消除反射現(xiàn)象的方法一般有:布線時(shí)的拓?fù)浞ê拖鄳?yīng)的端接技術(shù)。
常用布線時(shí)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有:點(diǎn)到點(diǎn)、菊花鏈、星形、分支和周期性負(fù)載等結(jié)構(gòu)。
點(diǎn)到點(diǎn)(Point-to-point):
點(diǎn)到點(diǎn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單,只要在發(fā)送端或接收端進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖杵ヅ洹?/p>
菊花鏈(Daisy chain):
當(dāng)網(wǎng)絡(luò)(net) 的整個(gè)走線長度延遲小于信號(hào)的上升或下降時(shí)間時(shí),用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)會(huì)比較好,這時(shí)網(wǎng)絡(luò)上的負(fù)載都可以看作為容性負(fù)載。菊花鏈同時(shí)也限了信號(hào)的速率,只能工作在低速電路中 。
星形(Star):
使用星形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí), 對(duì)每個(gè)分支(stub)都進(jìn)行均衡設(shè)計(jì),要求每個(gè)分支的收端負(fù)載一致, 并選擇適當(dāng)?shù)钠ヅ浞绞?。
遠(yuǎn)端分支(Far-end cluster):
跟星形類似,只不過分支是靠近接收端 。在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,也要限制遠(yuǎn)端 stub 的長度, 使 stub上的傳輸延時(shí)小于信號(hào)上升沿, 這樣每個(gè)接收端都可以被看作為一個(gè)簡(jiǎn)單的容性負(fù)載。
周期性負(fù)載(Periodic loading) :
周期性負(fù)載的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同樣要求每段 stub 的長度足夠小,使 stub 上的傳輸延時(shí)小于信號(hào)上升沿。這種主干傳輸線和所有的 stub 段組合起來的結(jié)構(gòu)可以看作為一段新的傳輸線,其特征阻抗要比原來主干傳輸線的特征阻抗小,傳輸速率也比原來的低,因此在進(jìn)行阻抗匹配時(shí)要注意 。
傳輸線上的反射會(huì)對(duì)數(shù)字系統(tǒng)性能有重要的負(fù)面影響 。為了最小化反射的負(fù)面影響,除從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上消除相應(yīng)的影響外,還必須有相應(yīng)控制它們的方法 。基本上有三種方法減低這些反射的負(fù)面影響 。第一種方法就是降低系統(tǒng)的頻率或增大信號(hào)的上升沿時(shí)間, 以使傳輸線上的反射將在另一個(gè)信號(hào)驅(qū)動(dòng)到線上之前達(dá)到穩(wěn)態(tài)。
然而通常這是不可能的,對(duì)于高速系統(tǒng),增大信號(hào)上升沿時(shí)間,將影響系統(tǒng)的性能。第二種方法是縮短 PCB 走線長度以使反射在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)態(tài)。通常這是不實(shí)用的,因?yàn)橥ǔP酒δ艿膹?qiáng)大,管腳的增多,縮短布線必然導(dǎo)致PCB板層數(shù)的做多,這大大增加了成本 。
另外,在一些情況下縮短走線在物理實(shí)現(xiàn)上有時(shí)也是不可能的。第三種方法就是給傳輸線兩端終接一個(gè)等于特征阻抗的阻抗,并消除反射,即是所謂的高速電路設(shè)計(jì)的端接技術(shù)。端接技術(shù)分為單端斷接技術(shù)和負(fù)載端接技術(shù)。
1 單端端接技術(shù)
傳輸線的長度符合下式的條件應(yīng)使用端接技術(shù):
式中 , L 為傳輸線線長,tr 為源端信號(hào)的上升時(shí)間,tp 為傳輸線上每單位長度的帶載傳輸延遲。即當(dāng) tr小于 2TD時(shí)(其中 TD 為傳輸線的傳輸延遲, L*tp=TD),源端電平變換發(fā)生在傳輸線的接收端反射回源端的反射波到達(dá)源端之前,這時(shí)需要使用端接匹配技術(shù),否則會(huì)在傳輸線上引起振鈴 。
傳輸線的端接原則:如果負(fù)載反射系數(shù)或源反射系數(shù)二者任一為零,反射將被消除 。通常采用兩種策略 (1)使負(fù)載阻抗與傳輸線阻抗匹配,即并行端接;(2)使源阻抗與傳輸線阻抗匹配,即串行端接 。
從系統(tǒng)設(shè)計(jì)的角度,應(yīng)首選策略1,因其是在負(fù)載端消除反射,即 ρL=0,因而消除一次反射,這樣可以減小噪聲、電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI);而策略 2 則是在源端消除由負(fù)載端反射回來的信號(hào),即使 ρs=0和ρL=1(負(fù)載端不加任何匹配),只是消除二次反射,在發(fā)生電平變換時(shí),源端會(huì)出現(xiàn)持續(xù)時(shí)間為 2TD的半波波形,不過由于策略 2 實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單方便,在許多應(yīng)用中也被廣泛采用 。兩種端接策略各有其優(yōu)缺點(diǎn),以下就簡(jiǎn)要介紹這兩類主要的端接方案 。
1.1 并行端接
并行端接主要是在盡量靠近負(fù)載端的位置加上拉和/或下拉阻抗以實(shí)現(xiàn)終端的阻抗匹, 根據(jù)不同的應(yīng)用環(huán)境,并行端接又可分為以下幾種類型 :
(1) 簡(jiǎn)單的并行端接
這種端接方式是簡(jiǎn)單地在負(fù)載端加入一下拉到地的電阻 RT(RT=Z0)來實(shí)現(xiàn)匹配, 如圖所示。采用此端接的條件是驅(qū)動(dòng)端必須能夠提供輸出高電平時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流以保證通過端
接電阻的高電平電壓滿足門限電壓要求。在輸出為高電平狀態(tài)時(shí),這種并行端接電路消耗的流過大,對(duì)于50Ω的端接負(fù)載,維持 TTL 高電平消耗電流高達(dá)48mA,因此一般器件很難靠地支持這種端接電路。
(2) 戴維寧并行端接
戴維寧(Thevenin)端接即分壓器型端接, 如圖所示。
它采用上拉電阻R1和下拉電阻R2構(gòu)成端接電阻,通過R1和R2吸收反射。R1和R2阻的選取由下面的條件決定 。R1的最大值由可接受的信號(hào)的最大上升時(shí)間(是 RC 充放電時(shí)常數(shù)的函數(shù))決定,R1的最小值由驅(qū)動(dòng)源的吸電流數(shù)值決定。R2的選擇應(yīng)滿足當(dāng)傳輸線斷開時(shí)電路邏輯高電平的要求。戴維寧等效阻抗可表示為:
戴維南電壓VTH為:
VTH的選擇必須確保驅(qū)動(dòng)器的輸出高電平IOH和低電平的lOL電流在驅(qū)動(dòng)器的性能指標(biāo)圍以內(nèi),其值可按下式確定
R1的作用是幫助驅(qū)動(dòng)器更加容易到達(dá)邏輯高狀態(tài),這就需通過從Vcc向負(fù)載注入電流來實(shí)現(xiàn)。R2的作用是幫助驅(qū)動(dòng)器更加容易到達(dá)邏輯低狀態(tài),這通過R2向地釋放電流來實(shí)現(xiàn) 。恰當(dāng)?shù)剡x取R1和R2的值可以加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器的扇出能力,并且淡化由于信號(hào)占空比不一致而導(dǎo)致的功耗的改變。
戴維南終端匹配技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于,在這種匹配方式下,終端匹配電阻同時(shí)還作為上拉電和下拉電阻來使用,因而提高了系統(tǒng)的噪聲容限,降低了對(duì)源端器件驅(qū)動(dòng)能力的要求 。這種方案能夠很好地抑制過沖 。
戴維南終端匹配的缺點(diǎn)就是無論邏輯狀態(tài)是高還是低,在Vcc到地之間都會(huì)有一個(gè)常量直流電流存在,因而會(huì)導(dǎo)致終端匹配電阻中有靜態(tài)的直流功耗,信號(hào)負(fù)載為電容時(shí),相對(duì)于有匹配的信號(hào)線而言,戴維南終端匹配技術(shù)同樣會(huì)改善信號(hào)的質(zhì)量,使得信號(hào)的擺動(dòng)縮小 。
電壓(在三態(tài)總線上的戴維寧電壓)接近轉(zhuǎn)換門限電壓, 這在CMOS器件中會(huì)產(chǎn)生更大的功,這是由于PMOS和NMOS都是可導(dǎo)的,在Vcc和地之間就有電流路徑 。另外, 與未端接的情況相比,戴維寧端接減小了接容性負(fù)載時(shí)信號(hào)的斜率,容性負(fù)載和電阻增加了 RC時(shí)間常數(shù),致了驅(qū)動(dòng)器輸出電壓的上升 。
(3) 主動(dòng)并行端接
在此端接策略中 ,端接電阻RT(RT=Z0)將負(fù)載端信號(hào)拉至一偏移電壓Vbias,如圖示Vbias的選擇依據(jù)是使輸出驅(qū)動(dòng)源能夠?qū)Ω叩碗娖叫盘?hào)有汲取電流能力。這種端接方式需要一個(gè)具有吸、灌電流能力的獨(dú)立的電壓源來滿足輸出電壓的跳變速度的要求 。
在此端接方案中,如偏移電壓Vbias為正電壓,輸入為邏輯低電平時(shí)有 DC 直流功率損耗,如偏移電壓Vbisd為負(fù)電壓,則輸入為邏輯高電平時(shí)有直流功率損耗 。
(4)并行 AC 端接
如圖所示,并行 AC 端接使用電阻和電容網(wǎng)絡(luò) (串聯(lián) RC)作為端接阻抗。
端接電阻R要小于等于傳輸線阻抗Z0,電容 C 必須大于100pF,推薦使用0.1uF 的多層瓷電容。電容有阻低頻通高頻的作用, 因此電阻 R 不是驅(qū)動(dòng)源的直流負(fù)載, 故這種端接方無任何直流功耗。
可見電容C 的選擇很復(fù)雜.電容值太小會(huì)導(dǎo)致RC 時(shí)間常數(shù)過小,這樣一來該RC 電路就似于一個(gè)尖銳信號(hào)沿發(fā)生器,從而引入信號(hào)的過沖與下沖, 一般電容值需大于 100pF,另一面, 較大的電容值會(huì)帶來更大的功率消耗,通常情況下,要確保RC 時(shí)間常數(shù)大于該傳輸線負(fù)載延時(shí)的兩倍,即
其中:CD為接收器的分布電容, C0為PCB 傳輸線的內(nèi)在電容。
理想的電容值將隨著傳輸線阻抗,邊沿速率,預(yù)期的信號(hào)質(zhì)量的變化而變化 。這個(gè)值不是最關(guān)鍵的,但是測(cè)試表明,對(duì)于 FCT 邏輯,100pF的電容值能夠得到很好的折衷,將電容值增加到200PF會(huì)改善信號(hào)的質(zhì)量,但是卻以功率損耗為代價(jià)。
把電容值減小到 47PF,降低功率損耗,但是信號(hào)的質(zhì)量會(huì)變差。值低于 47PF 會(huì)對(duì)濾波有非常高的頻率響應(yīng),對(duì)傳輸?shù)亩私邮菬o效的。值高于 200PF,會(huì)增加功率損耗而不會(huì)有附加的信號(hào)質(zhì)量的改善 。
2 串行短接
串行端接是通過在盡量靠近源端的位置串行插入一個(gè)電阻Rs (典型10 Ω到 75Ω)到傳輸線中來實(shí)現(xiàn)的, 如圖所示。串行端接是匹配信號(hào)源的阻抗,所插入的串行電阻阻值加上驅(qū)動(dòng)源的輸出阻抗應(yīng)大于等于傳輸線阻抗(輕微過阻尼)。即:
這種策略通過使源端反射系數(shù)為零從而抑制從負(fù)載反射回來的信號(hào)(負(fù)載端輸入高阻,不吸收能量)再從源端反射回負(fù)載端 。
串行端接的優(yōu)點(diǎn)在于:每條線只需要一個(gè)端接電阻,無需與電源相連接,消耗功率小 。當(dāng)驅(qū)動(dòng)高容性負(fù)載時(shí)可提供限流作用,這種限流作用可以幫助減小地彈噪聲 。而且相對(duì)于它的電阻類型終端匹配技術(shù)來說,串聯(lián)終端匹配技術(shù)中匹配電阻的功耗是最小的,而且串聯(lián)終端匹配技術(shù)不會(huì)給驅(qū)動(dòng)器增加任何額外的直流負(fù)載,也不會(huì)在信號(hào)線與地之間引入額外阻抗。
串行端接的缺點(diǎn)在于 :當(dāng)信號(hào)邏輯轉(zhuǎn)換時(shí), 由于Rs的分壓作用 , 在源端會(huì)出現(xiàn)半波幅度的信號(hào),這種半波幅度的信號(hào)沿傳輸線傳播至負(fù)載端,又從負(fù)載端反射回源端,持續(xù)時(shí)間為2TD ( TD為信號(hào)源端到終端的傳輸延遲),這意味著沿傳輸線不能加入其它的信號(hào)輸入端,因?yàn)樵谏鲜?TD時(shí)間內(nèi)會(huì)出現(xiàn)不正確的邏輯態(tài)。
并且由于在信號(hào)通路上加接了元件,增加了 RC時(shí)間常數(shù)從而減緩了負(fù)載端信號(hào)的上升時(shí)間,因而不適合用于高頻信號(hào)通路(如高速時(shí)鐘等)。
另外,采用這種匹配技術(shù)時(shí),很難將串聯(lián)匹配電阻調(diào)整到一個(gè)非常合適的值,因?yàn)樵S多驅(qū)動(dòng)器都是非線性的,如TTL 器件,其輸出阻抗隨著器件邏輯狀態(tài)的變化而變化, 所以串聯(lián)匹配電阻只能選擇二個(gè)適中的值。
注:對(duì)于短的傳輸線,當(dāng)最小數(shù)字脈沖寬度長于傳輸線的時(shí)間延遲( TD)時(shí),源終端是合乎要求的,因?yàn)樗蓑?qū)動(dòng)器電流部分并聯(lián)接地的要求。對(duì)于長的傳輸線,當(dāng)數(shù)字脈沖寬度小于傳輸線延遲時(shí)間(TD)時(shí), 負(fù)載終端是較好的。因?yàn)樨?fù)載端的反射將反射回源頭端,并干擾沿線傳播的信號(hào),反射必須在負(fù)載端消除。
3 多負(fù)載端接技術(shù)
在實(shí)際電路中常常會(huì)遇到單一驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載的情況,這時(shí)需要根據(jù)負(fù)載情況及電的布線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來確定端接方式和使用端接的數(shù)量。一般情況下可以考慮以下兩種方案。
如果多個(gè)負(fù)載之間的距離較近,可通過一條傳輸線與驅(qū)動(dòng)端連接,負(fù)載都位于這條傳輸?shù)慕K端,這時(shí)只需要二個(gè)端接電路。如采用串行端接,則在傳輸線源端加入一串行電阻即可,圖a所示。
如采用并行端接(以簡(jiǎn)單并行端接為例),則端接應(yīng)置于離源端距離遠(yuǎn)的負(fù)載處,同時(shí),線網(wǎng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)優(yōu)先采用菊花鏈的連接方式,如圖b所示 。
如果多個(gè)負(fù)載之間的距離較遠(yuǎn),需要通過多條傳輸線與驅(qū)動(dòng)端連接,這時(shí)每個(gè)負(fù)載都需一個(gè)端接電路。如采用串行端接,則在傳輸線源端每條傳輸線上均加入一串行 電阻,如圖a所示。如采用并行端接(以簡(jiǎn)單并行端接為例),則應(yīng)在每一負(fù)載處都進(jìn)行端接,如圖b所示 。
在采用匹配的時(shí)候,但要確保匹配元件盡量靠近源端或負(fù)載端,這樣可以減少誘導(dǎo)電感,匹配更為有效。
4 不同工藝器件的端接策略
阻抗匹配與端接技術(shù)方案隨著互聯(lián)長度和電路中邏輯器件的家族在不同也會(huì)有所不同,只有針對(duì)具體情況, 使用正確適當(dāng)?shù)亩私臃椒ú拍苡行У販p小信號(hào)反射 。
一般來說,對(duì)于一個(gè)CMOS工藝的驅(qū)動(dòng)源,其輸出阻抗值較穩(wěn)定且接近傳輸線的阻抗值,因此對(duì)于CMOS器件使用串行端接技術(shù)就會(huì)獲得較好的效果 。而TTL工藝的驅(qū)動(dòng)源在輸出邏輯高電平和低電平時(shí)其輸出阻抗有所不同,這時(shí),使用并行戴維寧端接方案則是一種較好的策略 。
ECL 器件一般都具有很低的輸出阻抗,因此,在ECL電路的接收端使用一下拉端接電阻(下拉電平需要根據(jù)實(shí)際情況選?。﹣砦漳芰縿t是ECL電路的通用端接技術(shù)。
當(dāng)然, 上述方法也不是絕對(duì)的,具體電路上的差別、 網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選取、 接收端的負(fù)數(shù)等都是可以影響端接策略的因素, 因此在高速電路中實(shí)施電路的端接方案時(shí) , 需要根據(jù)體情況通過分析仿真來選取合適的端接方案以獲得最佳的端接效果 。
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