在2023慕尼黑上海電子展上，華邦電子展示了多款閃存和內(nèi)存產(chǎn)品，包括HYPERRAM、Security Flash W77Q系列等等，向業(yè)界分享近期華邦在存儲芯片方面的創(chuàng)新成果。展會期間，華邦電子大陸區(qū)產(chǎn)品營銷處處長朱迪接受電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪，暢談華邦的產(chǎn)品布局、產(chǎn)能規(guī)劃以及對市況的觀察等。

在此次展示的眾多產(chǎn)品中，朱迪首先提到HYPERRAM系列，這款產(chǎn)品主要應(yīng)用在AIoT、可穿戴設(shè)備、Wi-Fi、Cat1模塊等，HYPERRAM具有功耗低、體積小、Pin腳少、設(shè)計方便、節(jié)省面積等特點。HYPERRAM目前的容量從32Mb覆蓋到256Mb，下一步計劃是到512Mb。朱迪表示，尤其是最近幾年例如汽車儀表盤的大屏化和高分辨率，對外掛內(nèi)存的需求越來越多。

同樣被更多應(yīng)用于汽車的還有Security Flash W77Q系列。朱迪說，過去這個系列被用來做安全相關(guān)應(yīng)用，比如金融支付、生物數(shù)據(jù)等，而如今汽車安全受到重視，汽車功能安全有ISO26262認證，車載信息安全有ISO21434認證，W77Q系列這兩個標準都已經(jīng)具備，另外W77Q系列還符合ASIL-C、ASIL-D的功能安全認證。以此幫助客戶提升汽車產(chǎn)品的安全性。

此外，華邦還展示了1.2VNOR Flash產(chǎn)品。華邦算是業(yè)界最早推出1.2VNOR Flash的廠商之一，該產(chǎn)品主要用在可穿戴設(shè)備。由于它需要主芯片支持1.2V電壓接口，因此需要與各主芯片廠共同推動使用。華邦在和國內(nèi)的可穿戴設(shè)備廠商配合在他們下一代產(chǎn)品中支持1.2V接口。還有一個契機是當芯片制程達到7nm或者5nm之后，由于核心電壓已經(jīng)非常低，因此也需要外圍器件降低相應(yīng)的電壓。

存儲+AI

華邦電子創(chuàng)新產(chǎn)品CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements，即“半定制化緊湊型超高帶寬DRAM”的簡稱。而這一產(chǎn)品能夠很好地支持邊緣計算對存儲的需求。

朱迪表示，CUBE為半定制產(chǎn)品，它的容量、速度、位寬、I/O口數(shù)量都需要跟客戶具體的項目需求具體設(shè)計。CUBE和主芯片通過WoW的方式合封在一起，帶寬可以做到很高、同時引線很短、loading（負載量）很輕、功耗更低，合封還能使整個SoC的尺寸變小。

他說，目前大家一旦講到AI，都是超大容量、超高帶寬的HBM2.0甚至HBM3.0，這也是業(yè)內(nèi)幾大廠在做的。而對于華邦而言，我們更聚焦的是高帶寬、中小容量的應(yīng)用需求。CUBE瞄準的是邊緣運算場景，即對運算量、速度、帶寬的要求都很高，但是容量需求沒有那么大，比如穿戴設(shè)備、AR/VR眼鏡。和L1、L2緩存相比，CUBE的容量更大。CUBE的帶寬可以達數(shù)百GB/s, 高于LPDDR5而與HBM2相當，遠高于一般的內(nèi)存，目前容量范圍在1Gb-4Gb。

隨著技術(shù)的進步，系統(tǒng)越來越復雜，中小容量的定義也在逐漸的遷移，市場對于容量、帶寬的需求不斷變高。在AI風口之下，華邦的CUBE產(chǎn)品以小容量、高帶寬滿足邊緣計算所需。

汽車存儲

華邦電子積極開展Tier1與車廠的合作，目前和主流Tier1都有合作的項目。同時現(xiàn)在一些造車新勢力會直接參與關(guān)鍵器件的選型，主導軟硬件的開發(fā)，甚至自己采購，因此華邦也與車廠的直接配合越來越多，此外，也加強與MCU、SoC廠商的互動配合，共同成長。

汽車電子電氣架構(gòu)正在從分散走向域再到中央運算平臺，這其中給中小容量的存儲也帶來了機會。朱迪表示，大的主控外圍還是有很多子系統(tǒng)，比如域控制器、網(wǎng)關(guān)等各種各樣的子系統(tǒng)，它們都需要搭配內(nèi)存產(chǎn)品?！耙郧翱赡躆CU是分散的，它的功能相對沒有那么強、要處理的內(nèi)容少，內(nèi)置存儲即可滿足需求。現(xiàn)在MCU不斷增強，也需要外擴NOR或者DRAM，從這個角度上來講，反而是中小容量存儲的機會變多了。”朱迪說道。

穿越周期，拓展容量和產(chǎn)能

華邦電子的DRAM 產(chǎn)品從25nm演進到20nm，目前主力量產(chǎn)的制程是25nm和25Snm這兩代制程，臺中廠生產(chǎn)25nm，高雄廠去年下半年開始投產(chǎn)25Snm，同時高雄廠已經(jīng)開始量產(chǎn)20nm產(chǎn)品，目前的產(chǎn)能是一萬片/月，后續(xù)會達到1.5-2萬片/月。未來還將會有16nm以及更先進制程的研發(fā)。

DRAM容量上爭取做到更全的覆蓋，包括市場上很少見的1GbLPDDR4，目前最大容量是4Gb，明年預計會有8Gb的產(chǎn)品?？傊浅笕萘俊⒏咚俣?、先進制程、低功耗方向發(fā)展。

NAND Flash制程方面也從46nm、32nm向著最新的24nm演進，容量上已經(jīng)有1Gb、2Gb、4Gb、8Gb的通用容量，同時也有512Mb的小容量產(chǎn)品。朱迪表示，這款512Mb的產(chǎn)品填補了從NOR Flash到NAND Flash的空白。在過去可能NOR Flash到128MB以后需要更大容量的話就只能選擇1Gb容量，而華邦現(xiàn)在的512MB填補了這個容量缺口，也有不錯的性價比。此外還推出了8線的特色產(chǎn)品——OctalNAND，這款產(chǎn)品的帶寬更高，比NOR Flash更具性價比。

朱迪預計下半年存儲市場即便不會出現(xiàn)很強的反彈性復蘇，但至少不會比上半年更差，言下之意存儲行情可能已經(jīng)觸底?，F(xiàn)階段已經(jīng)看到一些客戶在考慮鎖量、鎖價，去談一些比較長期的訂單。尤其在物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯π酒男枨笄熬叭匀豢春谩?br />