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激光隱切—更適合MEMS晶圓的切割方式

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 2023-08-18 09:36 ? 次閱讀
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據(jù)麥姆斯咨詢(xún)介紹,砂輪劃片、激光全切等傳統(tǒng)切割方式存在振動(dòng)沖擊大、切割屑污染、熱應(yīng)力作用大等問(wèn)題,常常導(dǎo)致具有懸膜、懸臂梁、微針、微彈簧等敏感結(jié)構(gòu)類(lèi)型的芯片損壞。激光隱形切割技術(shù)通過(guò)將脈沖激光在材料內(nèi)部聚焦,使得材料改性形成切割裂紋,適用于SOI晶圓、鍵合片、硅片、玻璃片、藍(lán)寶石片等晶圓切割,是懸膜、懸臂梁等敏感結(jié)構(gòu)類(lèi)型MEMS器件的最佳切割方式。

激光劃片工藝是一種利用激光能量代替機(jī)械力作為切割介質(zhì)的劃片工藝。激光隱形劃片工藝為激光劃片工藝的一種,其將激光聚光于晶圓內(nèi)部,在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層,并在完成劃片后通過(guò)擴(kuò)展膠膜等方法將晶圓分割成芯片的切割方法。該工藝原理為工件內(nèi)部改質(zhì),因此可以抑制加工屑的產(chǎn)生,適用于抗污垢性能差的工件;切割過(guò)程無(wú)振動(dòng)沖擊,且采用干式加工工藝,無(wú)需清洗,適用于抗負(fù)荷能力差的芯片;切割道寬度要求低,有助于減小芯片間隔,適用于窄劃片道器件。

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圖1 切割效果圖:晶圓厚度250um,激光隱切在晶圓切割道內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力集中區(qū)域,斷面圖可清晰看到不同深度位置激光切割改質(zhì)層痕跡。

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圖2 切割效果圖:激光隱切產(chǎn)生的切割屑極少,不污染器件,適用于梳齒結(jié)構(gòu)、表面敏感類(lèi)器件切割。

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圖3 切割效果圖:晶圓厚度650um,切割道清晰,且無(wú)邊緣切割毛刺,可用于更緊密的器件排列切割。

寧波啟樸芯微系統(tǒng)技術(shù)有限公司擁有專(zhuān)業(yè)的激光隱形切割設(shè)備和技術(shù)解決方案,提供硅片、玻璃片、SOI、鍵合片等晶圓激光隱形切割技術(shù)服務(wù)。

工藝指標(biāo)

● 加工范圍:8英寸及以下;

●切割線(xiàn)寬:<3um;

●崩邊范圍:<5um;

●切割道預(yù)留寬度:>80um;

●晶圓厚度:50um~1000um;

●切割材質(zhì):硅、SOI、玻璃、石英、藍(lán)寶石、鍵合片等。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:激光隱切——更適合MEMS晶圓的切割方式

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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