上一篇文章探討了通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)應(yīng)用小型化時的注意事項。本文將通過輸入電壓升高的案例，來探討損耗增加部分、注意事項及相應(yīng)的對策。

探討高輸入電壓應(yīng)用時的注意事項

對于DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入電源來說，通常工業(yè)設(shè)備的12V總線等幾乎是恒定電壓，而汽車的電池電壓等雖然標稱12V，但需要考慮到瞬態(tài)波動等因素，設(shè)想相當寬范圍的電壓進行設(shè)計。

本文將在此前提到的條件（輸入電壓12V，最高達60V）下來探討效率。

在“損耗因素”一文的公式中提到，輸入電壓的升高能夠?qū)π试斐捎绊懙氖恰伴_關(guān)損耗”。

＜隨著輸入電壓 VIN 的升高而增加的損耗因素＞

?開關(guān)損耗

從公式可以看出，開關(guān)損耗隨VIN的升高而增加，由于是乘法算式，因此將會造成很大的影響。

下面來實際計算一下當VIN為12V和60V時的損耗。

PSWH(12VIN)＝0.5×12V×2A×(20 nsec＋20 nsec)×1MHz＝0.48W
PSWH(60VIN)＝0.5×60V×2A×(20 nsec＋20 nsec)×1MHz＝2.4W

VIN升高了5倍，所以計算后開關(guān)損耗也增加了5倍。下圖為相對于輸入電壓的整體損耗變化示意圖。基本上開關(guān)損耗是主要增加的損耗。

考慮因素及對策

要將輸入電壓范圍擴展為12V～60V，需要對當初選擇用于12VIN的MOSFET重新評估包括額定電壓（耐壓）在內(nèi)的幾項規(guī)格。以下匯總了重新評估要點和注意事項。

在使用開關(guān)晶體管（MOSFET）外置的控制器IC的案例中，重新評估MOSFET的額定電壓（VD）。

開關(guān)損耗會增加，因此MOSFET的容許損耗也需要重新評估。

隨著MOSFET的變更，探討采用tr和tf更快且導(dǎo)通電阻和Qg低的產(chǎn)品。

電源規(guī)格中，如果能夠降低開關(guān)頻率就將其降低。如果將fSW減半（降至500kHz），則損耗也會減半。

如果是開關(guān)晶體管內(nèi)置型的IC，則需要對IC本身進行評估。

至此僅考慮了損耗方面的因素，其實在涉及更高輸入電壓時，還有一項考慮因素。雖然并非本文的主題內(nèi)容，但在現(xiàn)實中是非常重要的，因此在這里提一下。

應(yīng)該是將最大60VIN降壓至5VOUT，但降壓比受電源IC的控制參數(shù)之一的最小導(dǎo)通時間的限制，故必須對降壓比和最小導(dǎo)通時間進行探討。由于降壓比是60：5，按開關(guān)頻率1MHz進行簡單計算的話，需要能夠控制周期1μs的1/12、即83.3ns的導(dǎo)通時間的電源IC。然而，現(xiàn)實中最小導(dǎo)通時間83.3ns以下的電源IC并不多。在ROHM的產(chǎn)品中，DB9V100MUFF這款電源IC可以滿足該條件，但在多數(shù)情況下，很多產(chǎn)品因無法滿足最小導(dǎo)通時間要求而被迫降低開關(guān)頻率。如果降低開關(guān)頻率，則不僅需要重新確認損耗，其他相關(guān)的所有元器件常數(shù)等都需要重新確認。但在車載設(shè)備中，基本上都要求2MHz以上的開關(guān)頻率，因此無法通過降低開關(guān)頻率來解決該問題。

綜上所述，在探討高電壓應(yīng)用時，需要考慮到降壓比和損耗增加這兩方面的因素。

審核編輯：湯梓紅