該 200 瓦 MOSFET 放大器電路基于傳統(tǒng)圖解：對(duì)稱差分輸入級(jí)、共源共柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 輸出級(jí)。它很容易用通用組件構(gòu)建，而且價(jià)格便宜。該電路非常緊湊，由兩個(gè)子系統(tǒng)組成：控制級(jí)和輸出級(jí)。

該電路的功率輸出為 8 歐姆時(shí) 200 Wrms 或 4 歐姆時(shí) 350 Wrms。失真度小于0.02%，阻尼因數(shù)大于300，信號(hào)/噪聲比112 dB（全功率下平衡），輸入靈敏度為1.2伏（200瓦/8歐姆）。

T5 和T6 周圍承載+/-1 mA 的電流源。二極管D1至D6允許使用低噪聲型BC560C和BC550C晶體管，晶體管T7至T10是驅(qū)動(dòng)級(jí)。電位器 P1 允許將每個(gè)輸出晶體管的靜態(tài)電流設(shè)置為 100 mA。

對(duì)稱功率委托給大型變壓器 625 VA、2 * 51 伏 + 橋式整流器和 4700 uF 電容器 6，從而為每軌提供 + 和 – 70 伏的輸出電壓。

筆記 ：

電容器 C3 未在圖表和 PCB 上重現(xiàn)（這是正確的）。

晶體管 T9 和 T10 必須組裝在熱阻為 5° c/w 的共用散熱器上或輸出級(jí)散熱器上。

PCB 的接地點(diǎn)和揚(yáng)聲器接地點(diǎn)必須與 PSU 的 0 伏星形連接。

功率晶體管必須組裝在熱阻小于1°C/W的散熱器上。它們還必須使用云母絕緣體+導(dǎo)熱化合物或硅樹(shù)脂絕緣體與散熱器電絕緣。