華燦光電的“微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法”專(zhuān)利已獲得授權(quán)，授權(quán)公告日為6月9日，授權(quán)公告號(hào)為CN114388672B，該專(zhuān)利能夠提升芯片鍵合強(qiáng)度，使鍵合層與基板和外延結(jié)構(gòu)的連接更緊密，提高芯片的可靠性。

據(jù)專(zhuān)利文件介紹，微型發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)芯片通常包括基板、外延結(jié)構(gòu)、第一電極和第二電極，外延結(jié)構(gòu)層疊于基板的表面，第一電極和第二電極位于外延結(jié)構(gòu)上遠(yuǎn)離基板的表面，且分別與外延結(jié)構(gòu)中的p型層和n型層相連。通常在將外延結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上時(shí)，會(huì)在基板和外延結(jié)構(gòu)之間設(shè)置鍵合層。

然而，相關(guān)技術(shù)中鍵合層上與基板和外延結(jié)構(gòu)貼合相連的兩側(cè)面均為平坦的平面，這樣在芯片遇到應(yīng)力時(shí)，容易使基板或外延結(jié)構(gòu)與鍵合層的部分區(qū)域之間出現(xiàn)脫落的問(wèn)題，影響芯片的可靠性。

針對(duì)上述問(wèn)題，華燦光電研發(fā)了相關(guān)解決方案。根據(jù)專(zhuān)利文件顯示，“微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法”公開(kāi)提供了一種微型發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。

該微型發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的基板、鍵合層和發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述發(fā)光結(jié)構(gòu)靠近所述基板的表面設(shè)有多個(gè)第一凸起，所述第一凸起靠近所述基板的一端的端面面積大于所述第一凸起與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)相連的一端的端面面積；所述基板靠近所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有多個(gè)第二凸起，所述第二凸起靠近所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的一端的端面面積大于所述第二凸起與所述基板相連的一端的端面面積。

專(zhuān)利是自主創(chuàng)新技術(shù)的護(hù)城河。自2005成立至今，創(chuàng)新精神已經(jīng)刻入華燦的文化骨髓里。通過(guò)“工程師文化+歸國(guó)博士+資深業(yè)內(nèi)人士”相結(jié)合的模式，華燦光電引領(lǐng)了多項(xiàng)業(yè)內(nèi)的技術(shù)革新。作為國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心聯(lián)合開(kāi)發(fā)中心以及浙江省第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，截止到 2023 年 5 月 31 日，華燦光電擁有申請(qǐng)專(zhuān)利1411項(xiàng)，授權(quán)專(zhuān)利902項(xiàng)，其中海外發(fā)明專(zhuān)利 48 項(xiàng)。未來(lái)，華燦光電將進(jìn)一步加快在第三代半導(dǎo)體研發(fā)技術(shù)的投入，與行業(yè)伙伴一起，共創(chuàng)美好生活。
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