KUU推出采用DFN5*6-8L無鉛塑料封裝的N-SGT MOSFET產(chǎn)品KM4110N-568。產(chǎn)品使用先進的屏蔽柵溝槽（Shield Gate Trench）技術(shù)，同時降低了器件導通電阻Ronsp和柵極電荷Qg，得到更小的品質(zhì)因數(shù)FOM（Rdson*Qg）。采用這一先進技術(shù)有效提高了器件的開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗，配合以先進的終端設計和封裝技術(shù)，使器件具有更優(yōu)異的性能和更強的可靠性。

這款KM4110N-568作為N-SGT MOSFET，其產(chǎn)品參數(shù)：具有110A電流、40V電壓，RDS(on) =2.3mΩ，最高柵源電壓VGS =±20 V，廣泛使用在AC-DC/DC-DC的同步整流、變流器、電動工具等。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、極低的Rdson

2、極低的Qg和Qgd

3、更快的開關(guān)速度

4、更低的開關(guān)損耗

典型應用方案

使用這款N-SGT MOSFET，保證其耐壓性能，能抵抗高浪涌電流沖擊，具有更低導通損耗，可節(jié)省電能，適合多管并聯(lián)。