引線鍵合是指在半導體器件封裝過程中，實現(xiàn)芯片（或其他器件）與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術，引線鍵合因其靈活和易于使用的特點得到了大規(guī)模應用。引線鍵合工藝是先將直徑較小的金屬線（一般是直徑為25μm 的金線）連接到芯片的金屬焊盤（一般是鋁焊盤）上，再將金屬線的另一端連接到基板或框架上從而形成互連。該工藝利用調節(jié)溫度、壓力、超聲波能量和時間參數(shù)，實現(xiàn)芯片與基板或框架間的電氣互連、芯片散熱和芯片間的信息互通。引線鍵合屬于固相鍵合中的一種，其鍵合 原理是引線與芯片焊盤間發(fā)生電子的跨區(qū)遷移、共享及不同原子的相互擴散，使金屬實現(xiàn)原子量級上的鍵合，從而實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的連接。

按外加能量的不同，引線鍵合可分為超聲鍵合、熱壓鍵合和熱超聲鍵合；按劈刀類型的不同，引線鍵合可分為楔形鍵合和球形鍵合。目前，電子封裝行業(yè)使用較多的是超聲球形鍵合技術，配合使用的線材多為金線、銅線，因為金線具有高抗拉強度、高導電性、高可靠性和強抗氧化性。此外，鋁線因為特殊的氧化性能導致不易成球，因此鋁線和鋁帶多用于楔形鍵合。電子封裝行業(yè)中應用引線鍵合的封裝形式有 TSSOP、 QFN 、DFN、 BGA 以及3D封裝等。

引線鍵合工藝流程如下圖

線拉力試驗（Pull Test）和球剪切試驗（Shear Test)通常被用于測量、評估鍵合強度．試驗可分為破壞性試驗和非破壞性試驗兩種，其試驗方法和標準一般采用的是美國軍工標準（MIL-STD-883 Method 2011.9)。高溫存儲試驗(HTST)、熱沖擊和熱循環(huán)試驗（TS&TCT)、濕氣相關的可靠性試驗 (PCTHAST)和電遷移試驗（ET） 主要用于評價引線鍵合封裝的可靠性，其試驗條件和方法一般采用JEDEC 的相關標準。

早期引線鍵合使用的主要線材為金線，金線材成本較高，且金線鍵合界面金屬間化合物 (Intermetallic Corapound， IMC）生長速率快，易于生成白斑。影響鍵合的可靠性。為順應封裝技術逐漸向高密度和細間距的發(fā)展趨勢，其他高導熱和高導電性能的金屬線材（主要為銅線和銀線）被逐漸使用在引線鍵合中。金、銅、銀的熱導率分別為 320W/(m ?K)、400W/(m ?K)、430W/（m ?K），其電阻率分別為 2.20Ω ?m、1.72Ω ?m、1.63Ω ?m。由于銅的易氧化性和銀的易電遷移性，使得鍍鈀銅線和銀合金線成為封裝行業(yè)中使用較多的鍵合線材。與線材相對應的芯片焊盤材料有鋁焊盤、金焊盤，以及更適合銅線鍵合的鎳鈀金焊盤等。

金線一般采用99.99%的純金，直徑為 15~50μm，具有優(yōu)良的 HAST 可靠性能，多用于有高可靠性要求的軍工和航空航天電子器件。

銅線采用 99.99%的純銅，直徑一般為 18~50μm。鍍鈿銅線直徑一般為 18~30μm，內部芯材采用99. 99%的純銅，外部為鍍鈀層（厚度為 50~100nm）。因鍍鈀銅線的 HAST 可靠性優(yōu)于銅線，銅線多用于框架類封裝，而鍍鈀銅線則多用于基板類封裝。

銀合金線的直徑一般為 16~75μm，分為低銀合金線（銀含量為 88%）、中銀合金線（銀含量為 95%）和高銀合金線（銀含量為 98%），多應用于 LED 封裝和基板類封裝，但其基板類封裝的 HAST 可靠性低于鍍鈀銅線，且高銀線材的可靠性低于中銀線材。