負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710增速增長(zhǎng)

同步整流芯片的主要應(yīng)用市場(chǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)消費(fèi)將以年均38.1%的增速增長(zhǎng)，至2026年市場(chǎng)達(dá)79.64億元。雖然下游手機(jī)市場(chǎng)總體增量放緩，但同步整流芯片的滲透率仍在上升，增長(zhǎng)空間巨大。多些了解和嘗試，從負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710開(kāi)始！

負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710內(nèi)部集成智能開(kāi)通檢測(cè)功能,可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds 振蕩引起的SR誤開(kāi)通。5V輸出直接給VDD供電, 無(wú)需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統(tǒng)成本降低。

U7710

負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710開(kāi)通階段，變壓器副邊續(xù)流階段開(kāi)始時(shí)，同眇整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds 電壓(<-500mV)。

該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于U7710內(nèi)部MOSFET開(kāi)啟檢測(cè)閾值，(典型值-200mV)，故經(jīng)過(guò)開(kāi)通延遲（典型值20nS）后內(nèi)部MOSFET開(kāi)通。

關(guān)斷階段，在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間，U7710采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。

當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值(典型值-6mV)，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約20ns）后被關(guān)斷。

U7710

負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710主要特性：

1.反激拓?fù)涓边呁秸鞴β书_(kāi)關(guān)

2.支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)

3.<200uA 超低靜態(tài)電流

4.內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無(wú)需VDD輔助繞組供電

5.內(nèi)置 40V 功率 MOSFET

6.支持 Low Side 配置

7.智能開(kāi)通檢測(cè)功能防止誤導(dǎo)通

8.精準(zhǔn)的 SR MOSFET 關(guān)斷控制

9.<20nS 開(kāi)通和關(guān)斷延遲

10.封裝信息 SOP-8

負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710支持Low Side配置，同時(shí)支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7710采用輸出直接供電，無(wú)需輔助繞阻供電，也無(wú)需VDD電容，簡(jiǎn)化了外圍電路，降低系統(tǒng)成本。

審核編輯：劉清