東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品目前已開始批量出貨。

新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。

使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。

東芝將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設(shè)備效率，擴大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

使用SiC MOSFET的3相逆變器

簡易方框圖

應用

● 開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）

●電動汽車充電站

● 光伏變頻器

●不間斷電源（UPS）

特性

●4引腳TO-247-4L(X)封裝：

柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關(guān)損耗

●第3代碳化硅MOSFET

●低漏源導通電阻×柵漏電荷

●低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

審核編輯：劉清