FLASH的頁擦除

FLASH由一系列的頁組成，每頁512字節(jié)。FLASHCON寄存器設(shè)置為0x20，F(xiàn)LASHDAT寄存器設(shè)置為0xA5，F(xiàn)LASHADR寄存器可以設(shè)置為要擦除的頁內(nèi)的任何一個地址。

如果FLASHADR被設(shè)置為鎖定字節(jié)地址中的任何一個（0x7DFE或0x7DFF），則該擦除操作將擦除整個FLASH存儲器，位于0x7E00和0x7FFF之間的保留區(qū)除外。

與讀和寫操作不同，在擦除操作完成后FLASHADR并不自動加1。

FLASH的字節(jié)寫

FLASH的字節(jié)讀

間接讀

讀操作啟動一次從由DRAdress選擇的寄存器中讀取數(shù)據(jù)的過程。該過程可以通過向間接寄存器移入兩位來啟動。在讀操作被啟動后，可以通過查詢Busy位來確定操作何時完成和何時可以讀取數(shù)據(jù)。

間接寫

寫操作啟動一次向由DRAddress選擇的寄存器內(nèi)寫數(shù)據(jù)的過程?？梢詫戦L度不大于18位的任意長度的寄存器。如果待寫寄存器的長度小于18位，寫數(shù)據(jù)（WriteData）應(yīng)左對齊（MSB占據(jù)位17）。在啟動一個寫操作之后，應(yīng)查詢“Busy”位來確定該操作何時完成。

FLASH寄存器

FLASHSCL

FLASHSCL是一個8位寄存器，用它設(shè)置FLASH操作時序所需要的預(yù)分頻值。當(dāng)使用內(nèi)部的2MHz系統(tǒng)時鐘時，該寄存器應(yīng)配置如下：

FLASHCON

FLASHCON是一個8位寄存器，它控制FLASH邏輯如何響應(yīng)對FLASHDAT寄存器的讀和寫操作。FLASHCON寄存器包含一個讀方式設(shè)置和一個寫方式設(shè)置。

FLASHDAT

FLASHDAT是一個10位的寄存器，它包含8位數(shù)據(jù)，一個FLFail位和一個FLBusy位，如圖所示：

寫FLASHDAT只需要8位，因為最后一個被鎖存的位處于MSB位置。

讀FLASHDAT只需要11個DR_SHIFT周期（8個用于FLData，一個用于FLFail，一個用于FLBusy）。

查詢FLBusy至少需要2個DR_SHIFT周期，一個用于FLBusy，一個用于Busy。

FLASHADR

FLASHADR是一個16位寄存器，它包含待讀或待寫的FLASH字節(jié)的地址。

注意點

在對FLASH進(jìn)行燒錄之前，需要對器件復(fù)位并禁止看門狗。否則，看門狗定時器可能在FLASH操作期間啟動系統(tǒng)復(fù)位，導(dǎo)致預(yù)想不到的后果！