碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。

性能方面：

更低的比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

更高的可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高的工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。

應(yīng)用方面：

第二代碳化硅MOSFET系列新品主要應(yīng)用在新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、太陽能逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、充電樁以及UPS、PFC電源等領(lǐng)域。

碳化硅MOSFET選型

除此，基本半導(dǎo)體在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，能夠更好的應(yīng)用到多樣化的行業(yè)場(chǎng)景中；國芯思辰有非常充足的碳化硅MOSFET庫存，該產(chǎn)品價(jià)格也非常有優(yōu)勢(shì)，如需樣品，可以在國芯思辰官網(wǎng)進(jìn)行申請(qǐng)。

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