MOSFET管驅(qū)動包括:DSP 發(fā)波，與門SN74HC08DR組成的硬件復位電路，驅(qū)動芯片IR21814驅(qū)動電路幾個部分，對于DSP發(fā)出的PWM波其死區(qū)是靠程序決定，并且死區(qū)誤差可以不計。與門SN74HC08DR的轉(zhuǎn)換延時如下表。

表1 SN74HC08DR的傳輸延時

所以經(jīng)過SN74HC08DR后，死區(qū)時間為：

其中：

為DSP設(shè)定死區(qū)，

為上升沿傳輸延時，

為下降沿傳輸延時。

VCC = 3.3V，工作溫度-40℃～75℃，所以經(jīng)過SN74HC08DR后，死區(qū)會減少約10～20nS。

所用的IR21814驅(qū)動電路如下圖所示：

圖1 IR21814驅(qū)動電路

我們不考慮電阻，電容偏差帶來的延時誤差，所以驅(qū)動電路對死區(qū)時間的影響主要是IR21814的驅(qū)動上升延時和下降延時的偏差，如下圖1所示。

圖1 IR21814驅(qū)動延時

圖2 IR21814驅(qū)動延時

如下圖所示，考慮功率管的安全關(guān)斷電壓為0～2V，從IR21814一個功率管關(guān)斷到另一個開通的標準時間差：

最大時間差為：

而其次，功率管還存在開通和關(guān)斷延時，如下圖所示。

圖3 SPP20N60C3 驅(qū)動延時

所以，功率管驅(qū)動開通和關(guān)斷延時標準偏差為：

開通和關(guān)斷延時最大偏差：

所以如果僅從設(shè)計上考慮，功率管的驅(qū)動安全死區(qū)：

10nS + 95nS + 98nS = 203nS

必須保證大于：60nS + 56.5nS = 115.6nS

以往項目的死區(qū)多設(shè)置在150～190nS，都比計算的安全死區(qū)時間小，根據(jù)器件專家反饋，象IR21814和SPP20N60C3這類器件，實際上取到廠家給定最大參數(shù)的概率是非常低的。

模塊原來死區(qū)時間設(shè)置為190nS時，測量到功率管驅(qū)動死區(qū)時間如下圖所示，以3V為功率管安全關(guān)斷電壓時，死區(qū)時間大于166nS，如果以0V電壓為絕對安全關(guān)斷電壓時，死區(qū)時間如圖8所示，有116nS，

圖4 上管導通和下管關(guān)斷時死區(qū)

圖5 上管關(guān)斷和下管導通時死區(qū)

圖6 上管關(guān)斷和下管導通時死區(qū)

以上是（Vg1為Q120的驅(qū)動電壓，Vg2為Q121的驅(qū)動電壓）