99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅纖維的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與性能、用途

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來源:賢集網(wǎng) ? 2023-01-04 14:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅纖維是什么材料?碳化硅纖維是一種以碳和硅為主要成分的高性能陶瓷材料,從形態(tài)上分為晶須和連續(xù)碳化硅纖維,具有高溫耐氧化性、高硬度、高強(qiáng)度、高熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性和密度小等優(yōu)點(diǎn)。與碳纖維相比,在極端條件下,碳化硅纖維能夠保持良好的性能。

碳化硅纖維的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與性能

自20世紀(jì)80年代SiC纖維問世以來,SiC纖維已有三次明顯的產(chǎn)品迭代,其耐熱性與強(qiáng)度都得到了明顯增強(qiáng)。目前,第三代碳化硅纖維的最高耐熱溫度達(dá)1800-1900℃,耐熱性和耐氧化性均優(yōu)于碳纖維。

材料強(qiáng)度方面,第三代碳化硅纖維拉伸強(qiáng)度達(dá)2.5~4GPa,拉伸模量達(dá)290~400GPa,在最高使用溫度下強(qiáng)度保持率在80%以上。

6c5c9604-8bf4-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

碳化硅長絲的制造過程是將聚硅烷在400℃以上,發(fā)生熱轉(zhuǎn)位反應(yīng),使側(cè)鏈上的甲基以亞甲基的形式,導(dǎo)入主鏈的硅-硅間,形成聚碳硅烷,然后通過干法紡絲或熔體紡絲制成纖維。

為防止纖維在碳化過程中發(fā)生熔融粘接,須先在較低溫度下作不熔化處理。不熔化纖維在真空或惰性氣體中加熱至1200~1500℃,側(cè)鏈的甲基與氫同時(shí)脫出后只留下硅-碳的骨架成分,并形成β-碳化硅結(jié)構(gòu)的纖維。最后進(jìn)行上漿處理及集束卷繞。上漿劑的種類視最終用途而定,用于增強(qiáng)塑料時(shí)上漿劑可選用環(huán)氧樹脂,增強(qiáng)金屬及陶瓷時(shí)則要求進(jìn)一步在較低溫度下將上漿劑熱分解掉。由碳化硅細(xì)晶粒組成的連續(xù)纖維,可用氣相沉積或紡絲燒結(jié)法制造。

碳化硅纖維用途

碳化硅纖維用途十分廣泛,主要用作耐高溫材料和增強(qiáng)材料。耐高溫材料包括熱屏蔽材料、耐高溫輸送帶、過濾高溫氣體或熔融金屬的濾布等;用做增強(qiáng)材料時(shí),常與碳纖維或玻璃纖維合用,以增強(qiáng)金屬(如鋁)和陶瓷為主,如做成噴氣式飛機(jī)的剎車片、發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、著陸齒輪箱和機(jī)身結(jié)構(gòu)材料等,還可用做體育用品,其短切纖維則可用做高溫爐材等。

SiC纖維的一個(gè)主要用途是制作SiC復(fù)合陶瓷基材料(CMC材料)。

這種材料是在SiC陶瓷基體的基礎(chǔ)上,將SiC纖維作為增強(qiáng)材料引入基體中制作而成的,是一種尖端復(fù)合材料。

CMC材料是高溫合金的替代品,相比于高溫合金具有更強(qiáng)的耐熱性、抗氧化性,同時(shí)具有更低的密度。

在航空發(fā)動(dòng)機(jī)領(lǐng)域,應(yīng)用CMC材料可以進(jìn)一步提高渦輪進(jìn)氣溫度,進(jìn)而提升發(fā)動(dòng)機(jī)效率。

同時(shí),CMC材料降低了結(jié)構(gòu)密度,實(shí)現(xiàn)了輕量化,提升了航空器的推重比。

因此,SiC復(fù)合陶瓷基材料被認(rèn)為是臨近空間飛行器、可重復(fù)使用航天器的熱結(jié)構(gòu)部件的理想材料,其研發(fā)和應(yīng)用得到了主流機(jī)構(gòu)與航空發(fā)動(dòng)機(jī)制造商的高度重視。

碳化硅纖維的應(yīng)用

SiC纖維具有高強(qiáng)度、高模量、耐高溫、抗氧化、抗蠕變、耐腐蝕、與陶瓷基體相容性好等一系列優(yōu)異性能,是一種非常理想的增強(qiáng)纖維,在航空、航天、兵器、船舶和核工業(yè)等一些高技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,是發(fā)展高技術(shù)武器裝備以及航空航天事業(yè)的戰(zhàn)略原材料。

由連續(xù)SiC纖維增強(qiáng)的SiC陶瓷基復(fù)合材料(SiCf/SiC)強(qiáng)度高、密度低、使用溫度高,在高推重比發(fā)動(dòng)機(jī)上的應(yīng)用具有顯著的減重效果,是替代現(xiàn)有超高溫耐熱合金的理想選擇。

SiCf/SiC復(fù)合材料在航空航天發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件、高超音速運(yùn)輸推進(jìn)系統(tǒng)、原子核反應(yīng)堆材料等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。日本、美國等發(fā)達(dá)國家針對(duì)高性能連續(xù)SiC纖維開展了大量的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究,并已實(shí)現(xiàn)了連續(xù)SiC纖維的工業(yè)化生產(chǎn)。由于連續(xù)SiC纖維在軍事領(lǐng)域的重要應(yīng)用前景及其在航空、航天等高技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略地位,長期以來,西方發(fā)達(dá)國家對(duì)該產(chǎn)品實(shí)行壟斷政策,并對(duì)我國進(jìn)行嚴(yán)密的產(chǎn)品和技術(shù)封鎖。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 纖維
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    41

    瀏覽量

    14384
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3224

    瀏覽量

    65233
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3066

    瀏覽量

    50466

原文標(biāo)題:碳化硅纖維是什么材料?碳化硅纖維的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與性能、用途

文章出處:【微信號(hào):深圳市賽姆烯金科技有限公司,微信公眾號(hào):深圳市賽姆烯金科技有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?97次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?239次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— SiC MOSFET<b class='flag-5'>性能</b>評(píng)價(jià)的真相

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?561次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?862次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅的耐高溫性能

    、高強(qiáng)度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成,形成一種穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)賦予了它許多獨(dú)特的性質(zhì),其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?1624次閱讀

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1351次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    設(shè)計(jì)直接關(guān)系到外延層的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。本文將詳細(xì)介紹一種8英寸單片高溫碳化硅外延生長室的結(jié)構(gòu)及其特點(diǎn)。 結(jié)構(gòu)概述 8英寸單片高溫碳化硅外延生
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生長室<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>

    溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法

    一、引言 溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層,以實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)和熱學(xué)性能要求。這一過程中,不僅要保證外延層的填充率,還要避免空洞和缺陷的產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 12-30 15:11 ?504次閱讀
    溝槽<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>的外延填充方法

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽能光伏 碳化硅材料在太陽能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽能電池的基底材料,提高電池的
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?1155次閱讀

    碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    環(huán)境下,碳化硅能夠保持穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)性能,不易發(fā)生性能衰退或結(jié)構(gòu)破壞。這使得碳化硅在高溫工藝制造、
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?2448次閱讀

    Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)

    Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
    發(fā)表于 10-24 10:51 ?1次下載

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1435次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1153次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用