在 2022 年 12 月的 IEDM 會(huì)議上，Imec 展示了“Semi-damascene Integration of a 2-layer MOL VHV Scaling Booster to Enable 4-track Standard Cells”，我不僅有機(jī)會(huì)閱讀這篇論文并看到它的展示，而且采訪其中一位作者 Zsolt Tokie。

邏輯設(shè)計(jì)由標(biāo)準(zhǔn)單元構(gòu)建，例如反相器、與非門、掃描觸發(fā)器和其他單元。標(biāo)準(zhǔn)單元的寬度是一定數(shù)量的接觸多晶硅間距 (CPP)，具體取決于單元類型以及單元是否具有單擴(kuò)散中斷或雙擴(kuò)散中斷，例如，對(duì)于單擴(kuò)散中斷，2 輸入 NAND 門的寬度為 3CPP，并且4CPP 寬，用于雙擴(kuò)散斷裂。標(biāo)準(zhǔn)單元的高度的特征在于金屬 2 間距 (M2P) 乘以軌道（M2P 的數(shù)量）。

由于擴(kuò)展 CPP 和 M2P 變得越來越困難，設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 在使用減少軌道等技術(shù)進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)變得越來越重要。目前最小單元一般為6軌，也出現(xiàn)了一些5軌單元格。在本文中，Imec 討論了實(shí)現(xiàn) 4 軌道單元的路由技術(shù)。

圖 1. 展示了 Imec 從 9 軌到 4 軌的路線圖。

在進(jìn)入這里描述的路由技術(shù)之前，我想簡(jiǎn)單地談?wù)剢卧叨瓤s放的其他要求，簡(jiǎn)單地談?wù)?M2P 和軌道忽略底層設(shè)備結(jié)構(gòu)。單元高度必須適合 n 和 p FET、n 到 p 間距和邊界寬度。從 FinFET 到水平納米片 (HNS) 的過渡通過從占據(jù)水平空間的多個(gè)鰭片切換到垂直方向的納米片堆疊來提供 n 和 p FET 的縮放。

Forksheets (FS) 和埋入式電源軌 (BPR) 等技術(shù)是 Imec 正在開發(fā)的用于解決器件高度問題的其他選項(xiàng)，例如 BPR 可以用基板中的高薄電源軌代替寬金屬 2 電源軌，從而減少邊界寬度，和 forksheets 可以減少 n-to-p 間距。

前沿工藝已經(jīng)在 metal-1 層下引入了中間互連層，這些附加層在 Imec 的術(shù)語中通常稱為 Metal 0 (M0) 或 Mint。要獲得 4 軌道單元，單個(gè) M0 層不足以互連設(shè)備。在這項(xiàng)工作中，M0A 和 M0B 添加到 Mint 下方，并且在一種新穎的工藝架構(gòu)中，Mint 用作掩模以在 M0B 中執(zhí)行尖端到尖端的切割。

Mint 通過 VintB 向下連接到 M0B，并通過 VintG 向下連接到柵極觸點(diǎn)。M0B 通過 Via V0A 向下連接到 M0A 的源極漏極。

圖 2 說明了具有 Mint 的 4 軌道單元中的擁塞，圖 3 說明了添加 M0B 和 M0A。

圖 2. 僅包含 Mint 的擁塞單元格。

圖 3. 通過添加 M0B 和 M0A 解決擁塞問題。

為了實(shí)現(xiàn)所需的尖端到尖端的緊密間距，M0B 使用自對(duì)準(zhǔn)切割，其中 Mint 作為掩模，這需要減法金屬化工藝。這里使用的金屬化層是使用半鑲嵌技術(shù)沉積的釕（與銅不同，釕可以干法蝕刻），見圖 4。

圖 4. 半鑲嵌。

自對(duì)準(zhǔn) M0B 切割如圖 5 所示。

圖 5. M0B 自對(duì)齊切割。

通過添加兩層并使用自對(duì)準(zhǔn)切割和 4 軌道單元可以互連。如果底層器件結(jié)構(gòu)也可以實(shí)現(xiàn)所需的縮放，則此互連方案提供了通往 4 軌道單元和繼續(xù)縮放的路徑。

imec用四張圖，展示芯片未來發(fā)展路線圖

上個(gè)月中，SEMICON West 2022于舊金山的 Moscone 中心隆重舉行。展會(huì)前，Imec 在Moscone 中心附近的Marriott Marquee 舉辦了一場(chǎng)技術(shù)論壇。近年來，Imec 論壇已經(jīng)從我介紹的工藝技術(shù)轉(zhuǎn)向更多的系統(tǒng)和應(yīng)用論壇，但仍有一些工藝內(nèi)容。

在 Luc Van den hove 的演講中，他展示了如圖 1 所示的路線圖幻燈片。

圖 1. Imec 路線圖

對(duì)于某些圈子里關(guān)于摩爾定律死亡的所有討論，Imec 路線圖展示了十多年的持續(xù)邏輯擴(kuò)展。

在 N2 節(jié)點(diǎn)上，Imec 展示了向 Gate-All-Around (GAA) 納米片的過渡，三星正在為其 3nm 節(jié)點(diǎn)引入 GAA 納米片，英特爾和臺(tái)積電宣布用于 2nm（英特爾 20A）的 GAA 納米片。經(jīng)過兩代納米片后，Imec 過渡到了 Forksheets。這是納米片的一種變體，可降低cell的軌道高度。

目前，我不清楚 Imec 的 Forkseheet 提案在設(shè)備制造商中的吸引力有多大，因?yàn)槲艺娴臎]有看到除Imec 之外的 供應(yīng)商在Forksheets 上做任何的工作。在 Forksheet 的兩代之后，Imec 開始引入 CFET。供應(yīng)商們?cè)?CFET 方面做了大量工作，尤其是英特爾和臺(tái)積電。上一代 CFET 引入了原子級(jí)薄片。

在 Geert Van der Plas 的演講中，關(guān)于潛在路線圖的更多細(xì)節(jié)被提出。

圖 2. Imec 路線圖晶體管密度

從圖 2 中可以看出，盡管密度繼續(xù)增加，但速率下降到每個(gè)節(jié)點(diǎn)的 1.2 倍至 1.3 倍。

圖 3 顯示了標(biāo)準(zhǔn)單元、背面、生產(chǎn)線后端和 CMOS 2.0 創(chuàng)新的擴(kuò)展路線圖的一些額外細(xì)節(jié)。標(biāo)準(zhǔn)單元微縮越來越受到設(shè)計(jì)-技術(shù)-協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 的推動(dòng)，例如單擴(kuò)散中斷（single diffusion break）、有源柵極上的接觸（contact over active gate）、叉板墻（forksheet wall）等。晶圓背面正成為通過背面功率傳輸進(jìn)行微縮的關(guān)鍵部分。BEOL 將需要新的材料和圖案化技術(shù)來支持更密集的設(shè)備。

圖 3. 晶體管縮放創(chuàng)新

圖 4 展示了晶圓背面的一些選項(xiàng)，不僅提供背面功率傳輸，還可能包含有源器件。

圖 4. 背面選項(xiàng)

之后，我參加了由 Linx Consulting 主持的“與制造 3D 設(shè)備和結(jié)構(gòu)相關(guān)的獨(dú)特挑戰(zhàn)，包括 GAA、3D DRAM 和 3D NAND”技術(shù)講座。

三星的演講者 Nabil Mistkawi 表示，在 7nm 及以下的drying 可能需要五個(gè)步驟來防止圖案塌陷（pattern collapse），這確實(shí)說明了前沿技術(shù)帶來的制造困難.

Screen 的 Ian Brown 更詳細(xì)地介紹了前沿的圖案塌陷以及cleaning 和drying挑戰(zhàn)。

對(duì)于邏輯器件，淺溝槽隔離/鰭的形成和多晶硅后蝕刻是關(guān)鍵步驟。納米片增加了很多表面，其中一些是隱藏的，水平納米片釋放非常關(guān)鍵。3D NAND 氮化硅去除需要一個(gè)快速的過程，但您必須避免二氧化硅沉淀。DRAM 有源和電容器的形成非常關(guān)鍵。

拉普拉斯壓力和表面張力會(huì)導(dǎo)致 3D 結(jié)構(gòu)坍塌。Spin dryers已被 IPA dryers取代，但它們對(duì)表面狀態(tài)很敏感。今天，在干燥前修改親水表面使其具有疏水性是最先進(jìn)的邏輯。

在工業(yè)早期，顆粒通過在其下方蝕刻去除，然后過渡到兆聲波（megasonics），但在 65nm 以下存在損壞問題。今天使用spin cleaners ，但如果壓力過高，它們會(huì)造成損壞。目前可用的最佳drying技術(shù)是超臨界二氧化碳，但由于設(shè)備成本的原因，它速度慢且成本高。

最后，應(yīng)用材料公司的 Aviram Tam 討論了檢測(cè)和計(jì)量挑戰(zhàn)。3D 結(jié)構(gòu)需要一種可以查看結(jié)構(gòu)的技術(shù)。高能電子束能夠觀察結(jié)構(gòu)并表征結(jié)構(gòu)尺寸與深度的關(guān)系。隨著 EUV 光學(xué)覆蓋的出現(xiàn)不再足夠準(zhǔn)確，這里也正在研究 eBeam。

未來二十年，芯片要到這些墻

近日，在 SEMICON West 開始之前，imec 舉辦了年度國(guó)際技術(shù)論壇 (ITF)。會(huì)上，imec 總裁兼首席執(zhí)行官 Luc Van den hove 介紹了他對(duì) 20 年技術(shù)路線圖的看法，他表示，該路線圖比該行業(yè)過去幾十年取得的成就更加激進(jìn)。而imec將利用我們的核心半導(dǎo)體專業(yè)知識(shí)，通過在半導(dǎo)體技術(shù)層面、系統(tǒng)和應(yīng)用層面的共同創(chuàng)新。

Luc Van den hove首先表示，半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期以來一直遵循傳統(tǒng)的Dennard 縮放推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，它希望以更低的功耗和更低的成本提供更高的性能和更高的密度?！暗@個(gè)一維版本的路線圖在未來可能已經(jīng)不夠用了，”Luc Van den hove說?！拔覀儗⒉坏貌会槍?duì)特定應(yīng)用調(diào)整我們的設(shè)備?！?/p>

傳統(tǒng)的擴(kuò)展在功率、性能、擴(kuò)展和成本方面遇到了多重障礙。而只是基于光刻的微縮也變得越來越難。“它并沒有停止，而是變得越來越難。我們習(xí)慣于從節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)的單個(gè)晶體管的性能改進(jìn)一直在放緩。這就是我們必須進(jìn)行大規(guī)模并行化的原因?！盠uc Van den hove強(qiáng)調(diào)。

系統(tǒng)性能越來越受到核心處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)路徑限制的支配，這造成了數(shù)據(jù)處理限制，尤其是在 AI 應(yīng)用程序中?！斑@就是我們所說的記憶墻。內(nèi)存峰值帶寬無法跟上處理器峰值吞吐量，”Van den hove 接著說。

另一面墻是電源墻?！皩⑺泄β瘦斎胛覀兊男酒兊迷絹碓诫y，而且從每個(gè)芯片中提取熱量也變得越來越難。因此，我們需要新的冷卻技術(shù)，”Van den hove 表示。

成本也在爆炸式增長(zhǎng)，這是芯片未來面臨的另一堵墻，這個(gè)問題則需要通過復(fù)雜性增加來彌補(bǔ)。

“傳統(tǒng)的縮放顯然正在擊中許多這樣的墻，我們將不得不開發(fā)技術(shù)解決方案來真正拆除這些墻，以使摩爾定律得以延續(xù)，”Van den hove 說。

對(duì)于這種墻壁拆除，需要多種方法，包括尺寸縮小、新開關(guān)/晶體管的開發(fā)、第三維度的增加使用以及設(shè)計(jì)優(yōu)化的系統(tǒng)級(jí)方法。

而按照Van den hove的說法，我們3 年內(nèi)需要High NA EUV***

Imec 主持了一些關(guān)于 EUV 的最早工作，Van den hove 表示，隨著 EUV 進(jìn)入大批量制造，光刻路線圖最近經(jīng)歷了“驚人的推動(dòng)”?！斑@發(fā)生在5納米節(jié)點(diǎn)。這比最初預(yù)期的要難得多。這要花更長(zhǎng)的時(shí)間，但要感謝 ASML 和蔡司等公司的非凡奉獻(xiàn)和承諾，”他說?！拔覀兿嘈女?dāng)前版本的 EUV 可以擴(kuò)展到2納米甚至更遠(yuǎn)的節(jié)點(diǎn)，但要超越這一點(diǎn)，我們將需要下一個(gè)版本的 EUV?！?這將需要開發(fā)更大的鏡頭和新的系統(tǒng)平臺(tái)。光學(xué)器件必須符合驚人的規(guī)格，直徑為 1 米的鏡頭，其精度將超過 20 皮米?！叭绻覀儗⑵渫茢酁榈厍虻拇笮?，這意味著我們必須以人類頭發(fā)粗細(xì)的精度來打磨地球。這令人難以置信，令人難以置信，”Van den hove說?！拔覀冾A(yù)計(jì)第一臺(tái)機(jī)器將在明年準(zhǔn)備就緒?！?/p>

High NA EUV 的引入也將在工藝方面帶來許多挑戰(zhàn)?！盀榱艘苑e極主動(dòng)的方式解決這些問題，我們正在與 ASML 一起建立一個(gè)聯(lián)合High NA 實(shí)驗(yàn)室，該實(shí)驗(yàn)室圍繞第一臺(tái)原型機(jī)建造，將與 TEL 軌道連接，并配備最先進(jìn)的計(jì)量能力。我們這樣做是因?yàn)榧皶r(shí)引入High NA EUV 的挑戰(zhàn)將是巨大的，”Van den hove 說?！皬牡谝慌_(tái) EUV 掃描儀到投入大批量生產(chǎn)，我們花了大約 10 年的時(shí)間。對(duì)于High NA，我們將有更少的時(shí)間，只有三年。為了避免在制造中引入這種情況，我們正在建立一個(gè)非常密集的計(jì)劃，以開發(fā)所有關(guān)鍵的支持構(gòu)建模塊，例如掩模技術(shù)和使用濕式或干式紫外線抗蝕劑的材料。”

與此同時(shí)，Van den hove 還談了一些設(shè)備的創(chuàng)新

Van den hove 描述了幾項(xiàng)針對(duì)破壞性晶體管架構(gòu)提出的創(chuàng)新，以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的擴(kuò)展，包括由納米片堆疊構(gòu)成的環(huán)柵設(shè)計(jì)（gate-all-around），以及一種稱為叉片（forksheet ）器件的新晶體管概念，其中 N 和 P溝道晶體管靠得更近?！斑@種forksheet 設(shè)備，我們將其視為標(biāo)準(zhǔn)納米片概念的延伸，我們相信它將在相當(dāng)于一納米一代的情況下推出，”Van den hove 說。他還描述了一種將 N 和 P 溝道晶體管堆疊在彼此頂部的選項(xiàng)，稱為互補(bǔ) FET (CFET) 器件。

“很明顯，您可以在縮小單元尺寸方面實(shí)現(xiàn)另一個(gè)非常重要的步驟，但顯然是以更復(fù)雜的接觸方案來接觸源極和漏極區(qū)域?yàn)榇鷥r(jià)的。但我們相信，我們已經(jīng)找到了開發(fā)的集成方案，可以通過優(yōu)化外延工藝、圖案化工藝以及利用非常復(fù)雜的沉積工藝來實(shí)現(xiàn)接觸結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)這種晶體管，”Van den hove 說。

其他創(chuàng)新包括減少硅溝道的厚度以減少通道長(zhǎng)度。這可以通過使用新材料來實(shí)現(xiàn)，如用二維材料、原子平坦的單層（例如，鎢或鉬的硫化物或硒化物）代替硅?！拔覀冏罱故玖耸褂?300 毫米設(shè)備制造的第一批設(shè)備，”他說。

Van den hove 表示，持續(xù)的尺寸縮放、新的晶體管架構(gòu)、新材料的引入以及創(chuàng)新的互連架構(gòu)（埋入式電源軌）相結(jié)合將是成功的秘訣。他說：“我們相信，我們可以為未來 8 到 10 代芯片提出路線圖——以 2 到 2 年半的節(jié)奏推出——這將為我們帶來未來 20 年的路線圖。

審核編輯：劉清