采用Mini/MicroLED技術(shù)的產(chǎn)品，包括背光和直顯，因?yàn)樯蚋鼜V、顏色更飽和、亮度、對(duì)比度均超越HDR，峰值亮度可以提升3~5倍，同時(shí)比OLED省電多達(dá)80%，而顯示壽命比OLED延長3~5倍等等巨大的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。

然而，在Mini/MicroLED產(chǎn)品的量產(chǎn)過程中，芯片的轉(zhuǎn)移技術(shù)和成本一直是整個(gè)行業(yè)的痛點(diǎn)，導(dǎo)致現(xiàn)階段Mini/MicroLED產(chǎn)品仍然價(jià)格偏高，普及率不高。以蘋果公司推出的iPad Pro為例，該產(chǎn)品采用了12.9英寸的MiniLED背光，總計(jì)使用了10384顆MiniLED芯片，按照傳統(tǒng)的LED固晶設(shè)備的速度不超過25K（實(shí)際生產(chǎn)）來計(jì)算，需要24分鐘才能完成一片，效率極低。如果按照蘋果iPad, Notebook, Mac系列出貨量一年6000萬臺(tái)計(jì)算，單純蘋果一家，做背光產(chǎn)品，需要大致5000臺(tái)以上傳統(tǒng)的固晶設(shè)備。

對(duì)Mini/MicroLED產(chǎn)業(yè)更致命的是，Mini/MicroLED的直顯需要固晶的數(shù)量是背光兩個(gè)數(shù)量級(jí)的提升，以一個(gè)65英寸、用于直顯的MiniLED產(chǎn)品為例，要實(shí)現(xiàn)1080p的顯示效果至少需要六百多萬個(gè)芯片，如果使用傳統(tǒng)的固晶設(shè)備，要生產(chǎn)一臺(tái)這樣的產(chǎn)品，單純打件時(shí)間就需要200多個(gè)小時(shí)，從設(shè)備投資，廠房投資，耗電，耗氣整個(gè)生產(chǎn)來說，是整個(gè)Mini/MicroLED行業(yè)不能承受之重，所以，如何廉價(jià)高效的完成海量的芯片轉(zhuǎn)移成了整個(gè)Mini/MicroLED行業(yè)最需要解決的技術(shù)和成本痛點(diǎn)。

經(jīng)過五年的研發(fā)，普萊信智能推出新一代Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備XBonder Pro, 最高UPH可以達(dá)到720K，無論是相對(duì)于傳統(tǒng)擺臂式固晶解決方案，還是國際廠商在主推的Stamp（印章）式巨量轉(zhuǎn)移方案或激光式巨量轉(zhuǎn)移方案，都在技術(shù)、設(shè)備投資、廠房建設(shè)、生產(chǎn)成本（耗電，耗氣，潔凈房）上有著顛覆性的成本優(yōu)勢(shì)：

一、全球領(lǐng)先的刺晶工藝：傳統(tǒng)的固晶機(jī)均為Pick&Place模式，XBonderPro采用倒裝COB刺晶工藝；

二、超高速：傳統(tǒng)高速固晶機(jī)生產(chǎn)速度（UPH）不高于40K，XBonderPro最高生產(chǎn)速度達(dá)到720K；

三、高精度：根據(jù)芯片尺寸及Pitch大小，貼裝精度控制在±15μm以內(nèi)，最高精度達(dá)到±5μm；

四、全尺寸芯片支持：支持芯片尺寸10μm~800μm，覆蓋從MicroLED到MiniLED的全芯片尺寸；

五、背光直顯全支持：根據(jù)芯片大小，芯片間距可以做到最小10μm，支持各種RGB模式的直顯打件需求；

六、占地小，能耗低：在相同UPH產(chǎn)能下，占地空間、耗電、耗氣量為傳統(tǒng)固晶機(jī)的15%以下；

七、支持大基板：XBonder Max專為大尺寸基板設(shè)計(jì)，最大可以支持500x600的基板；

八、工藝簡單：不需要排片工藝，在傳統(tǒng)分選上直接打件，規(guī)避了激光或者Stamp方式巨量轉(zhuǎn)移在排片上的瓶頸，極大降低設(shè)備投資，占地和能耗。

XBonder Pro打件技術(shù)性能表

XBonder Pro支持直顯及背光MicroLED到MiniLED全芯片尺寸，無論和傳統(tǒng)擺臂式固晶方案，還是和Stamp（印章）式或者激光式巨量轉(zhuǎn)移方案比較，在技術(shù)、設(shè)備投資、生產(chǎn)成本上都有著巨大優(yōu)勢(shì)。

XBonder Pro和傳統(tǒng)擺臂式固晶方案對(duì)比

XBonder Pro相對(duì)傳統(tǒng)擺臂式固晶方案具備的優(yōu)勢(shì)：

一、技術(shù)優(yōu)勢(shì)：傳統(tǒng)擺臂式固晶設(shè)備最小支持75μm以上芯片，而XBonder Pro可支持升級(jí)到50μm以下的MicroLED芯片，具有更高的精度和良率；

二、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)：1臺(tái)XBonder Pro相當(dāng)于6臺(tái)以上傳統(tǒng)擺臂式產(chǎn)能，XBonderPro設(shè)備投資比傳統(tǒng)擺臂式固晶方案低20%以上，耗電、耗氣、人工只需傳統(tǒng)擺臂式固晶方式的六分之一以下。

XBonder Pro 和Stamp（印章）式巨量轉(zhuǎn)移方案對(duì)比

XBonder Pro相對(duì)Stamp(印章)式巨量轉(zhuǎn)移方案具備的優(yōu)勢(shì)：

一、技術(shù)優(yōu)勢(shì)：Stamp(印章)式巨量轉(zhuǎn)移方案致命的弱點(diǎn)是仍需要采用傳統(tǒng)的Pick&Place模式先進(jìn)行排片，這種模式下最小只能做到50μm芯片，無法支持MicroLED50μm以下芯片，而XBonder Pro可以升級(jí)到MicroLED50μm以下芯片；

二、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)：如果算上排片設(shè)備，在相同產(chǎn)能下，XBonderPro設(shè)備投資只有Stamp(印章)式巨量方案的30%左右，占地空間、耗電、耗氣、人工只需Stamp(印章)式巨量方案的六分之一以下。

XBonder Pro 和激光式巨量轉(zhuǎn)移方案對(duì)比

XBonder Pro相對(duì)激光巨量轉(zhuǎn)移方案具備的優(yōu)勢(shì)：

一、技術(shù)優(yōu)勢(shì)：雖然，激光巨量轉(zhuǎn)移單機(jī)擁有速度優(yōu)勢(shì)，但其致命的弱點(diǎn)是仍需要采用傳統(tǒng)的Pick&Place模式先進(jìn)行高精度排片，這種模式下速度上不去，且最小只能做到50μm芯片，無法升級(jí)到MicroLED50μm以下芯片。

二、設(shè)備投資和生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)：如果算上需要的排片設(shè)備，在相同產(chǎn)能下，XBonderPro設(shè)備投資只有激光式巨量方案的30%左右，耗電、耗氣、人工只需激光式巨量方案的六分之一以下。

可以看出，不管是傳統(tǒng)擺臂式固晶方案，還是Stamp(印章)式和激光式巨量轉(zhuǎn)移方案相比較，XBonder Pro采用的針刺式巨量轉(zhuǎn)移方案都擁有巨大的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)，以年產(chǎn)600萬片12.9寸背光產(chǎn)品的產(chǎn)線為例，XBonder Pro設(shè)備投資將節(jié)省30%以上，同時(shí)，每年的耗電，耗氣，潔凈房開支將節(jié)省數(shù)千萬元。在經(jīng)濟(jì)下行，成本優(yōu)先的大環(huán)境下，XBonder Pro的普及將極大降低Mini/MicroLED芯片轉(zhuǎn)移成本，為Mini/MicroLED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入活力。

審核編輯黃宇