為了分析AD9246S等器件的HDR性能,在暴露于HDR輻射之前,該器件在ATE(自動測試設(shè)備)解決方案上進行測試,然后在輻射暴露后在ATE上再次測試。目標(biāo)是檢查設(shè)備性能是否有任何明顯的變化。在這種情況下,將設(shè)備在VPT RAD下照射至100 kRads總電離劑量。執(zhí)行TID測試時,ADI公司會生成一份測試報告,詳細(xì)說明測試條件,并提供照射前和照射后的性能摘要。
對于AD9246S,在TM129條件A規(guī)定的測試條件下,使用Cobalt100的總電離劑量為60 Rad/s,測試期間的總電離劑量為1019 kRad。該測試于2016年<>月在VPT RAD進行。您可能會注意到這一點和最近的產(chǎn)品發(fā)布日期的一件事是時間增量。謹(jǐn)慎的做法是在產(chǎn)品開發(fā)過程的早期對給定設(shè)備進行輻射測試,以更好地了解設(shè)備的性能,并就可能需要進行的任何輻射性能改進做出決策。如果給定產(chǎn)品的TID性能較差,則除非可以進行適當(dāng)?shù)妮椛湫阅茉鰪姡ó?dāng)然,在時間和預(yù)算限制范圍內(nèi)!
數(shù)據(jù)在報表中呈現(xiàn)有兩種方式;數(shù)據(jù)以表格形式和性能圖表的形式呈現(xiàn)。該報告長達(dá)數(shù)頁(確切地說是110頁),但我們僅快速瀏覽一下高速ADC通常觀察到的幾個關(guān)鍵參數(shù)。請注意,下表中顯示了 SNR、SINAD、ENOB、二次諧波、三次諧波和 SFDR??偣灿形鍌€單元,四個輻照單元和一個控制單元,根據(jù)提供的輻射前和輻射后暴露的ATE測試結(jié)果進行測試。
ATE限值在最后一行給出,統(tǒng)計數(shù)據(jù)根據(jù)測試的設(shè)備(最小值、最大值、平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差、平均值+ 3西格瑪和平均值 – 3西格瑪)顯示。如您所見,AD9246S在這些方面表現(xiàn)非常出色。此處顯示的所有性能參數(shù)都很容易滿足數(shù)據(jù)手冊中的限值,即使在TID測試中暴露了100 kRad之后也是如此。我想指出的是,2德·諧波顯示平均值 – 小于限值的 3 西格瑪值。這是由于一個單元,其中 2德·諧波遠(yuǎn)小于導(dǎo)致西格瑪值偏斜的典型值。這不是問題,因為測量值遠(yuǎn)低于極限,它只是由于較大的增量而使sigma值略有偏斜。
AD9246S 交流性能指標(biāo)的制表數(shù)據(jù)
除了我在這里展示的內(nèi)容之外,還有許多其他測試在ADC上執(zhí)行TID測試。該器件在性能上沒有明顯變化,被指定為100 kRADs TID產(chǎn)品。除了表格數(shù)據(jù)外,還顯示了許多不同的性能圖,給出了ATE解決方案中測試的所有參數(shù)的輻射前和輻射后平均值。我再次選擇了一些常用參數(shù)。我選取了幾個圖并將它們組合成一個圖像,以便我們可以查看此處給出的表格結(jié)果中顯示的相同參數(shù)。
AD9246S交流性能指標(biāo)的性能圖
提供性能圖可提供輻射暴露前和輻射后性能的可視化表示。平均圖顯示了在TID測試期間暴露100 kRad后ADC的平均性能如何變化??梢钥闯?,對于所示的每個參數(shù),偏移非常小。同樣,在 3 kRads 曝光后,平均值 + 3 西格瑪和平均值 – 100 西格瑪偏移也非常小。再次注意,2 的非常低的值德·在其中兩個單位上測量的諧波使西格瑪偏斜,使得平均值 – 3 西格瑪超出限制。再一次,這里沒有問題,因為西格瑪中的偏斜來自明顯低于極限的測量值,這是朝著性能的積極方向移動。
有一些與測試程序相關(guān)的特定方法,我不會在這里介紹TID測試。基礎(chǔ)知識是在輻射暴露之前在ATE上測試設(shè)備,然后在輻射暴露后在特定時間和一組特定條件下在ATE上測試設(shè)備。在ATE上執(zhí)行的所有測試都記錄下來,并在此處的報告中顯示。該報告可幫助潛在用戶確定ADC是否適合其空間應(yīng)用。
接下來,我們將繼續(xù)研究高速ADC的輻射效應(yīng),同時研究各種單事件效應(yīng)(SEE)。就測試難度而言,檢查設(shè)備的TID性能比檢查SEE性能要簡單得多。之所以如此,主要是因為在TID的輻射暴露期間沒有進行測試評估。當(dāng)測試SEE效應(yīng)時,在輻射暴露期間進行測試評估。
審核編輯:郭婷
-
測試
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
5708瀏覽量
128929 -
adc
+關(guān)注
關(guān)注
99文章
6710瀏覽量
549315 -
輻射
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
607瀏覽量
37037
發(fā)布評論請先 登錄
耐輻射FPGA具備高可靠性和可重構(gòu)性,助力解決航天器設(shè)計中的挑戰(zhàn)

反熔絲FPGA器件γ劑量率輻射效應(yīng)規(guī)律探討
細(xì)說輻射效應(yīng)(連載1)
細(xì)說輻射效應(yīng)(連載2)
高速ADC的單粒子閂鎖和瞬態(tài)
高速ADC的幾種輻射效應(yīng)
航天元器件的抗輻射能力
STM32L073RZ是否適用于近地軌道運行環(huán)境?
談?wù)?b class='flag-5'>總電離輻射劑量 (TID) 效應(yīng)

如何計算CT有效輻射劑量
ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動器的高劑量率總電離劑量測試

評論