn)行電源維修和研發(fā)工作。