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DIP8芯朋微PN8044非隔離電源芯片18V300MA

jf_55571714 ? 來(lái)源:jf_55571714 ? 作者:jf_55571714 ? 2023-07-21 16:09 ? 次閱讀
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PN8044,18V 300MA DIP8 非隔離電源芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源,PN8044內(nèi)置650V高壓啟動(dòng)模塊。

PN8044產(chǎn)品特征:內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET.內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路.優(yōu)化適用于18V輸出非隔離應(yīng)用.PN8044半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率5.4W @230VAC。PN8046半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率9W @230VAC,改善EMI的降頻調(diào)制技術(shù),好的負(fù)載調(diào)整率和工作效率,過(guò)載保護(hù)(OLP)過(guò)溫保護(hù)(OTP)欠壓保護(hù)(UVLO)。

1.高壓?jiǎn)?dòng):在啟動(dòng)階段,PN8044高性能ac-dc電源芯片內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)管提供3mA電流對(duì)外部VDD電容進(jìn)行充電;當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDON,芯片開(kāi)始工作,高壓?jiǎn)?dòng)管停止對(duì)VDD電容充電。啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束后,輸出通過(guò)隔離二極管對(duì)VDD電容提供能量,供芯片繼續(xù)工作。

2. 恒壓工作模式:芯片通過(guò)VDD管腳對(duì)輸出進(jìn)行電壓采樣,VDD電壓經(jīng)過(guò)內(nèi)部分壓電阻分壓得到采樣電壓VRF。當(dāng)VRF低于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓VREF,芯片開(kāi)啟集成的高壓功率管,對(duì)儲(chǔ)能電感充電,當(dāng)電感電流達(dá)到內(nèi)部基準(zhǔn)電流IPEAK,芯片關(guān)閉集成的高壓功率管,由系統(tǒng)二極管對(duì)儲(chǔ)能電感續(xù)流。

3.PFM 調(diào)制:芯片工作在PFM模式,同時(shí)內(nèi)部設(shè)置IPEAK隨芯片工作頻率FSW降低而降低,芯片開(kāi)關(guān)周期每增大1us,Ipeak降低約6mA。由于芯片內(nèi)置采樣,最大Ipeak固定,當(dāng)輸出電壓和輸出電流固定時(shí),電感感量是唯一調(diào)制工作頻率的參數(shù)。建議電感量為0.8~1.6mH, 如果感量過(guò)小,系統(tǒng)帶載能力會(huì)偏小,如果感量過(guò)大,容易造成電感飽和,影響可靠性。

4. 軟啟動(dòng):為了避免非隔離系統(tǒng)啟動(dòng)階段因進(jìn)入深度CCM模式,帶來(lái)較大電流尖峰,PN8044設(shè)置軟啟動(dòng)功能,通過(guò)限制Toffmin降低啟動(dòng)階段的開(kāi)關(guān)頻率。同時(shí)芯片設(shè)計(jì)較小的LEB時(shí)間(300ns),以降低LEB時(shí)間內(nèi)能量大小,避免系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)的高電流尖峰。

5. 智能保護(hù)功能:PN8044高性能ac-dc電源芯片集成全面的保護(hù)功能,包括:過(guò)溫保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)功能,并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。過(guò)溫保護(hù)------當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)150℃,芯片進(jìn)入過(guò)溫保護(hù)狀態(tài),輸出關(guān)閉,當(dāng)芯片結(jié)溫低于120度,芯片重新啟動(dòng)。VDD 欠壓保護(hù) ------ 當(dāng)芯片 VDD 電壓低于VDDoff,芯片重新啟動(dòng)。芯片異常自恢復(fù)的時(shí)間通過(guò)VDD電容調(diào)整,VDD電容越大,自恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng)。

PN8044非隔離AC-DC電源芯片降壓電路,采用BUCK拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),常見(jiàn)于小家電控制板電源以及工業(yè)控制電源供電,其典型電路規(guī)格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等,滿(mǎn)足六級(jí)能效要求。

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審核編輯:湯梓紅

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