電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,TrendForce報(bào)告顯示,6月初,DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場(chǎng)上的價(jià)格已基本持平,有些DDR4芯片的價(jià)格甚至高于DDR5芯片,呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。
發(fā)表于 06-27 00:27
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隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長(zhǎng),DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急,但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD(Serial Presence Detect)芯片。
發(fā)表于 06-11 10:07
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最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比;DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱(chēng) DDR4 上調(diào) 20%,DDR5 上調(diào)
發(fā)表于 05-13 01:09
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推動(dòng)電腦邁入新一輪升級(jí)周期。相比服役多年的DDR4,DDR5不僅帶來(lái)更快的速度,還能提升游戲幀率、加快視頻渲染效率,甚至延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間。(主板上的內(nèi)存插槽位置)問(wèn)
發(fā)表于 04-18 10:34
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全球工業(yè)級(jí)嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技,近期正式推出了其最新的工業(yè)級(jí)DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品,為高性能運(yùn)算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
發(fā)表于 02-08 10:20
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創(chuàng)見(jiàn)(Transcend)近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條,為硬件市場(chǎng)注入新活力。 該系列最先面世的型號(hào)為16GB容量單條模組,專(zhuān)為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
發(fā)表于 01-24 11:16
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DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類(lèi)型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下是它們之間的性能對(duì)比: 一、
發(fā)表于 11-29 15:08
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據(jù)傳輸速率相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起始速率為2133MT/s,而DDR5內(nèi)存的起始速率為4800MT/s。這意味著DDR5內(nèi)存在相同的時(shí)間內(nèi)可以傳輸更多的數(shù)據(jù)
發(fā)表于 11-29 14:58
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DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)
發(fā)表于 11-22 15:38
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在系統(tǒng)級(jí)仿真中,與DDR4-3200 相比,更高數(shù)據(jù)速率下的 DDR5 的有效帶寬幾乎是其兩倍。這種改進(jìn)是通過(guò)提高數(shù)據(jù)速率和增強(qiáng)架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。DDR5 包含從 3200 MT/s 到
發(fā)表于 11-14 11:12
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電感以其卓越的電氣性能和出色的損耗控制能力,成為了DDR5系統(tǒng)中的理想選擇。而與之搭配的WCX系列,則通過(guò)其精細(xì)的設(shè)計(jì)和制造工藝,確保了電感在高頻、高電流環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。兩者相得益彰,共同為DDR5
發(fā)表于 10-25 11:09
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近日,據(jù)外媒報(bào)道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%,這一舉動(dòng)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對(duì)DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
發(fā)表于 08-14 15:40
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M5513是一款適用于下一代DDR5多路復(fù)用列雙列直插存儲(chǔ)器的全包式存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)
存儲(chǔ)器模塊(MR-DIMM)。該測(cè)試系統(tǒng)以極快的速度運(yùn)行,是長(zhǎng)期運(yùn)行的理想解決方案
DIMM開(kāi)發(fā)和
發(fā)表于 08-06 12:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)最近,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)即將推出。在標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布之前,SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR5
發(fā)表于 07-31 18:26
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DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒(méi)有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開(kāi)始使用DDR5沒(méi)有,你有關(guān)
發(fā)表于 07-16 17:47
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評(píng)論