三星電子存儲器事業(yè)部門負責(zé)dram開發(fā)的副總經(jīng)理Sangjun Hwang表示：“三星已經(jīng)開始向顧客提供高帶寬存儲器hbm3e的樣品，目前正在開發(fā)新一代產(chǎn)品hbm4，目標(biāo)是在2025年供貨。”

Sangjun Hwang還表示：“正在準(zhǔn)備開發(fā)出最適合高溫?zé)崽匦缘姆菍?dǎo)電粘合膜（ncf）組裝技術(shù)和混合粘合劑（hcb）技術(shù)，并適用于hbm4產(chǎn)品?！?/p>

今年年初，三星電子為了強化尖端成套技術(shù)和事業(yè)部門間的協(xié)同效應(yīng)最大化，組成了avp（先進封裝）事業(yè)組等，正在傾盡全力開發(fā)這些技術(shù)。

另外，還計劃與hbm一起提供包括2.5d和3d尖端解決方案的尖端定制型turkey package服務(wù)，展示ai和hpc時代的最佳解決方案。

就上月上市的32gb ddr5 dram，Sangjun Hwang表示，可以節(jié)省費用并提高生產(chǎn)效率，同時還可以改善10%的電力消耗，最多可以使用1tb的內(nèi)存模塊。

相俊黃表示，對在存儲器中增加系統(tǒng)半導(dǎo)體運算功能的pim（存儲器計算）產(chǎn)品抱有期待。hbm-pim在dram內(nèi)部內(nèi)置數(shù)據(jù)運算功能，改善了存儲器帶寬的瓶頸現(xiàn)象。在語音識別等特定工作量上，性能最高提高了12倍，最高提高了4倍。”