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Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

汽車電子技術(shù) ? 2023-02-03 18:19 ? 次閱讀
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Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)發(fā)布了氮化鎵功率場效應(yīng)管(FET)的最新可靠性指標(biāo)??煽啃圆捎檬剩‵IT)來衡量,這種分析方式考慮了在應(yīng)用現(xiàn)場使用時客戶報告的故障器件數(shù)量。到目前為止,基于超過850億小時的現(xiàn)場操作進(jìn)行測量,該公司全部產(chǎn)品組合的可靠性已達(dá)到平均值小于0.1 FIT的水平。這一指標(biāo)在業(yè)界名類前茅,也是目前GaN電源解決方案中唯一報告的寬功率譜可靠性指標(biāo)。

Transphorm在構(gòu)建其GaN平臺之初便考慮了可靠性,在寬帶隙技術(shù)剛進(jìn)入市場時便深知其重要性:盡管GaN擁有比硅基晶體管更高的性能,但若非器件在實(shí)際使用中出現(xiàn)故障,客戶不會在當(dāng)時選擇切換到新技術(shù)。2019年,Transphorm成為首家公布完整驗(yàn)證數(shù)據(jù)集以支持其可靠性聲明的GaN制造商。自此之后,該公司定期分享其GaN可靠性成果,幫助潛在客戶在選擇半導(dǎo)體供貨商時做出明智的決策。Transphorm上一次報告其FIT率是在2022年第一季度,數(shù)值小于0.3。

今年,Transphorm在改變客戶評估GaN FET選項(xiàng)方面又向前邁出了一步。公司經(jīng)過考慮,將其可靠性數(shù)據(jù)分為兩類:

低功率:用于功率級別≤ 500W的應(yīng)用中的GaN器件

高功率:用于功率級別》 500W的應(yīng)用中的GaN器件

如果按功率級別類型來考察器件性能,Transphorm旗下GaN FET的可靠性指標(biāo)如下,這些指標(biāo)與硅基功率器件極為相近:

低功率:0.06 FIT

高功率:0.19 FIT

Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展與營銷高級副總裁Philip Zuk表示:“我們的高壓GaN器件適合極為廣泛的應(yīng)用,涵蓋極為廣泛的功率譜,目前為45瓦到4千瓦,隨著GaN在新市場的應(yīng)用,有可能達(dá)到10千瓦以上。這表明我們的技術(shù)具有顯著的通用性。然而,我們也意識到,僅僅報告涵蓋所有應(yīng)用類型的單一可靠性指標(biāo),可能對客戶不會有太大幫助。我們認(rèn)為有必要幫助他們獲得細(xì)分度更高的數(shù)據(jù),以適用于客戶的具體設(shè)計(jì)要求。因此,我們在低功率和高功率之間做了細(xì)分?!?/p>

跨行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商

Transphorm憑借其器件質(zhì)量和可靠性繼續(xù)保持高壓GaN的領(lǐng)導(dǎo)地位。該公司向各種終端市場發(fā)貨,如適配器、PC計(jì)算、區(qū)塊鏈、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電力存儲等。

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一,持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項(xiàng),在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式,公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進(jìn)行創(chuàng)新:設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。

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