30V超低內阻mos管系列，鋰電池專用mos管方案
30V超低內阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N溝道增強型功率MOS場效應晶體管，采用士蘭的LVMOS工藝技術制造。具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：282A，導通電阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V，具有低柵極電荷、快關速度快、低反向傳輸電容等特點。
30V低壓mos管SVG031R1NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：229A，導通電阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V。
30v貼片mos管SVG031R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：138A，導通電阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。
耐壓30v mos管SVG032R4NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：100A，導通電阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。
30V超低內阻mos管系列均采用PDFN-8-5X6封裝，并已大批量量產，典型應用于電源市場同步整流、小功率電機/電動工具、電子煙、鋰電分容柜等不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領域，更多MOS管產品手冊、參數(shù)等資料請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
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發(fā)表于 10-19 10:32
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發(fā)表于 10-11 09:47
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通；對于PMOS管，情況則相反。 因此，在控制MOS管柵極電壓時，應確保VGS大于Vth，以確保MOS管能夠正常導通。 功耗與穩(wěn)定性 ： 如
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發(fā)表于 08-07 07:30
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